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[发明专利]大块致密配比精确可控的Y₂Si₂O₇/ZrO₂陶瓷复合材料的制备方法-CN200810229127.5无效
发明人：周延春;孙子其;李美栓 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2008-11-28 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： C04B35/16 文献下载
摘要：本发明涉及Y2Si2O7/ZrO2陶瓷复合材料的制备技术，具体为一种大块致密配比精确可控的Y2Si2O7/ZrO2陶瓷复合材料的制备方法。该制备过程由两步组成：(1)先制备Y2Si2O7陶瓷粉末，以Y2O3和SiO2混合物为原料，制备单相Y2Si2O7陶瓷粉末；(2)再在Y2Si2O7陶瓷粉末中加入预定体积份数的氧化锆粉末；上述两种粉末混合后，经球磨混合均匀，再将粉末成型得到生坯进行无压烧结，烧结温度为1100～1600℃，烧结时间为0.5～2小时，烧结后得到致密的Y2Si2O7/ZrO2陶瓷复合材料，密度为理论密度的85～100％。本发明可以在无压烧结下制备出具有精确配比、高致密度的大块Y2Si2O7/ZrO2陶瓷复合材料。
大块致密配比精确可控 sub si zro 陶瓷复合材料制备方法

[发明专利]一种Mg-Al-Si系合金中Mg₂Si相的细化方法-CN201910899941.6在审
发明人：李德江;朱文杰;曾小勤;应韬 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种Mg‑Al‑Si系合金中Mg₂Si相的细化方法；在Mg‑Al‑Si系合金熔炼过程中，在必须的温度范围内，以Mg‑Ce中间合金形式添加0.1％‑0.8％的Ce元素，并经过一定时间的孕育和变质处理，有效细化了Mg‑Al‑Si系合金凝固析出Mg₂Si相。本发明提高了材料在室温和高温下的力学性能，合金的强度和塑性得到了明显提升；制得的Mg‑Al‑Si‑Ce合金不需经过后续热处理，合金中粗大的Mg₂Si相发生改性，尺寸显著减小，室温下抗拉强度达到
合金合金熔炼过程中间合金形式热处理析出变质处理合金凝固力学性能有效细化改性减小细化

[发明专利]一种单一相Mg2Si半导体薄膜的制备工艺-CN201210455881.7有效
发明人：谢泉;肖清泉;余宏;陈茜;张晋敏 -专利权人：贵州大学
申请日： 2012-11-14 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种单一相Mg2Si半导体薄膜的制备工艺，它包括以下过程：第一、Si衬底上蒸发沉积Mg膜,首先将Si片清洗干燥,将Si片固定在电阻热蒸发室上方的样品架上，Mg颗粒放置在蒸发坩埚内，进行蒸镀；第二、退火工艺，蒸镀完成后的Si片置于高真空退火炉中进行低真空氛围退火，最后制备出单一相Mg2Si半导体薄膜；解决了现有技术存在的实验条件苛刻，成本较高，难于工业化推广等缺点，以及采用电子束蒸发沉积工艺，在退火炉中退火过程中采用氩气氛围退火，有MgO氧化物等杂质的产生，最终影响Mg2Si的品质等问题。
一种单一 mg2si 半导体薄膜制备工艺

[发明专利]一种含Si的耐蚀镁合金及其制备方法-CN201910233490.2有效
发明人：杜军;韩帅;冉合迎 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： C22C23/00 文献下载
摘要：本发明属于镁合金的技术领域，公开了一种含Si的耐蚀镁合金及其制备方法。所述含Si的耐蚀镁合金包括以下按重量百分比计的成分：Sn 6～10％；Si 0.7～1％；RE 0.3～1％；Mg:余量；所述RE为Nd和/或Y。本发明还公开耐蚀镁合金的制备方法。本发明的耐蚀镁合金采用Nd、Y元素变质共晶Mg2Si相，改善共晶Mg2Si相形貌，使粗大的汉字状Mg2Si变为点状或棒状，且组织分布均匀，而且显著地提高了含Si镁合金的耐蚀性能。
一种 si 镁合金及其制备方法

[其他]氧氮化合物玻璃及其纤维-CN88103119无效
发明人：加田勝彦;大田昌昭;水口博义;小林润也 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 1988-05-27 - 公布日： 1988-12-07 - 主分类号： C03C6/00 文献下载
摘要：一种具有Si—M1—M2—O—N体系的氧氮化物玻璃，其含有的SiO2，Si3N4和M1O的mole％满足下列等式(a)和(b)(SiO2+3Si3N4+M1O)×100/(100+2Si3N4)＝65到小于100mole％……(a)(SiO2+3Si3N4)/M1O＝0.7到2.3……(b)(式中M1是Ca或Ca和Mg；M2是除Ca和Mg外的一种金属)其制备方法和用这种玻璃制成的纤维。
氮化玻璃及其纤维

[发明专利]氧氮化合物玻璃纤维-CN91111836.5无效
发明人：加田胜彦;大田昌昭;水口博义;小林润也 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 1988-05-27 - 公布日： 1994-11-23 - 主分类号： C03C13/00 文献下载
摘要：一种具有Si-M1-M2-O-N体系的氧氮化物玻璃，其含有的SiO2，Si3N4和M1O的mo1e％满足下列等式(a)和(b)(SiO2+3Si3N4+M1O)×100/(100+2Si3N4)＝65到小于100mole％……(a)(SiO2+3Si3N4)/M1O＝0.7到2.3……(b)(式中M1是Ca或Ca和Mg；M2是除Ca和Mg外的一种金属)其制备方法和用这种玻璃制成的纤维。
氮化玻璃纤维

[发明专利]氧氮化合物玻璃及其制备方法-CN88103119.4无效
发明人：加田勝彦;大田昌昭;水口博义;小林润也 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 1988-05-27 - 公布日： 1992-05-27 - 主分类号： C03C3/062 文献下载
摘要：一种具有Si-M1-M2-O-N体系的氧氮化物玻璃，其含有的SiO2，Si3N4和M1O的mole％满足下列等式(a)和(b)(SiO2+3Si3N4+M1O)×100/(100+2Si3N4)＝65到小于100mo1e％……(a)(SiO2+3Si3N4)/M1O＝0.7到2.3……(b)(式中M1是Ca或Ca和Mg；M2是除Ca和Mg外的一种金属)、其制备方法和用这种玻璃制成的纤维。
氮化玻璃及其制备方法

[发明专利]热浸镀Al－Zn－Si－Mg系钢板、表面处理钢板和涂装钢板-CN202180073450.1在审
发明人：吉田昌浩;平章一郎;大居利彦;岩野纯久;佐藤洋平;菅野史嵩;安藤聪 -专利权人：杰富意钢铁株式会社;JFE钢板株式会社
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C2/12 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种稳定地具有优异的耐腐蚀性的热浸镀Al‑Zn‑Si‑Mg系钢板。为了实现上述目的，本发明的具备镀覆被膜的热浸镀Al‑Zn‑Si‑Mg系钢板的特征在于，上述镀覆被膜具有含有Al：45～65质量％、Si：1.0～4.0质量％以及Mg：1.0～10.0质量％且剩余部分由Zn和不可避免的杂质构成的组成，上述镀覆被膜中的Si和Mg2Si的由X射线衍射法得到的衍射强度满足以下的关系(1)。Si(111)/Mg2Si(111)≤0.8……(1)。
热浸镀 al zn si mg 钢板表面处理

[实用新型]硅基蓝绿光LED的反光镜装置-CN201120265207.3有效
发明人：秦海滨;张志成;郭强;张彦伟 -专利权人：山西天能科技股份有限公司
申请日： 2011-07-26 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本实用新型硅基蓝绿光LED的反光镜装置，属于以Si作为衬底生长GaN基LED的技术领域；所要解决的技术问题是提供一种能够提高硅衬底上蓝绿光LED出光效率的反光镜结构；采用的技术方案为：至少一层Si层和至少一层SiO2层间隔设置，最底层为SiO2层，最顶层为Si层，GaN层设置在最顶层的Si层的上方；所述Si层的最小厚度为77.485nm～84.795nm，所述SiO2层的最小厚度为172.078nm～188.312nm；所述Si层的最小厚度为80.409nm，所述SiO2层的最小厚度为178.571nm；本实用新型利用GaN、Si和SiO2这几种不同材料的界面反射效应，减少衬底材料对蓝绿光的吸收，提高了LED的出光效率
蓝绿 led 反光镜装置

[发明专利]烧结软磁性粉末成形体-CN200880016716.3有效
发明人：宇之木贤一;山崎昭一;曾田裕二;福田方胜 -专利权人：三菱制钢株式会社
申请日： 2008-05-14 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01F1/22 文献下载
摘要：本发明提供一种烧结软磁性粉末成形体，其由含有Fe、44～50质量％的Ni和2～6质量％的Si的组成、或含有Fe、2～6质量％的Si的组成而构成，Si较多存在于颗粒间。
烧结磁性粉末成形

[发明专利]负极活性物质的制造方法-CN202211092873.0在审
发明人：原田正则;新村和宽;浦部晃太;山口泰弘;江口达哉;大泷光俊;吉田淳 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：该负极活性物质的制造方法具备：使Na源和Si源反应以制造含有Na和Si的Na‑Si合金的合金化工序，和对所述Na‑Si合金进行加热以使所述Na‑Si合金中的Na量减少而生成硅包合物II的硅包合物生成工序，作为所述Si源，使用BET比表面积为20m2/g以上的多孔质Si。
负极活性物质制造方法

[发明专利]一种基于Cr2-CN202111159998.6在审
发明人：张华年;张晗;孙硕;尚新新;杨富豪;王艳娟 -专利权人：台州同合激光科技有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01S3/098 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Cr2Si2Te6的可饱和吸收体及其制备方法，涉及光纤激光器技术领域，获得Cr2Si2Te6分散液，将所得Cr2Si2Te6分散液离心，得到Cr2Si2Te6纳米片分散液；步骤2、将步骤1所得Cr2Si2Te2Te6/PVA复合薄膜；本发明中基于Cr2Si2
一种基于 cr base sub

[发明专利]一种紫外/可见光响应的石墨烯/二氧化钛/Si基板及其制备方法-CN201910106035.6有效
发明人：程逵;易洋;张怡玮;龙小军;翁文剑 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外/可见光响应的石墨烯/TiO2/Si基板及其制备方法。该方法首先在重掺杂硅基板的抛光表面旋涂一层二氧化钛纳米点，再将单层石墨烯转移至TiO2/Si基板的TiO2表面使石墨烯与TiO2纳米点和Si基板均接触。单层石墨烯/Si基板之间形成肖特基结，对可见光响应良好；二氧化钛纳米点对紫外响应良好，三者复合的石墨烯/TiO2/Si基板对可见光和紫外光都能有很好的响应。易于制备的石墨烯/TiO2/Si三明治结构基板不仅能实现对紫外/可见光响应，更有望用于动态光致调控细胞行为。
一种紫外可见光响应石墨氧化 si 及其制备方法

[发明专利]易切削铜合金铸件及易切削铜合金铸件的制造方法-CN202080038596.8有效
发明人：大石恵一郎;须崎孝一;后藤弘树 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C22C9/04 文献下载
摘要：本发明的铜合金铸件以质量％计含有Cu：大于58.5％且小于65.0％、Si：大于0.40％且小于1.40％、Pb：大于0.002％且小于0.25％、P：大于0.003％且小于0.19％、作为可选元素的Bi：0.001％～0.100％，剩余部分由Zn及不可避免的杂质构成，Fe、Mn、Co、Cr的总量小于0.45质量％，Sn、Al的总量小于0.45质量％，具有56.0≤f1＝[Cu]‑5×[Si]+0.5×，还具有0.003＜f0＝[Pb]+[Bi]＜0.25的关系，金相组织的构成相具有20≤(α)≤80、18≤(β)≤80、0≤(γ)＜5、20×(γ)/(β)＜4、18≤(γ)1/2×3+(β)×(‑0.5×[Si]2+1.5×[Si])≤82、33≤(γ)1/2×3+(β)×(‑0.5×[Si]2+1.5×[Si])+([Pb]+[Bi])1/2×38+([P])1/2
切削铜合金铸件制造方法

[发明专利]发光元件与半导体发光装置及其制造方法-CN97193501.7无效
发明人：井上登美男;真田研一;小屋贤一;福冈康彦 -专利权人：松下电子工业株式会社
申请日： 1997-12-26 - 公布日： 1999-04-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：具有由在蓝宝石基板上形成GaN层等构成双重异构构造的GaN系LED元件1,以倒置状态搭载在硅基板上形成的Si二极管元件2上。GaN系LED元1件的p电极5和Si二极管元件2的n电极8之间,以及GaN系LED元件1的n电极6和Si二极管元件2的p电极7之间,分别通过Au微型凸柱11及12进行电连接,Si二极管元件2起从静电破坏中保护Si二极管元件2的背面电极9连接到引线框架13a上,Si二极管元件2的p电极7的连接焊盘部10通过Au引线17连接到另一引线框架13b上。
发光元件半导体装置及其制造方法