专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种SOI横向绝缘栅双极晶体管-CN202211072230.X在审
  • 章文通;田丰润;何佳敏 - 电子科技大学
  • 2022-09-02 - 2022-11-22 - H01L29/06
  • 本发明提供一种SOI横向绝缘栅双极晶体管,第一导电类型top层分布在表面,第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板,分布在整个第二导电类型漂移区中,形成纵向浮空场板阵列,多晶硅电极插入埋氧层中本发明在器件开态时,纵向浮空场板表面能够形成积累层,提高了器件的饱和电流;器件关态时,表面top区可几乎由纵向浮空场板全耗尽,表面场将被top区钳位,因此第二导电类型漂移区的掺杂浓度在更大范围变化时器件表面场均不发生变化
  • 一种soi横向绝缘双极晶体管
  • [发明专利]基于top‑k(σ)算法的异常数据检测方法-CN201510256798.0有效
  • 李光辉;胡石;冯海林 - 浙江农林大学
  • 2015-05-19 - 2018-03-30 - H04W24/08
  • 本发明公开了一种基于top‑k(σ)算法的异常数据检测方法,通过构造PC列表,将潜在异常数据点对应的小数据单元格对应的第四列数据分别与阈值进行比较,如果大于阈值,则与该第四列数据对应的小数据单元格内的数据点为异常数据点,否则为正常数据点;有效避免了把异常值误判为正常值或者有效避免了将正常值误判为异常值,大大降低了本发明算法的误报率,通过具体仿真实验发现,本发明提出的算法的误报率比基于top‑k算法降低了4.48%;本发明通过调整阈值的取值大大提高了本发明算法的检测率,通过具体仿真实验发现,本发明提出的算法检测率达到了93.7%,本发明的算法与基于top‑k算法比较检测率提高了4.94%。
  • 基于top算法异常数据检测方法

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