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[发明专利]全预制桥梁架桥机的桥墩柱施工方法及其过孔方法-CN201710858906.0有效
发明人：张志华;贾力锋;陈德利;代宇;王琪;程波;陈媛媛;陈永久;牛青林;李军超;张俊艳;白康;宋飞;宋鲁竞 -专利权人：郑州新大方重工科技有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： E01D21/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种全预制桥梁架桥机的桥墩柱施工方法及其过孔方法，a：架桥机横向移动到一侧，然后从架桥机后端喂入第Pn+3桥墩柱，并将其运至第Pn+3桥墩基处，先进行一侧的第Pn+3桥墩柱的架设；b：架桥机横向移动到另一侧，然后从架桥机后端喂入另一个第Pn+3桥墩柱，并将其运至第Pn+3桥墩基处，进行另一侧的第Pn+3桥墩柱的架设；c：等第Pn+3桥墩柱灌浆且达到强度要求后，架桥机横向移动到中线处，然后从架桥机后端喂入第Pn+3盖梁，将第Pn+3盖梁运至两个第Pn+3桥墩柱之间时，水平180°旋转第Pn+3盖梁并将其横跨架设安装在两个第Pn+3桥墩柱上；非常适合在城市周边，施工条件复杂，施工环境交通压力大的地方进行城市道路
预制桥梁架桥桥墩施工方法及其

[发明专利]一种高ESD的SBD二极管及其制备方法-CN202110555611.2有效
发明人：刘官超;刘峻成 -专利权人：深圳市联冀电子有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种高ESD的SBD二极管及其制备方法，包括正面金属场板，所述正面金属场板的底部靠近两侧位置均设置有场氧化层，所述场氧化层的内侧形成有肖特基结，且场氧化层的下方依次设置有一号PN结、二号PN结和三号PN结，所述一号PN结、二号PN结和三号PN结的环间距依次增加，所述一号PN结的环间距为3‑10um，所述二号PN结的环间距为5‑12um，所述三号PN结的环间距为8‑15um，所述一号PN结、二号PN结和三号PN结的上部均通过场氧化层覆盖有正面金属场板。
一种 esd sbd 二极管及其制备方法

[发明专利]扩展频谱通信系统的伪随机数发生器-CN01806042.0有效
发明人： P·J·布莱克;R·帕多瓦尼;小L·A·韦弗 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2001-01-31 - 公布日： 2003-07-02 - 主分类号： H04B1/707 文献下载
摘要：来自不同CDMA系统的扩展频谱信号使用不同组的PN序列、使用来自每个组与其它组中的PN序列不相关的PN序列进行扩展。通过使用不相关的PN序列，减少或最小化了检测来自不需要系统的导频的可能性，并且改进了来自所需要系统的导频信号捕获的平均时间。移动台会试图通过处理带有对应于所要捕获的特定扩展频谱信号的第一假设的第一组PN序列的接收信号来捕获导频信号。如果导频信号捕获失败，那么就选择对应于特定扩展频谱信号的第二假设的第二组PN序列并用这个序列处理接收的信号。在第二组中的PN序列与第一组中的PN序列是不相关的。可以根据由IS－95－A标准定义的特征多项式产生第一组中的PN序列，并且第二组中的PN序列是第一组中PN序列的反向。
扩展频谱通信系统随机数发生器

[发明专利]一种铸造纵列多结光伏电池-CN202110455918.5在审
发明人：高文秀;佐佐木实;赵百通;高向曈 -专利权人：宜兴市昱元能源装备技术开发有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了一种铸造纵列多结光伏电池，该光伏电池包括：电池基板，所述电池基板具有若干贯穿孔；晶硅pn结；禁带宽度为1.5～2.5eV的第二pn结，所述晶硅pn结位于所述电池基板与所述第二pn结之间；背面电极，所述背面电极通过填充在所述电池基板的贯穿孔中的导体与所述硅pn结电连接；以及，表面电极，所述表面电极与所述第二pn结电连接。该光伏电池的制备过程包括：用导体填充电池基板的贯穿孔的步骤；在电池基板上形成晶硅pn结的步骤；在晶硅pn结上形成第二pn结的步骤；形成背面电极和表面电极的步骤。
一种铸造纵列多结光伏电池

[发明专利]一种电感并联PN结电路的检测方法、装置、设备和介质-CN202111090303.3在审
发明人：江俭;张念东;陈帅;柴丁丁;李兰荣 -专利权人：北京星河泰视特科技有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本申请提供了一种电感并联PN结电路的检测方法、装置、设备和介质，所述方法包括：获取交流激励信号和标准电感并联PN结电路的第一输出信号的波形数据；其中，所述第一输出信号是在所述交流激励信号作为所述标准电感并联PN结电路的输入时，所述标准电感并联PN结电路的输出信号；将所述交流激励信号作为待测电感并联PN结电路的输入，得到所述待测电感并联PN结电路的第二输出信号；根据所述第一输出信号的波形数据与所述第二输出信号的波形数据的比对结果，生成所述待测电感并联PN结电路的质量提示信息；将所述待测电感并联PN结电路的质量提示信息发送至员工终端，以使所述员工终端显示所述待测电感并联PN结电路的质量提示信息。
一种电感并联 pn 电路检测方法装置设备介质

[发明专利]用于模拟解码测温数模转换器(DAC)的泄漏补偿-CN202210368482.0在审
发明人： F·布鲁格;W·米拉乔斯基;C·施罗尔斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H03M1/06 文献下载
摘要：一种将N位数字码转换为模拟输出电流的方法包括基于N位数字码将第一数目的PN结可切换地连接到正输出端子和将第二数目的PN结连接到负输出端子；以及基于N位数字码将多个附加PN结可切换地连接到正输出端子和负输出端子，包括基于N位数字码将第一数目的附加PN结连接到正输出端子并且基于N位数字码将第二数目的附加PN结连接到负输出端子，使得第一数目的PN结和第一数目的附加PN结的第一总和等于第二数目的PN结和第二数目的附加PN结的第二总和。
用于模拟解码测温数模转换器 dac 泄漏补偿

[发明专利]基于码分多址集群系统的同PN小区群的实现方法及系统-CN200910090135.0有效
发明人：曹金波 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2009-07-29 - 公布日： 2011-03-16 - 主分类号： H04W4/06 文献下载
摘要：本发明公开一种基于码分多址集群系统的同PN小区群的实现方法，包括：终端在同PN小区下发起集群呼叫，基站系统判断集群呼叫对应的所有用户所涉及的扇区集中存在同PN小区，且基站系统已为所述同PN小区组建立信道资源，则基站系统保持集群呼叫；基站系统判断集群呼叫对应的所有用户所涉及的扇区集中存在同PN小区，且基站系统没有为所述同PN小区组建立信道资源，则基站系统为所述同PN小区组建立信道资源并保持集群呼叫。本发明还相应地公开了一种同PN小区群的实现系统，由于本发明将同PN小区技术应用于码分多址集群业务，从而降低了码分多址集群业务的的系统切换频率，能够避免发生掉话。
基于码分多址集群系统 pn 小区实现方法

[发明专利]一种基于多载波DTMB信号的PN序列目标探测处理方法-CN201611241561.6有效
发明人：万显荣;方高;易建新;谢锐;张勋 -专利权人：武汉大学
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： G01S7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多载波DTMB信号的PN序列目标探测处理方法，包含：步骤一、对雷达接收到的DTMB信号利用本地已知的PN序列进行PN模式识别和同步运算，提取DTMB信号中的PN序列并补偿频偏；步骤二、利用本地已知的PN序列对步骤一处理得到的PN序列进行多径杂波干扰抑制；步骤三、对步骤二处理后的PN序列进行相干积累，即相干叠加、匹配滤波，然后再进行后续的目标检测与跟踪等处理。本发明利用已知的PN序列信号进行目标探测，使得外辐射源雷达接收系统不需额外的参考通道，同时还利用了PN序列信号特征优化了杂波抑制和相干积累的算法，降低了计算量，提高了目标探测性能，且更容易在工程上实现，
目标探测多载波相干雷达接收系统参考通道雷达接收模式识别目标检测匹配滤波实测结果同步运算相干叠加信号探测信号特征杂波干扰杂波抑制辐射源计算量多径频偏算法积累验证跟踪优化

[发明专利]一种用于制作芯片的双台面硅片-CN201110316549.8无效
发明人：潘建英;伍林;张海金 -专利权人：宜兴市环洲微电子有限公司
申请日： 2011-10-18 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制作芯片的双台面硅片，包括硅片（1），所述硅片（1）的正面和背面分别设有正面PN结（2）和背面PN结（3），其中硅片（1）的正面间隔设置有分隔正面PN结（2）的正面PN结隔离槽（4），硅片（1）的背面间隔设置有分隔背面PN结（3）的背面PN结隔离槽（5）；所述相邻正面PN结隔离槽（4）之间的间距与相邻背面PN结隔离槽（5）之间的间距不等。本发明通过设置间距大小皆不同的PN结隔离槽，使硅片厚度最小处的距离加大，降低了硅片在生产过程中的碎裂几率，在降低双台面硅片制造难度的同时提高了产品的合格率；产品的结构简单、生产成本低、合格率高且单晶缺陷低
一种用于制作芯片台面硅片

[实用新型]一种用于制作芯片的双台面硅片-CN201120396919.9有效
发明人：潘建英;伍林;张海金 -专利权人：宜兴市环洲微电子有限公司
申请日： 2011-10-18 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于制作芯片的双台面硅片，包括硅片（1），所述硅片（1）的正面和背面分别设有正面PN结（2）和背面PN结（3），其中硅片（1）的正面间隔设置有分隔正面PN结（2）的正面PN结隔离槽（4），硅片（1）的背面间隔设置有分隔背面PN结（3）的背面PN结隔离槽（5）；所述相邻正面PN结隔离槽（4）之间的间距与相邻背面PN结隔离槽（5）之间的间距不等。本实用新型通过设置间距大小皆不同的PN结隔离槽，使硅片厚度最小处的距离加大，降低了硅片在生产过程中的碎裂几率，在降低双台面硅片制造难度的同时提高了产品的合格率；产品的结构简单、生产成本低、合格率高且单晶缺陷低
一种用于制作芯片台面硅片

[实用新型]一种基于pn结的吸光型空气净化系统-CN201620064199.9有效
发明人：刘富德;郑大伟 -专利权人：广州道动新能源有限公司
申请日： 2016-01-22 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： F24F1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于pn结的吸光型空气净化系统，包括由p-型半导体和n-型半导体构成的pn结，以及用于为pn结提供光子的光源，所述pn结与光源之间构成用于空气穿过的空气通道，所述光源发出的光子被pn结吸收，在pn结中产生大量电子空穴对，电子空穴对在pn结的作用下产生分离，电子聚集到n-型半导体侧，空穴聚集在p-型半导体侧。当空气中的有机分子或病毒与富集空穴的p-型半导体接触时就会被氧化降解，另外在n-型半导体聚集的电子也会起到还原降解作用，从而到达净化空气的目的，同时能够充分发挥pn结的优点，促进载流子分离，减少载流子复合机率，从而提升在pn结表面降解污染物的效率。
一种基于 pn 吸光型空气净化系统

[实用新型]一种稳压集成电路-CN201821162905.9有效
发明人：王占祥;吴国林 -专利权人：上海芯鸿电子科技有限公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：本实用新型公开一种稳压集成电路，应用于集成电路设计，包括：至少四个PN结二极管，分别为第一PN结二极管、第二PN结二极管、第三PN结二极管以及第四PN结二极管，所述第一PN结二极管、第二PN结二极管、第三PN结二极管以及第四PN结二极管首尾相接、依次串联形成2.8‑3.6V的稳压输出范围以降低线路上的电流。
稳压集成电路本实用新型集成电路设计应用电路设计首尾相接稳压输出依次串联降压型灯串集成电路串联

[发明专利]在电信系统中为多个用户信道产生PN序列的发射机、接收机和方法-CN99812651.9无效
发明人： G·梅斯贝格;G·胡尔曼－波罗;H·罗伊施纳 -专利权人：艾利森电话股份有限公司
申请日： 1999-08-24 - 公布日： 2003-12-24 - 主分类号： H04L1/24 文献下载
摘要：在以时隙方式处理多个用户信道的电信系统里，通过只使用一个PN发生器(T-PN)和一个状态存储器(ISM)，发射机和接收机可以对多个用户信道进行误码率测量。当检测到相应的时隙结束的时候，将这个时候在PN发生器(T-PN)中的相位状态信息存入状态存储器(ISM)，以便供随后的帧中同一时隙开始时初始化PN发生器(T-PN)使用。这样，一个PN发生器(T-PN)足以产生大量用户信道的PN序列。
电信系统用户信道产生 pn 序列发射机接收机方法

[发明专利]用于空中链路通信的基于伪随机噪声码的寻址方法、计算机可读媒体和设备-CN201510315832.7在审
发明人：拉贾特·普拉卡什;保罗·E·本德;加文·伯纳德·霍恩;费丝·乌卢皮纳尔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2007-06-07 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H04L29/12 文献下载
摘要：对于AP与AT之间经由空中链路的通信，将使用基于PN(伪随机噪声)码的地址作为AP识别符，例如地址。所述基于PN码的地址可基于从AP接收的基于导频PN码的信号。因此，所述基于PN的AP地址可从自AP接收的导频信号确定。所述基于PN的AP地址可为对应于AP的PN码的缩短型式、对应于AP的完全PN码，或可用已知方式从对应于AP的PN码导出的值。
用于空中通信基于随机噪声寻址方法计算机可读媒体设备

[发明专利]一种半导体器件PN结形貌表征方法-CN202210111311.X在审
发明人：苏新亭;孙纶谦;杨帅;张洋 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件PN结形貌表征方法，先采用手动研磨的方法对晶圆的剖面进行研磨抛光，再采用聚焦离子束切割的方法在剖面上形成暴露出PN结的凹槽，最后对PN结进行形貌表征。本发明的半导体器件PN结形貌表征方法减少了手动研磨过程中砂纸的消耗，降低了成本；再利用聚焦离子束切割方法快速形成暴露出PN结的凹槽，提高了工作效率；最后对PN结所在的凹槽进行染色，凹槽的设置，增加了染色液与晶圆的接触面积，使得染色液与PN结充分反应，即PN结形貌的表征效果更佳。
一种半导体器件 pn 形貌表征方法