[发明专利]编程电压控制的复位闪存

说明书

技术领域

本发明涉及一种复位闪存，且特别涉及一种编程电压控制的复位闪存。

背景技术

闪存以其便捷，存储密度高，可靠性好等优点成为非挥发性存储器中研究的热点。从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来，随着技术的发展和各类电子产品对存储的需求，闪存被广泛用于手机，笔记本，掌上电脑和U盘等移动和通讯设备中，闪存为一种非易变性存储器，其运作原理是通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制门极通道的开关以达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失，而闪存为电可擦除且可编程的只读存储器的一种特殊结构。如今闪存已经占据了非挥发性半导体存储器的大部分市场份额，成为发展最快的非挥发性半导体存储器，然而现有的闪存在迈向更高存储密度的时候，由于受到编程电压的限制，通过缩小器件尺寸来提高存储密度将会面临很大的挑战，因而研制高存储密度的闪存是闪存技术发展的重要推动力。

发明内容

为了克服现有技术中通过缩小器件尺寸来提高存储密度遇到问题，本发明提供了一种由编程进入浮栅电荷的多少来实现信息存储的复位闪存。

根据上述技术要求，本发明采用以下技术方案：

一种编程电压控制的复位闪存，其包括：第一交界区域和第二交界区域，位于基底的两端，第三交界区域，位于所述基底中间，第一源极和第二源极，与所述基底相连，交界处分别位于所述第一交界区域和所述第二交界区域的中间位置，漏极与所述基底相连，交界处位于所述第三交界区域的中间位置，第一区域三栅，包括第一控制栅、第一浮栅和第一可编程栅，处于所述第一源极和所述漏极之间，所述第一控制栅位于所述第一浮栅的一侧，所述第一控制栅与所述第一浮栅皆和所述基底相连，所述第一可编程栅和所述第一浮栅相连，第二区域三栅，包括第二控制栅、第二浮栅和第二可编程栅，处于所述第二源极和所述漏极之间，所述第二控制栅位于所述第二浮栅的一侧，所述第二控制栅与所述第二浮栅皆和所述基底相连，所述第二可编程栅和所述第二浮栅相连。

进一步的，第一沟道在所述基底内，位于所述第一交界区和所述第三交界区之间，紧挨所述第一浮栅。

进一步的，所述第一浮栅与所述基底中的所述第一沟道间以一氧化层分离。

进一步的，第二沟道在所述基底内，位于所述第二交界区和所述第三交界区之间，紧挨所述第二浮栅。

进一步的，所述第二浮栅与所述基底中的所述第二沟道间以一氧化层分离。

进一步的，复位闪存采用多晶硅作为存储区，通过不同的编程电压来控制热电子注入多晶硅层的数量。

本发明编程电压控制的复位闪存，制作工艺简单，结构设计合理，解决了工艺上由于受到编程电压限制，通过缩小器件尺寸来提高存储密度而面临的困难。

附图说明

图1为本发明编程电压控制的复位闪存的结构示意图；

图2为本发明编程电压控制的复位闪存的从右侧存储单元写入的实施例结构示意图；

图3为本发明编程电压控制的复位闪存的从左侧存储单元写入的实施例结构示意图；

图4为本发明编程电压控制的复位闪存的存储单元读入的实施例结构示意图；

图5为本发明编程电压控制的复位闪存的存储单元清零的实施例结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对发明作进一步的描述。

图1为本发明编程电压控制的复位闪存的结构示意图，第一交界区域10和第二交界区域12，位于基底1的两端，第三交界区域11，位于所述基底1中间，第一源极21和第二源极22，与所述基底1相连，交界处分别位于所述第一交界区域10和所述第二交界区域12的中间位置，漏极23与所述基底1相连，交界处位于所述第三交界区域11的中间位置，第一区域三栅，包括第一控制栅31、第一浮栅33和第一可编程栅35，所述第一区域三栅皆处于所述第一源极21和所述漏极23之间，所述第一控制栅31位于所述第一浮栅33的一侧，所述第一控制栅31与所述第一浮栅33皆和所述基底1相连，所述第一可编程栅35和所述第一浮栅33相连，第二区域三栅，包括第二控制栅32、第二浮栅34和第二可编程栅36，所述第二区域三栅皆处于所述第二源极22和所述漏极23之间，所述第二控制栅32位于所述第二浮栅34的一侧，所述第二控制栅32与所述第二浮栅34皆和所述基底1相连，所述第二可编程栅36和所述第二浮栅34相连。

第一沟道40在所述基底1内，位于所述第一交界区域10和所述第三交界区域11之间，紧挨所述第一浮栅33。