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[外观设计]耳机充电仓（X22A/X22B）-CN202130154268.1有效
发明人：陈辉 -专利权人：陈辉
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： 13-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：耳机充电仓（X22A/X22B）。2.本外观设计产品的用途：耳机收纳和充电。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。
耳机充电 x22a x22b

[发明专利]用于三错校正和四错校正的改进系统-CN96192220.6无效
发明人：利-杰·温 -专利权人：昆腾公司
申请日： 1996-12-18 - 公布日： 1998-03-18 - 主分类号： H03M13/00 文献下载
摘要：通过将四次错误定位多项式最终变换为两个二次方程,查找这些方程的解,从这些解中确定错误定位多项式的根,系统确定GF(22m)中四错的错误位置。系统首先将如下形式的错误定位多项式σ(x)=σ4x4+σ3x3σ2x2+σ1x+σ0[1],变换为θ(y)=y4+θ2y2+θiy+θ0[2],其中θi为错误定位多项式的各项系数的组合。然后系统将θ(y)因式分解为θ(y)=(y2+t＊y+u)*(y2+v＊y+w)[3]其中“*”表示乘法。通过使θ(y)的两个表达式的系数相等,并首先求出变量t(等于v),然后再求出变量w和u,系统确定值t、u、v和w。一旦确定了这些变量,系统就求解两个二次方程,每个二次方程对应方程3的一个因子。
用于校正改进系统

[发明专利]制造Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v衬底以及外延晶片-CN200980114398.9无效
发明人：佐藤一成;宫永伦正;藤原伸介;中幡英章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-04-17 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供了制造裂纹数减少且具有高加工性的Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底、以及外延晶片。所述制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底(10a)的方法包括下列步骤：首先，准备Si衬底(11)；然后，在低于550℃的温度下在所述Si衬底上生长Si(1-v-w-x)CwAlxNv层(0＜v＜1，0＜w＜1，0＜x＜1，且0＜v+w+x＜1)。
制造 si sub al 衬底方法外延晶片以及

[发明专利]一种对禽类进行光照精细化管理的方法-CN201611003266.7有效
发明人：苏一军;戴国俊;韩威;李国辉;殷建玫;梁忠;张跟喜;王冬;屠云洁;张会永;王洪志;朱云芬;朱静;王晓峰;樊庆灿;邢伟杰;陆进宏;王保羊;尤哲夫 -专利权人：江苏省家禽科学研究所
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： A01K67/02 文献下载
摘要：利用高斯函数计算所属地区对应日龄的自然光照时长，具体方法如下：查出所属地区的日出日落时间，在高斯函数下求出4个参数，y0、W、Xc、A代入公式，将X作为日期自变量本发明的优点是：通过软件Origin9在高斯函数下求出4个参数，y0、W、Xc、A，模拟出函数表达式，应用卡西欧Fx‑CG20CN编程，只要知道几月几日出雏，就可知道当日的日照时长，同时也能知道10日龄和139日龄时的日照时长，并根据所处四个阶段的哪个阶段，确定具体的光照方法，为光照的精细化管理提供科学依据。
一种禽类进行光照精细管理方法

[发明专利]柱状半导体装置、及其制造方法-CN201780096442.2有效
发明人：舛冈富士雄;原田望;中村広记;金敏洙;陶铮 -专利权人：新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在SRAM单元电路中，在俯视观看时，通过第二栅极连接W层(29a)连接：位在与栅极TiN层(23a,23b)连接的第一栅极连接W层(22a,22b)之间的N+层(12a),P+层(13a)、及第一栅极连接W层(22c)；其中，该N+层(12a),P+层(13a)与Si柱(11a,11b)的底部连接，并且沿水平方向延伸，该第一栅极连接W层(22c)与栅极TiN层(23a,23b)连接，并且沿水平方向延伸。并且，第二栅极连接W层(29a)的底部位在第一栅极连接W层(22c)内，且其上表面位置形成为比栅极TiN层(23a)至(23f)、及第一栅极连接W层(22a)至(22d)的上表面还低。
柱状半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种数字信号的重采样方法-CN200610011592.2无效
发明人：林中松;王浩 -专利权人：北京中星微电子有限公司
申请日： 2006-03-30 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： G06T3/40 文献下载
摘要：本发明公开一种数字信号的重采样方法，用于将输入的长度为W1的象素序列O降采样，输出长度为W2的象素序列R，W1＞W2，其特征在于，重采样时，逐步输入序列O中的W1个象素时，有X1次对S1个象素取平均作为输出序列R的一个象素，有X2次对S2个象素取平均作为输出序列R的一个象素，得到象素序列R，其中X1＝W1％W1％W2，X2＝(W2－X1)，S1＝Ceil(W1/W2)，S2＝Floor(W1/W2)，Ceil()表示向上取整运算，Floor()表示向下取整运算，“％”表示求余运算，W1＝S1*X1+S2*X2。
一种数字信号采样方法

[发明专利]电线盖及带电线盖连接器-CN201980051329.1有效
发明人：小森洋和;村田高弘 -专利权人：株式会社自动网络技术研究所;住友电装株式会社;住友电气工业株式会社
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01R13/58 文献下载
摘要：通过本说明书公开的电线盖(20)将从壳体(50)引出的多条电线(W)覆盖，电线盖(20)构成为具备：盖主体(22)，从前方被导入从壳体(50)引出的多条电线(W)，并将多条电线(W)向右方导出；和引导部(30)，设置于盖主体(22)的内表面，将与多条电线(W)中所述盖内距离比盖内距离最长的配置的左侧的大径电线(WL1)短的配置的多条电线(W)中的小径电线(WS)引导到余长收纳空间(37)，所述盖内距离为从电线(W)相对于盖主体(22)导入的电线导入位置(PI)到电线(W)相对于盖主体(22)导出的电线导出位置(PO)为止的距离，余长收纳空间(37)设置于盖主体(22)内。
电线连接器

[发明专利]R‑T‑B系烧结磁体的制造方法-CN201480046365.6有效
发明人：山方亮一;石井伦太郎;国吉太;佐藤铁兵 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：一种磁体的制造方法，包括磁体的准备工序，其准备如下磁体用式uRwBxGayCuzAlqM余量T表示，RH为5％以下，0.20≤x≤0.70、0.07≤y≤0.2、0.05≤z≤0.5、0≤q≤0.1，在0.40≤x≤0.70时，v、w满足50w‑18.5≤v≤50w‑14、‑12.5w+38.75≤v≤‑62.5w+86.125，在0.20≤x＜0.40时，v、w50w‑18.5≤v≤50w‑15.5、‑12.5w+39.125≤v≤‑62.5w+86.125，x‑(62.5w+v‑81.625)/15+0.5≤x≤‑(62.5w+v‑81.625)/15+0.8；高温热处理工序，其将磁体加热到730
烧结磁体制造方法

[发明专利]R-T-B系烧结磁体及R-T-B系烧结磁体的制造方法-CN201480043014.X有效
发明人：石井伦太郎;国吉太;佐藤铁兵 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：一种R－T－B系烧结磁体，其用式uRwBxGayCuzAlqMT表示，0.20≤x≤0.70、0.07≤y≤0.2、0.05≤z≤0.5、0≤q≤0.1，在将氧量(质量％)设为α、将氮量(质量％)设为β、将碳量(质量％)设为γ时，v＝u－(6α+10β+8γ)，在0.40≤x≤0.70时，v、w满足：50w－18.5≤v≤50w－14、－12.5w+38.75≤v≤－62.5w+86.125，在0.20≤x＜0.40时，v、w满足：50w－18.5≤v≤50w－15.5、－12.5w+39.125≤v≤－62.5w+86.125，x为－(62.5w+v－81.625)/15+0.5≤x≤－(62.5w
烧结磁体制造方法

[实用新型]环状金属件感应加热装置和杯状金属件感应加热装置-CN201220664691.1有效
发明人：外村徹;藤本泰広 -专利权人：特电株式会社
申请日： 2012-12-05 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H05B6/10 文献下载
摘要：所述装置具有把环状铁芯（2）分割形成的多个分割铁芯部（21）、（22），由非磁性金属制成的金属件（W）分别安装于所述分割铁芯部（21）的多个分割端部（21x）、（21y），通过设于所述金属件（W）的外周部或内周部的输入线圈（3）对所述金属件（W）进行感应加热。
环状金属件感应加热装置

[发明专利]矢量编码方法及其利用该方法的编码器和解码器-CN95195265.X无效
发明人：片冈章俊;池户丈太朗 -专利权人：日本电信电话株式会社
申请日： 1995-09-29 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： G10L19/00 文献下载
摘要：分别从码本CB1和CB2选择各样品矢量z_1i和z_2j，并由乘法器21和22乘以与各样品矢量同样维数的各权系数矢量w₁和w₂，从而产生各加权样品矢量z_1iw₁和z_2jw₂，这些加权样品矢量由一合成部件3矢量合成一合成矢量y_ij，由一控制部件选择各样品矢量的一种组合使合成矢量Y_ij和输入矢量X间的距离最小化。权系数矢量w₁和w₂都有一最大分量在不同维内，并选择各所述权系数矢量使得用各权系数矢量的各分量作为对角元素的各对角矩阵W₁和W
矢量编码方法及其利用编码器解码器

[发明专利]透光性陶瓷及其制造方法、和光学零件及光学装置-CN200680039412.X有效
发明人：金高祐仁 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2006-10-04 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明提供一种透光性陶瓷，以由一般式：{La_1－x(Sr_1－a－bBa_aCa_b)_x}{(Al－cGa_c)_1－y(Ta_1－dNb_d)_y}_vO_w(其中，满足0＜x≤1、0＜y≤0.6、0.4≤y/x≤0.6、0≤a≤1、0≤b≤1、0≤c≤1、0≤d≤1、及0.9≤v≤1.1的各条件，w是用于保持电中性的正数)表示的组成的钙钛矿型化合物为主要成分适合用于例如在单镜头反光照相机用的光学系统的高斯型透镜光学系统(20)中以夹持光阑(28)的方式所配置的透镜(22、25)。
透光陶瓷及其制造方法光学零件装置

[发明专利]在中等温度下操作的水煤气变换催化剂及其制备方法-CN201280068891.3在审
发明人： F·巴塞尔;G·布伦纳;R·福尔;G·弗纳萨里;D·加里;A·瓦卡里 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2012-11-14 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： B01J21/00 文献下载
摘要：式(I)水滑石型化合物：[Cu_xZn_yAl_w(OH)₂]^{(2x+2y+3w-2)+}(A^2-)_{(2x+2y+3w-2)/n}，k H₂O(I)，其中(A^2-)表示碳酸根阴离子或硅酸根阴离子，x>0，y>0，w>0，(x+y)＝(1-w)，1<[(x+y)/w]<5且1/99≤x/y≤1/1；用于其制备的合成方法；通过将它煅烧，随后将煅烧产物还原而得到的催化剂。
中等温度操作水煤气变换催化剂及其制备方法

[发明专利]层叠铁芯、层叠铁芯的制造装置以及层叠铁芯的制造方法-CN201811520751.0在审
发明人：首藤公德 -专利权人：株式会社三井高科技
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H02K1/28 文献下载
摘要：转子层叠铁芯(1)具备层叠有多个冲裁部件(W)的层叠体(10)。多个冲裁部件(W)包括：在层叠体(10)的高度方向上构成最外层的冲裁部件(W2)、和与冲裁部件(W2)邻接的冲裁部件(W1)。在冲裁部件(W2)设置有呈长孔状的贯穿孔(22)。在冲裁部件(W1)设置有变形部(20)，所述变形部(20)以与贯穿孔(22)嵌合的方式构成，且呈向贯穿孔(22)突出的山形。在贯穿孔(22)的一对长边的中央部分别设置有在一对长边的对置方向上向外方突出的缺口部(28)。
冲裁部件层叠铁芯贯穿孔变形部层叠体长边制造装置转子长孔状缺口部中央部最外层邻接对置嵌合山形外方制造

[发明专利]一种含W低活化高熵合金及其制备方法-CN202111145286.9有效
发明人：操振华;张子鉴;陈家豪;韩茜婷;马涵 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种一种含W低活化高熵合金薄膜及其制备方法。其特征在于利用共溅射和交替溅射沉积(TiVCr)100‑xWx高熵合金和单相W层，形成具有不同单层厚度(TiVCr)100‑xWx/W纳米多层结构，其中(TiVCr)100‑xWx层中掺杂不同的W含量，W单层中通过层厚可调节α‑W和β‑W，通过不同相的组合、界面强化以及固溶强化，获得具有优异力学和物理性能的含W的低活化高熵合金材料。
一种活化合金及其制备方法