[发明专利]挠性叠层板及挠性叠层板的制造方法无效

专利信息
申请号: 200810095229.2 申请日: 2008-05-05
公开(公告)号: CN101304634A 公开(公告)日: 2008-11-12
发明(设计)人: 樱井健;藤崎济;小绵明 申请(专利权)人: 三菱伸铜株式会社
主分类号: H05K1/02 分类号: H05K1/02;H05K3/38;B32B5/00;C23C14/34
代理公司: 北京市金杜律师事务所 代理人: 杨宏军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 挠性叠层板 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及在由聚酰亚胺树脂等形成的基膜(basefilm)的表面利用铜等形成了导电层的挠性叠层板,特别涉及被用作TAB带(TABtape)、柔性电路基板或柔性布线板等的挠性叠层板及该挠性叠层板的制造方法。

本申请要求享有基于2007年5月8日在日本申请的日本专利申请2007-123418号的优先权,并将其内容引用于此。

背景技术

近年来,作为对电子器械的小型化、轻量化、结构柔软化有利的电路基板,对使用了TAB(Tape Automated Bonding)和FPC(FlexiblePrint Circuit)等的电路基板的需求日益增高。

作为被用作上述电路基板的挠性叠层板,例如提出以下方案:利用真空蒸镀、溅射、离子镀等薄膜形成技术直接在由聚酰亚胺等形成的基膜(basefilm)上按照电路图案形成金属薄膜,然后,利用电解镀覆等在该金属薄膜上堆积金属镀层,形成电路图案状的导电层;或在基膜的表面形成金属薄膜,利用电解镀覆等在该金属薄膜上堆积金属形成导电层,蚀刻该导电层形成电路图案等。但是,上述结构的挠性叠层板在利用蚀刻形成电路图案的工序或电解镀覆工序等中,存在基膜和导电层间的接合强度下降、容易剥离的问题。

所以,例如在专利文献1~6中提出一种挠性叠层板,通过在导电层和基膜之间设置中间层,提高基膜和导电层之间的接合强度。

特别是在专利文献6中公开的挠性叠层板中,配置含有Cr的中间层作为中间层,通过使Cr的d电子和聚酰亚胺树脂的π电子形成共价键,能提高中间层和导电层与基膜的接合强度。

近年来,使用了上述挠性叠层板的柔性电路基板逐渐被用于汽车或飞机等电气安装部件,在高温环境下使用,所以要求高温环境下可靠性高的挠性叠层板。

但是,已知现有的挠性叠层板在高温环境下的接合强度降低。本发明人等进行了研究,发现该接合强度降低是由于作为中间层的合金与聚酰亚胺树脂的粘合力降低。

一般认为,作为中间层的合金与聚酰亚胺树脂的粘合力降低的机理是合金氧化引起界面劣化。

具体而言,构成基膜的聚酰亚胺树脂具有容易扩散氧或水蒸气的性质,所以气氛中的氧或水蒸气从基膜的背面(没有设置中间层侧的面)透过,到达中间层和基膜的界面,在该界面中间层发生氧化。特别是在高温环境下,氧或水蒸气的扩散被促进,所以导致与常温环境下相比,中间层和基膜的接合强度更大幅度地下降。

[专利文献1]特开平01-133729号公报

[专利文献2]特开平03-274261号公报

[专利文献3]特开平05-183012号公报

[专利文献4]特开平07-197239号公报

[专利文献5]特开平08-330695号公报

[专利文献6]特开2005-26378号公报

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的,其目的在于提供一种挠性叠层板及该挠性叠层板的制造方法,所述挠性叠层板即使在高温环境下,基膜和中间层的接合强度也不降低,可靠性高。

为了解决该课题,本发明的挠性叠层板具有基膜、被叠层在该基膜上的中间层和被叠层在该中间层上的导电层,所述基膜中,至少叠层所述中间层的表面由聚酰亚胺树脂构成,所述中间层含有55重量%以上的Ni、4重量%以上的Cr,同时含有比Cr容易氧化的易氧化元素,并且在叠层方向上,所述基膜侧的该易氧化元素的浓度被设定为较高。

本发明的挠性叠层板由于在基膜和导电层之间设置有含有55重量%以上的Ni、4重量%以上的Cr,同时含有比Cr容易氧化的易氧化元素的中间层,所以,存在于基膜和中间层的界面的氧或水蒸气优先氧化易氧化元素,从而能够抑制Cr的氧化。所以,Cr的d电子和聚酰亚胺树脂的π电子之间的共价键不被破坏,即使在高温环境下也能抑制接合强度的降低。另外,由于导电层侧的易氧化元素的浓度被设定为较低,所以能够抑制易氧化元素引起的中间层性质的变化。

需要说明的是,所谓比Cr容易氧化的元素,是指在该挠性叠层板被使用的温度范围(例如-20℃~200℃),氧化物生成自由能小于Cr的元素。

此处,所述中间层含有的所述易氧化元素可以是Mo。

此种情况下,由于中间层的基膜侧的Mo浓度被设定得较高,所以存在于基膜和中间层的界面的氧或水蒸气优先氧化Mo,进而能够确实地抑制Cr的氧化。另外,Mo的耐腐蚀性高,蚀刻性差,但由于导电层侧的Mo浓度低于基膜侧,所以能够通过蚀刻容易地形成电路图案。

另外,可以使所述中间层为在叠层方向上Cr的浓度为固定值的结构。

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