[发明专利]减小存储单元写入扰乱的方法

权利要求书

1.一种减小存储单元写入扰乱的方法，其特征在于，包括下列步骤，

(1)寻找能保证存储单元正常写入的初始写入条件；

(2)挑选初始写入条件中的两个参数作为写入扰乱测试的变量；

(3)至少针对该两个参数的两个组合值，对存储单元进行写入扰乱测试；

(4)根据写入扰乱测试结果，得到使存储单元写入扰乱最小的最小扰乱写入条件；

(5)应用得到的最小扰乱写入条件作为存储单元进行写入操作时的写入条件。

2.如权利要求1所述的减小存储单元写入扰乱的方法，其特征在于，所述寻找能保证存储单元正常写入的初始写入条件的步骤包括，

(11)测量存储单元中晶体管的阈值电压初始值；

(12)保持存储单元中晶体管的基极接地，断开源极，对存储单元中晶体管的栅极施加电压值为10V的电压，对漏极施加脉冲宽度为0.5微秒、脉冲个数为1个的脉冲电压，设定脉冲电压值对存储单元进行写入操作；

(13)再次测量存储单元中晶体管的阈值电压；

(14)判断存储单元中晶体管的阈值电压差值是否大于对应于存储单元中晶体管规格的标称值；

(15)如阈值电压差值小于标称值，则设定的漏极脉冲电压值不能够使存储单元正常写入，对存储单元进行擦除操作，使存储单元的阈值电压降到初始值，返回步骤(12)；

(16)如阈值电压差值达到标称值，则设定的漏极脉冲电压值能够使存储单元正常写入，对存储单元进行擦除操作，使存储单元的阈值电压降到初始值；

(17)记录使存储单元能够正常写入的漏极脉冲电压至少2个和脉冲个数和宽度以及源极、基极和栅极的电压，作为初始写入条件。

3.如权利要求1所述的减小存储单元写入扰乱的方法，其特征在于，所述的两个参数是脉冲宽度和脉冲个数。

4.如权利要求1所述的减小存储单元写入扰乱的方法，其特征在于，所述的写入扰乱测试包括以下步骤，

(31)取所述组合的一个值，保持初始写入条件中的其他参数的值不变，对存储单元进行写入操作；

(32)测量并记录写入扰乱；

(33)判断是否还有未取的组合值；

若还有未取的组合值，则返回步骤(31)；

若没有未取的组合值，则写入扰乱测试完成。

5.如权利要求1所述的减小存储单元写入扰乱的方法，其特征在于，所述的最小扰乱写入条件是分别使得存储单元写入扰乱最小的各个写入条件参数的对应值的集合。

6.如权利要求2所述的减小存储单元写入扰乱的方法，其特征在于，所述标称值是2V。

7.如权利要求2所述的减小存储单元写入扰乱的方法，其特征在于，所述的使存储单元能够正常写入时的漏极电压是3.6V、3.8V、4.0V和4.2V。

8.如权利要求2所述的减小存储单元写入扰乱的方法，其特征在于，所述的初始写入条件是存储单元中晶体管的基极接地，源极断开，栅极施加10V的电压，漏极施加脉冲宽度为0.5微秒、脉冲个数为1个，脉冲电压值为3.6V、3.8V、4.0V和4.2V的电压。

9.如权利要求4所述的减小存储单元写入扰乱的方法，其特征在于，所述组合值是脉冲个数1个和脉冲宽度0.5微秒、脉冲个数1个和脉冲宽度1微秒、脉冲个数1个和脉冲宽度1.5微秒、脉冲个数1个和脉冲宽度2微秒、脉冲个数2个和脉冲宽度1微秒以及脉冲个数2个和脉冲宽度2微秒。