“ti3c2tx”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8950216个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种Ti3C2Tx/Nafion/Celgard复合隔膜-CN201710225974.3在审
发明人：钟玲珑 -专利权人：深圳市佩成科技有限责任公司
申请日： 2017-04-08 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H01M2/14 文献下载
摘要：本发明提供一种Ti3C2Tx/Nafion/Celgard复合隔膜，包括Celgard隔膜和其表面的Ti3C2Tx/Nafion层组成，所述的Ti3C2Tx/Nafion层的厚度为1～10μm，所述的Ti3C2Tx/Nafion层中Ti3C2Tx与Nafion的质量比为0.05‑0.51。Ti3C2Tx/Nafion层中的Ti3C2Tx上的T为‑F基团或‑OH基团，与Nafion膜上的‑F基团均为强极性基团，能对充放电过程中形成的多硫化物形成强烈的化学吸附，能有效的阻止多硫化物穿过隔膜到达负极
一种 ti3c2tx nafion celgard 复合隔膜

[发明专利]一种Ti3C2Tx/PVDF/Celgard复合隔膜-CN201710225973.9在审
发明人：钟玲珑 -专利权人：深圳市佩成科技有限责任公司
申请日： 2017-04-08 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01M2/14 文献下载
摘要：本发明提供一种Ti3C2Tx/PVDF/Celgard复合隔膜，包括商用Celgard隔膜和其表面的 Ti3C2Tx/PVDF层组成，所述的Ti3C2Tx/PVDF层的厚度为1～10μm，所述的Ti3C2Tx/PVDF层中Ti3C2Tx与PVDF的质量比为10.01‑0.1。Ti3C2Tx上的T为‑F基团或 ‑OH基团，均为强极性基团，能对充放电过程中形成的多硫化物形成强烈的化学吸附，能有效的阻止多硫化物穿过隔膜到达负极，减少飞梭效应的发生，提高锂硫电池的寿命。
一种 ti3c2tx pvdf celgard 复合隔膜

[发明专利]一种Ti3C2Tx/氧化石墨烯/Celgard复合隔膜-CN201710225972.4在审
发明人：钟玲珑 -专利权人：深圳市佩成科技有限责任公司
申请日： 2017-04-08 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01M2/16 文献下载
摘要：本发明提供一种Ti3C2Tx/氧化石墨烯/Celgard复合隔膜，包括Celgard隔膜和其表面的 Ti3C2Tx/氧化石墨烯层组成，所述的Ti3C2Tx/氧化石墨烯层的厚度为1～10μm，所述的Ti3C2Tx/氧化石墨烯层中Ti3C2Tx与氧化石墨烯的质量比为10.2‑1。Ti3C2Tx/氧化石墨烯层中的Ti3C2Tx上的T为‑F基团或 ‑OH基团，与氧化石墨烯表面的氧均为强极性基团，能对充放电过程中形成的多硫化物形成强烈的化学吸附，能有效的阻止多硫化物穿过隔膜到达负极，
一种 ti3c2tx 氧化石墨 celgard 复合隔膜

[发明专利]一种制备高纯度碳化钛材料Ti₃C₂T_x的方法-CN201810204512.8在审
发明人：王双宝;刘赟;沈培康;田植群;尹诗斌 -专利权人：广西大学
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： C01B32/921 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维层状材料MXene的纯化领域，特别涉及一种制备高纯度碳化钛材料Ti3C2Tx的方法，该方法包括：将Ti3AlC2粉末刻蚀后溶液离心，超声清洗，刻蚀后溶液含有Ti3C2Tx粉末，Ti3C2Tx粉末表面附着粒径为50～100纳米的含铝杂质颗粒；重复离心步骤，超声清洗，得到Ti3C2Tx沉淀物；加入HF水溶液，超声处理，磁力搅拌，再超声处理；所得溶液离心，倒出上层清液，超声清洗，重复离心‑超声清洗‑离心步骤，离心后的上层清液pH值为5～7；冷冻干燥，获得Ti3C2Tx粉末。该方法得到的纯化Ti3C2Tx的表面几乎没有观察到纳米杂质颗粒，含铝杂质颗粒质量减少了81.9％，Ti3C2Tx粉末纯度高达99.9％。
超声清洗碳化钛材料超声处理离心步骤溶液离心上层清液高纯度铝杂质刻蚀制备层状材料磁力搅拌粉末表面粉末纯度杂质颗粒质量减少重复倒出二维附着粒径观察

[发明专利]一种复合材料PANI/Ti3C2Tx的制备及应用-CN201710780821.5在审
发明人：王庆涛;王立鹏;张中浩 -专利权人：西北师范大学
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合材料PANI/Ti3C2Tx的制备方法，是将三元MAX相材料Ti3AlC2粉末先用氢氟酸溶液中进行化学刻蚀，得到层状Ti3C2Tx材料；将单体苯胺通过质子酸掺杂，氧化剂氧化聚合得到导电聚苯胺PANI）；之后将层状Ti3C2Tx与导电聚苯胺按特定比例在液相中进行复合，最后进行干燥处理，得到复合材料PANI/Ti3C2Tx。该复合材料以层状Ti3C2Tx作为支撑，导电聚苯胺的颗粒均匀分散于层状Ti3C2Tx的层间及表面。电化学性能测试结果表明，以PANI/Ti3C2Tx电极材料为原材料制作的超级电容器，具有较高的比电容、能量密度和功率密度，以及良好的循环性能和电化学稳定性，因此可作为超级电容器的电极材料。
一种复合材料 pani ti3c2tx 制备应用

[发明专利]一种聚苯胺/Ti3C2Tx/硫复合材料-CN201710230349.8在审
发明人：钟玲珑 -专利权人：深圳市佩成科技有限责任公司
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供一种聚苯胺/Ti3C2Tx/硫复合材料，该复合材料由硫、片状Ti3C2Tx和聚苯胺组成，内层为硫和Ti3C2Tx复合材料，外层为包覆硫和Ti3C2Tx复合材料的聚苯胺，其聚苯胺Ti3C2Tx硫的质量比为
一种苯胺 ti3c2tx 复合材料

[发明专利]一种聚吡咯/Ti3C2Tx/硫复合材料-CN201710230128.0在审
发明人：钟玲珑 -专利权人：深圳市佩成科技有限责任公司
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供一种聚吡咯/Ti3C2Tx/硫复合材料，该复合材料由硫、片状Ti3C2Tx和聚吡咯组成，内层为硫和Ti3C2Tx复合材料，外层为包覆硫和Ti3C2Tx复合材料的聚吡咯，其聚吡咯Ti3C2Tx硫的质量比为
一种吡咯 ti3c2tx 复合材料

[发明专利]一种Nafion膜/Ti3C2Tx/硫复合材料-CN201710230359.1在审
发明人：钟玲珑 -专利权人：深圳市佩成科技有限责任公司
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：一种Nafion膜/Ti3C2Tx/硫复合材料，该复合材料由硫、片状Ti3C2Tx和Nafion膜组成，内层为硫和Ti3C2Tx复合材料，外层为包覆硫和Ti3C2Tx复合材料的Nafion膜，其中Nafion膜Ti3C2Tx硫的质量比为0.05‑0.20.05‑0.21。
一种 nafion ti3c2tx 复合材料

[发明专利]一种聚噻吩化合物/Ti3C2Tx/硫复合材料-CN201710230129.5在审
发明人：钟玲珑 -专利权人：深圳市佩成科技有限责任公司
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供一种聚噻吩化合物/Ti3C2Tx/硫复合材料，该复合材料由硫、片状Ti3C2Tx和聚噻吩化合物组成，内层为硫和Ti3C2Tx复合材料，外层为包覆硫和Ti3C2Tx复合材料的聚噻吩化合物，其聚噻吩化合物Ti3C2Tx硫的质量比为0.05‑0.20.05‑0.21。
一种噻吩化合物 ti3c2tx 复合材料

[发明专利]一种聚蒽醌硫醚/Ti3C2Tx/硫复合材料-CN201710230127.6在审
发明人：钟玲珑 -专利权人：深圳市佩成科技有限责任公司
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供一种聚蒽醌硫醚/Ti3C2Tx/硫复合材料，该复合材料由硫、片状Ti3C2Tx和聚蒽醌硫醚组成，内层为硫和Ti3C2Tx复合材料，外层为包覆硫和Ti3C2Tx复合材料的聚蒽醌硫醚，其聚蒽醌硫醚Ti3C2Tx硫的质量比为0.05‑0.20.05‑0.21。
一种聚蒽醌硫醚 ti3c2tx 复合材料

[发明专利]一种可用于锂离子电池负极的碳化钛纳米片/石墨烯复合材料的制备方法-CN201510582413.X有效
发明人：段小明;刘博慧;贾德昌;杨治华;周玉 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-09-14 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：它要解决现有Ti3C2Tx/石墨烯复合材料的制备工艺复杂及效率低的问题。方法一、制备Ti3AlC2粉末；二、制备堆垛的层片状Ti3C2Tx粉体；三、制备悬浮液；四、取制备片层状的Ti3C2Tx粉体；五、与氧化石墨烯复合，即完成。本发明的制备方法只需要制备Ti3C2Tx粉体，采用氧化石墨烯作为原料，可以在市场上直接购买，不仅原料制备的周期相对较短，而且氧化石墨烯表面同样含有官能团，亲水性更好，更容易和Ti3C2Tx复合在一起；且抽滤只需要
一种用于锂离子电池负极碳化纳米石墨复合材料制备方法

[发明专利]MoO3纳米片修饰Ti3C2Tx复合材料及其制备方法-CN201610378848.7有效
发明人：鹿萧;朱建锋;王芬 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：MoO3纳米片修饰Ti3C2Tx复合材料及其制备方法，(1)将Ti3AlC2粉体完全浸入到体积分数为40％HF溶液中，处理得到Ti3C2Tx粉体；(2)称量四水钼酸铵和酒石酸完全溶解于水中，得到水溶液；(3)将粉体Ti3C2Tx粉体匀速加入水溶液中，得到均匀的悬浮液；(4)将悬浮液水热反应24小时；(5)将步骤(4)中所得到的粉体离心，水洗，醇洗，在真空干燥箱中干燥MoO3修饰Ti3C2Tx复合材料；借助于Ti3C2Tx的二维层状结构作为支撑，MoO3纳米片分布于片层表面、边缘和层间，分布于片层表面及边缘表面的纳米片多于层间；该材料成分可调性大，制备工艺简单、合成过程易于控制，拓宽了该复合材料在电极材料的应用范围
moo sub 纳米修饰 ti tx 复合材料及其制备方法

[实用新型]一种MXenes/AlN基深紫外探测器-CN202222133719.5有效
发明人：唐鑫;李国强;郑昱林 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种MXenes/AlN基深紫外探测器，由下至上依次包括硅衬底、Ti3C2Tx层状材料和AlN纳米柱阵列，所述Ti3C2Tx层状材料上设有第一金属电极；所述AlN纳米柱阵列上设有第二金属电极，Ti3C2Tx层状材料和AlN纳米柱阵列之间形成的高肖特基势垒。本实用新型AlN NRs在Ti3C2Tx上的范德华异质外延，构建了无需外部电源的肖特基型深紫外光电探测器，器件表现出很高的深紫外光响应度和极快的响应速度，并且具有优异的稳定性。
一种 mxenes aln 深紫探测器

[发明专利]一种MXenes上低维AlN材料制备方法及应用-CN202210972392.2在审
发明人：唐鑫;李国强;郑昱林 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明公开了MXenes上低维AlN材料制备方法及应用，包括，在Ti3C2Tx层状材料上制备得到AlN纳米柱阵列，Ti3C2Tx层状材料和AlN纳米柱阵列之间形成的高肖特基势垒。本发明AlN NRs在Ti3C2Tx上的范德华异质外延，构建了无需外部电源的肖特基型深紫外光电探测器，器件表现出很高的深紫外光响应度和极快的响应速度，并且具有优异的稳定性。
一种 mxenes 上低维 aln 材料制备方法应用

[发明专利]一种复合材料MoO3/Ti3C2Tx及其制备方法-CN201610378877.3有效
发明人：鹿萧;朱建锋;王芬 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：一种复合材料MoO3/Ti3C2Tx及其制备方法，(1)将Ti3AlC2粉体完全浸入到体积分数为40％的HF溶液中，处理得到粉体；(2)称量四水钼酸铵和酒石酸完全溶于水中得到水溶液；(3)将粉体Ti3C2Tx匀速加入到水溶液中；(4)所得的悬浮液离心，干燥；(5)将步骤(4)中所得到的粉体在氩气气氛下500‑600℃烧结，保温1‑2h，得到复合材料MoO3/Ti3C2Tx；借助于Ti3C2Tx的二维层状结构作为支撑，40‑70nm的MoO3颗粒分布于片层表面、边缘和层间，分布于表面及边缘的颗粒大于层间的颗粒；该材料成分可调性大，制备工艺简单、合成过程易于控制，拓宽了该复合材料在电极材料的应用范围。
一种复合材料 moo sub ti tx 及其制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条