“itio”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种提高透明导电氧化物ITiO薄膜性能的方法-CN201510861315.X在审
发明人：张津燕;郁操;龙巍;蓝仕虎 -专利权人：福建铂阳精工设备有限公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于太阳电池领域，具体涉及一种提高太阳能电池用透明导电氧化物ITiO薄膜性能的方法。本发明方法，包括以下步骤：a、ITiO薄膜沉积前预处理：将沉积设备抽真空；b、ITiO薄膜沉积：将镀膜基板放入a步骤抽真空后的沉积设备中，采用溅射法沉积ITiO薄膜，溅射的同时通入辅助性气体；c、ITiO薄膜沉积后处理：将b步骤沉积得到的ITiO薄膜在150～300℃下进行退火处理，即得提高后的透明氧化物ITiO薄膜。
一种提高透明导电氧化物 itio 薄膜性能方法

[发明专利]一种改善透明导电氧化物ITiO薄膜性能的方法-CN201510861183.0在审
发明人：郁操;杨苗;龙巍;易志凯;张津燕 -专利权人：福建铂阳精工设备有限公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明属于太阳电池领域，具体涉及一种改善太阳能电池用透明导电氧化物ITiO薄膜性能的方法。本发明方法，包括以下步骤：a、ITiO薄膜沉积前预处理：在沉积设备中通入背景气体，大于20min后停止通入背景气体，将沉积设备抽真空；b、ITiO薄膜沉积：将镀膜基板放入a步骤抽真空后的沉积设备中，采用溅射法沉积ITiO薄膜；c、ITiO薄膜沉积后处理：将b步骤沉积得到的ITiO薄膜在150～300℃下进行退火处理，即得改善后的透明氧化物ITiO薄膜。
一种改善透明导电氧化物 itio 薄膜性能方法

[发明专利]ITiO旋转靶材及其制备方法-CN202010116105.9在审
发明人：甘志俭;庄志杰;诸斌;庄猛;杨斌 -专利权人：基迈克材料科技（苏州）有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种ITiO旋转靶材及其制备方法。ITiO旋转靶材的制备方法包括如下步骤：按照质量份数，将90份～99.5份的In2O3纳米粉体、0.5份～10份的TiO粉体；将ITiO粉体装入模具中，使用冷等静压成型，得到旋转靶材素坯；以及将旋转靶材素坯进行烧结，退火之后得到ITiO旋转靶材。经试验证明，本发明的上述ITiO旋转靶材的制备方法制备得到ITiO旋转靶材的相对密度≥98％，ITiO旋转靶材的电阻率≤4.0×10‑4Ω·cm，因此，通过上述ITiO旋转靶材的制备方法能够得到致密度和导电性良好的高性能ITiO旋转靶材。
itio 旋转及其制备方法

[发明专利]一种ITiO靶材的制备方法-CN201310669031.1有效
发明人：黄誓成;何建进;陆映东 -专利权人：广西晶联光电材料有限责任公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种靶材的制备方法，特别是一种高性能ITiO靶材的制备方法。包括以下步骤：（1）将TiO₂纳米粉体与In₂O₃纳米粉体均匀球磨混合得到ITiO粉体，ITiO粉体中TiO₂的含量为0.5-5wt%，然后添加ITiO粉体质量1%-5%的粘结剂PVA；（2）将ITiO粉体装入模具中在40-80MPa下压制成型，将第一次成型的素坯，再用200-300MPa进行二次成型，然后以4-8MPa将素坯放在烧结炉中进行烧结，烧结条件是指以不高于1℃/min的升温速率升温，至1450～1550℃保温烧结6～12小时，之后按降温速率0.75～1℃/min降温至950-1050℃，之后自然降温；得到ITiO该方法可制备得到高性能ITiO靶材（高致密度、相对密度>98%，导电性良好，靶材电阻率<4.0x10^-4Ω•cm），弥补国内高性能ITiO靶材生产制作的空白。
一种 itio 制备方法

[发明专利]固体高分子形燃料电池的分隔件用钛材料、分隔件、及固体高分子系燃料电池-CN201580031156.9在审
发明人：今村淳子;德野清则;香川琢;木本雅也;正木康浩 -专利权人：新日铁住金株式会社
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01M8/0202 文献下载
摘要：表面氧化皮膜的X射线衍射强度曲线中，由TiO的衍射峰的最大强度ITiO和金属Ti的衍射峰的最大强度ITi求出的ITiO/(ITi+ITiO)×100为0.5％以上。
固体高分子燃料电池分隔件用钛材料

[发明专利]表面具有导电性的钛材料或钛合金材料及其制造方法、以及使用其的燃料电池分隔件和燃料电池-CN201580004830.4有效
发明人：高桥一浩;香川琢;木本雅也;今村淳子;徳野清则;黑田笃彦 -专利权人：新日铁住金株式会社
申请日： 2015-01-22 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01M8/0228 文献下载
摘要：本发明为钛材料或钛合金材料，对于形成于钛或钛合金的表面的氧化覆膜，在以相对于表面的入射角度为0.3°测定得到的X射线衍射中，由TiO的X射线衍射峰的最大强度(ITiO)和金属钛的X射线衍射峰的最大强度(ITi)求出的TiO的构成率(ITiO/(ITi+ITiO))×100为0.5％以上。
表面具有导电性材料钛合金及其制造方法以及使用燃料电池分隔

[发明专利]一种用于晶体硅异质结太阳电池的透明导电氧化物薄膜的制备方法-CN201711481430.X在审
发明人：张闻斌;黄海宾;李杏兵;王月斌;王磊;徐昕;彭德香 -专利权人：中智(泰兴)电力科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于晶体硅异质结太阳电池的透明导电氧化物薄膜的制备方法，包括：以氩气、氢气和氧气为反应气体，采用磁控溅射法沉积氧化铟钛ITiO薄膜；其中，磁控溅射法沉积的工艺参数为：沉积功率密度为1.5～所得ITiO薄膜的载流子迁移率为20～100cm2/Vs，电阻率为2～10*10‑4Ω·cm，透射率不低于88％，产品均匀性、稳定性好，沉积速率快可满足高速率生产的需要；可用于晶体硅异质结太阳电池的大规模生产
异质结太阳电池晶体硅沉积透明导电氧化物薄膜磁控溅射法制备薄膜载流子迁移率氩气沉积功率反应气体氧化铟钛转换效率氢气电阻率均匀性透射率可用氧气生产

[实用新型]一种晶体硅异质结太阳电池结构-CN201820674074.7有效
发明人：彭德香;徐昕;周浪;黄海宾;刘超;任栋梁;吴小元;何学勇;汤波;江超 -专利权人：中智（泰兴）电力科技有限公司
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶体硅异质结太阳电池结构，在制绒的n型晶体硅片的一面或两面依次沉积本征非晶硅基薄膜、掺杂非晶硅薄膜、氧化铟钛ITiO薄膜。
异质结太阳电池晶体硅本实用新型沉积掺杂非晶硅薄膜本征非晶硅结构均匀性氧化铟钛转换效率基薄膜良品率制绒薄膜生产

[实用新型]一种晶体硅异质结太阳电池结构-CN201721902869.0有效
发明人：张闻斌;黄海宾;李杏兵;王月斌;王磊;徐昕;彭德香 -专利权人：中智(泰兴)电力科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶体硅异质结太阳电池结构，在制绒的n型晶体硅片的一面或两面依次沉积本征非晶硅基薄膜、掺杂非晶硅薄膜、氧化铟钛ITiO薄膜。
异质结太阳电池晶体硅本实用新型沉积掺杂非晶硅薄膜本征非晶硅结构均匀性氧化铟钛转换效率基薄膜良品率制绒薄膜生产

1
共 9 条