[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质

说明书

技术领域

本发明涉及用位置对合模块对半导体晶片(以下称晶片)的方向进行对合之后对该晶片进行热处理的技术领域。

背景技术

在半导体制造工厂，使用了被称为多腔室系统等的半导体制造装置，该系统具有对晶片以单片进行真空处理的多个处理模块。这种半导体制造装置典型地包括：作为晶片装载体的载置部、与载置部连接的大气搬送室、通过负载锁定室与大气搬送室连接的真空搬送室、和与真空搬送室连接的多个处理模块。这样的半导体制造装置适用于，例如，等离子体处理之后进行减压退火处理、以高生产能力对晶片进行连续处理等情况。

在实施多腔室系统中的等离子体处理或退火处理等工艺时，由于要正确评价晶片表面的处理状态，以形成于晶片周缘部的槽口或定向平面(orientation flat)的方向(位置)总是一定的方式载置于腔室的各模块内。因此，半导体制造装置中，例如，在大气搬送室设置位置对合模块，用于对合品片的方向和中心的位置。涉及该位置对合模块中的晶片方向的参数，由于与工艺无关，所以预先由制造商方设定，是固定值。因此，在腔室内进行处理的晶片的工艺顺序(工艺方案)的设定项目中不包括涉及晶片方向的参数。

如上所述，在多腔室系统包括热处理模块和等离子体处理模块的情况下，热处理模块，例如，为了修复等离子体处理后的晶片表面的损伤、为了对该晶片进行退火处理而被使用(例如，参照日本特开2006-156995的权利要求1、0029段以及0030段)。在该热处理模块，晶片由3个支承销支承。而且，如上所述，由于搬送到真空搬送室内的晶片的方向总是保持一定，所以被热处理模块搬送的晶片以总是朝向一定方向的状态由支承销支承。

另外，由于半导体器件的种类或晶片检查的运用等，存在使从多腔室系统搬出的晶片再次回到该系统，用热处理模块进行退火处理的情况。

退火处理中，晶片在被支承销支承的状态下被加热，但由于对晶片W的热输入沿着支承销散失，所以晶片W和支承销的接触部位上的温度局部变低，在该部位有时会发生被称作滑移(slip)的Si晶体缺陷。如果进行1次退火处理，即使发生滑移通常也不会影响到产品的成品率。但是，进行第二次退火处理时，由于被搬送到热处理模块的晶片的方向总是一定，所以由支承销支承晶片背面的位置与第一次重合。结果，在第一次退火处理和第二次退火处理向同一部位施加热应力，会产生滑移；或者，第一次时产生的滑移的程度变大。结果，产生成为产品的成品率下降的主要原因的问题。

发明内容

本发明是鉴于这样的情况作出的，其目的在于，提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，能够在用热处理模块对晶片进行多次热处理时，防止由支承部件的支承所导致的晶片的损伤。

本发明的基板处理装置的特征在于，包括：热处理模块，具有对半导体晶片从背面局部地进行支承的支承部件，对所支承的半导体晶片进行热处理；方案设定部，能够对半导体晶片的处理方案中的处理条件和半导体晶片的方向关联地进行设定；位置对合模块，与上述方案设定部连接，对合半导体晶片的方向使之成为由上述方案设定部所设定的方向；搬入端口，使得收纳有多块半导体晶片的装载体被搬入；和搬送机构，将从被搬入上述搬入端口的装载体取出的半导体晶片搬送到位置对合模块，上述搬送机构为了进一步向热处理模块进行搬送，从位置对合模块取出半导体晶片。

本发明的基板处理装置中，上述方案设定部可以具有作为对晶片W的搬送路径等处理条件进行设定和对设定内容进行显示的输入装置兼显示装置的方案设定画面。这样的本发明的基板处理装置中，上述方案设定画面可以包括能够对上述处理条件以外的处理方案的附带信息进行输入和显示的附带信息栏，通过上述附带信息栏能够输入上述半导体晶片的方向。

本发明的基板处理装置，也可以是，上述搬入端口与搬送室连接，在上述搬送室连接有上述热处理模块与上述等离子体处理模块。

本发明的基板处理方法的特征在于，包括：工序(a)，从被搬入到搬入端口的装载体取出半导体晶片，将其搬送到位置对合模块；工序(b)，用位置对合模块使上述半导体晶片的方向与第一角度相一致；工序(c)，接着，将上述半导体晶片搬入热处理模块，由多个支承部件对上述半导体晶片从背面局部地进行支承，对上述半导体晶片进行热处理；工序(d)，之后，用上述位置对合模块使上述半导体晶片的方向与和第一角度不同的第二角度相一致；和工序(e)，然后，将上述半导体晶片搬入与上述热处理模块相同的模块，由多个支承部件对半导体晶片从背面局部地进行支承，对该半导体晶片进行热处理。