专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]MPEG-2到H.264码的快速转换方法-CN200710023477.1无效
  • 方怀东;柳翀;鹿宝生;严肃;陈启美 - 南京大学
  • 2007-06-05 - 2007-11-07 - H04N7/26
  • MPEG-2到H.264码的快速转换方法,利用H.264的宏块模式选择与MPEG-2运动补偿残差间的相关性,将H.264宏块模式的选择转化为数据分类,利用MPEG-2解码得到的运动补偿残差、MB模式、编码块模式(CBPC)直接映射成H.264的宏块模式;在MPEG-2码解码时,保存相关的MB信息,包括MB编码模式、编码块类型(CBPC)、MB残差的均值和方差,解码后采用标准的H.264编码器对YUV图像编码,并保存H.264MB编码模式,采用机器学习算法得到决策树,用于H.264编码模式的分类;得到决策树的方法是,用决策树分类原则决策树生成原则进行。
  • mpeg264快速转换方法
  • [发明专利]一种MB8镁合金表面处理方法-CN200610089596.2无效
  • 张鹏;杜云慧;刘汉武 - 北京交通大学
  • 2006-07-05 - 2007-01-24 - C25D11/30
  • 本发明公开了一种MB8镁合金表面处理方法,它在MB8镁合金电化学表面处理领域中,利用由调压器控制的电压为50~61V的工频交流电源,在用自来水配置的含氟化钾1051~1200g/L、氢氧化钾371~400g/L的碱性处理液中,对MB8镁合金工件进行90~120秒的交流等离子体微弧氧化处理,使MB8镁合金工件表面原位生长出15~35μm厚、组织均匀而完整的陶瓷层,在保证MB8镁合金表面处理质量的前提下,缩短了表面处理时间
  • 一种mb8镁合金表面处理方法
  • [发明专利]物理量传感器及惯性测量装置-CN202310323613.8在审
  • 木暮翔太 - 精工爱普生株式会社
  • 2023-03-28 - 2023-10-17 - G01P15/125
  • 物理量传感器(1)包括基板(2)、第一固定部(40)、第二固定部(80)、第一支承梁(42)、第二支承梁(82)、第一可动体(MB1)、第二可动体(MB2)、以及屏蔽部(S)。第一可动体(MB1)设置为可以以沿着第二方向(DR2)的第一旋转轴为中心相对于基板(2)进行摆动。第二可动体(MB2)设置为可以以沿着第二方向(DR2)的第二旋转轴为中心相对于基板(2)进行摆动。屏蔽部(S)在第一可动体(MB1)和第二可动体(MB2)之间沿着第一方向(DR1)设置。
  • 物理量传感器惯性测量装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201410652795.4有效
  • 南川智宏 - 瑞萨电子株式会社
  • 2014-11-17 - 2019-02-26 - H01L31/12
  • 使用于半导体继电器的半导体装置构成为,具备形成于第1半导体岛区域的第1二极管、形成于第2半导体岛区域的第2二极管、覆盖第2半导体岛区域的遮光膜(多晶硅膜PS2)和将第1二极管与第2二极管电连接的配线Mb并且,配线Mb配置成横越包围第2半导体岛区域的氧化硅膜OX的上方。另外,遮光膜位于配线Mb的下方,在与配线Mb的重叠区域具有缺口部N。这样,通过设置缺口部N,遮光膜的端部(线L1、线L2)错开配置。由此,能防止由于氧化硅膜OX上的凹部与遮光膜的阶梯而导致在配线Mb的整个宽度形成深凹部(G),能防止配线Mb的断线。
  • 半导体装置

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