[发明专利]表面改性技术加工RB-SiC超光滑表面反射镜方法无效
| 申请号： | 200710159200.1 | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101470223A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 公发全;刘万发;李刚;董闯;牟宗信 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | G02B5/08 | 分类号： | G02B5/08;B24B29/02;C04B41/81 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 马 驰;周秀梅 |
| 地址： | 116023*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面 改性 技术 加工 rb sic 光滑 反射 方法 | ||
【权利要求书】：
1.表面改性技术加工RB-SiC超光滑表面反射镜方法，其特征在于：
在RB-SiC基底采用表面能流注入方法产生致密化的加工层；
然后对致密化的加工层进行常规精抛光加工，再采用纳米抛光方法对加 工层进行抛光；
所述表面能流注入方法使用的瞬态能流为高能激光和电子束；
所述瞬态能流密度在1000-5000J/cm2，重复作用2-5脉冲；致密层厚度 1-100微米；
所述瞬态能流进行表面改性处理需要将RB-SiC基底材料放在真空室内 进行，真空室压力低于10-2Pa；
所述瞬态能流受能流设备能量的限制，需要采用扫描的方法对大尺寸的 RB-SiC基底进行处理。
2.根据权利要求1所述方法，其特征在于：在对RB-SiC基底表面进 行致密化的表面改性前，首先采用常规光学加工方法对RB-SiC基底进行研 磨抛光。
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