专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]车辆的控制装置-CN201180067376.9有效
  • 海田启司;天野正弥;干场健;鉾井耕司;平泽崇彦;吉见政史 - 丰田自动车株式会社
  • 2011-02-14 - 2013-10-16 - F16H61/12
  • ECU(800)包括异常判定部(810)、停止确保判定部(820)、系统起动部(830)。异常判定部(810)在车辆的驱动系统处于停止时判定是否发生了在来自换档位置传感器的换档信号中除了与P档位对应的P信号及MJ信号之外还包含P除信号及MJ信号之外的异种信号的P档位异常。停止确保判定部(820)在发生了P档位异常的情况下,基于是否处于制动接通状态(液压制动力或停车制动力超过能够维持停车状态的值的状态)来判定是否能够确保停车状态。系统起动部(830)在发生了P档位异常的情况下,在停止确保判定部(820)判定为能够确保停车状态时容许驱动系统的起动。
  • 车辆控制装置
  • [发明专利]具有提高的缓冲击穿电压的HEMT-CN201180050701.0有效
  • S·巴尔;C·布鲁卡 - 美国国家半导体公司
  • 2011-07-31 - 2016-11-02 - H01L29/778
  • 通过在p型Si衬底(210)中形成n阱(232,820),使其直接位于III‑N族HEMT(200,800,1300)的金属漏区(254,844)下,显著地提高p型Si衬底(210)上的III‑N族HEMT所述的n阱(232,820)形成p‑n结,其在击穿期间变为反向偏置,从而将所述的缓冲击穿提高了所述p‑n结的反向偏置击穿电压并允许所述的衬底(210)接地。所述的III‑N族HEMT(800)的缓冲层(824)还可包括与所述的n阱(820)对准的n型区域(822),且所述的III‑N族HEMT(1300)的缓冲层(824)还进一步包括p型区域(1316),
  • 具有提高缓冲击穿电压hemt
  • [外观设计]吊灯(D820-CN201930576169.5有效
  • 莫沛洪 - 莫沛洪
  • 2019-10-22 - 2020-04-24 - 26-05
  • 1.本外观设计产品的名称:吊灯(D820)。2.本外观设计产品的用途:照明。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图。5.俯视图无设计要点,故省略俯视图。
  • 吊灯d820

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