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[发明专利]一种基于HTCC工艺的三维垂直互联结构及其制备方法-CN202210992158.6在审
发明人：戴玮明;李广坤;张景龙;王忠军;贺亮 -专利权人：株洲艾森达新材料科技有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及于微波毫米波及太赫兹技术领域，具体为一种基于HTCC工艺的三维垂直互联结构及其制备方法，包括顺次堆叠或面对面堆叠有HTCC衬底顶层电路、HTCC衬底上介质层、HTCC衬底中间层电路、HTCC衬底下介质层以及HTCC衬底底层电路的HTCC衬底。该基于HTCC工艺的三维垂直互联结构及其制备方法，通过采用粘结材料实现芯片之间的粘接固定，环绕在贯穿于晶圆或芯片叠层内微型导电柱外的导电环，实现了晶圆间、以及晶圆或芯片内微电子器件之间的电互联，以及采用了HTCC工艺层进行基板组、信号传输通孔和屏蔽通孔的制备，使得整个结构具有机械强度高、工艺成熟、简单等技术优势。
一种基于 htcc 工艺三维垂直联结及其制备方法

[发明专利]一种采用模块气密架构的Ka频段天线-CN202310293189.7在审
发明人：伍海林;叶勇;张雨豪;王小伟;张磊;孙成杰;赵伟;吴凤鼎 -专利权人：成都雷电微力科技股份有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本发明涉及相控阵天线技术领域，具体涉及一种采用模块气密架构的Ka频段天线，包括安装基板；若干HTCC板块，HTCC板块在安装基板的两侧面分布，每块HTCC板块上设置若干密封区域，密封区域通过密封组件进行覆盖密封；HTCC板块上还设置有连接电路；天线模块，设置于安装基板上并通过HTCC板块上的连接电路连通芯片。本发明通过密封区域单独密封设置芯片，通过HTCC板块直接形成连接电路以连接天线模块和芯片，提高了集成度，减少了整体尺寸，也简化了生产加工工艺，且能够将HTCC板块进行拆卸检修，提高了检修的便利性，便于有效保障天线的使用稳定和可靠
一种采用模块气密架构 ka 频段天线

[发明专利]一种HTCC双波束瓦片式气密SIP模块-CN202210505953.8有效
发明人：崔玉波;曹磊;袁向秋 -专利权人：成都锐芯盛通电子科技有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01Q23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种HTCC双波束瓦片式气密SIP模块，包括SIP载板、HTCC基板和SIP盖板，SIP载板与HTCC基板的底面连接，SIP盖板与HTCC基板的顶面连接，HTCC基板的顶面上设置有多个第一单元和多个双波束多功能芯片单元，第一单元包括四个第一射频连接器，第一射频连接器的第一端用于与SIP模块外部的天线单元连接，第一单元内的四个第一射频连接器在HTCC基板的顶面上排列构成第一矩形，第一矩形围设的区域内均设有一个双波束多功能芯片单元本发明实现了高集成度的基于HTCC的双波束瓦片式气密SIP模块。
一种 htcc 波束瓦片气密 sip 模块

[发明专利]HTCC基板薄膜多层布线的制作方法-CN202210125543.0在审
发明人：黄陈欢;徐浩然;孙函子;姚艺龙;高磊;车江波;马涛 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十三研究所
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种HTCC基板薄膜多层布线的制作方法，主要步骤有：S1、提供HTCC基板，抛光、清洗并高温真空热处理所述HTCC基板；S2、在所述HTCC基板的表面形成第一金属布线层；S3、在所述第一金属布线层的表面形成第一绝缘介质层；S4、重复步骤S2‑S3至少4次，在HTCC基板表面完成不低于5层的薄膜多层布线。该制作方法可实现5层以上金属布线，解决了HTCC基板因烧结收缩带来的金属层对位问题，良品率高，成品金属布线的线宽/线间距最小达到20μm/20μm。
htcc 薄膜多层布线制作方法

[实用新型]一种基于双面HTCC金属陶瓷腔体的烧结夹具-CN202123417243.X有效
发明人：王杰;何川;付江蔚 -专利权人：成都亚光电子股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于双面HTCC金属陶瓷腔体的烧结夹具，涉及芯片封装技术领域，包括HTCC陶瓷腔体、上封盖、下封盖、第一夹板和第二夹板，HTCC陶瓷腔体的一侧面形成有若干个第二挖槽，HTCC陶瓷腔体与第二挖槽相对的另一侧面焊接有可伐围框边沿，可伐围框边沿与HTCC陶瓷腔体围成若干个第一挖槽；上封盖、HTCC陶瓷腔体和下封盖相互焊接以形成封装体；第一夹板和第二夹板具有夹紧状态，在夹紧状态，封装体夹持于第一夹板和第二夹板之间。本公开通过使得上封盖、HTCC陶瓷腔体和下封盖相互焊接以形成封装体，再通过第一夹板和第二夹板将上述封装体夹紧，使得封装体中的上封盖、下封盖与HTCC陶瓷腔体之间焊缝得到压缩，以保证金属屏蔽室的气密性。
一种基于双面 htcc 金属陶瓷烧结夹具

[发明专利]一种高集成度全密封立体贴装的电路集成组装工艺-CN202110485823.8在审
发明人：贾子奇;于长存;王夏莲 -专利权人：北京七星华创微电子有限责任公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H05K3/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种高集成度全密封立体贴装的电路集成组装工艺，属于电路组装技术领域；其包括以下步骤：S1：导体图案印刷；S2：HTCC基片烧结：将印刷有导体图案的陶瓷生坯添加4～8％的烧结助剂然后多层叠合，置于氢气环境中进行烧结从而制成多层互连的HTCC基片；S3：电器元件焊接：HTCC基片正面集成芯片和电阻电容，背面集成电感、电阻和电容，HTCC基片还设有用于铺设大片的功率地，信号地，输入与输出的中间层；S4：制作外壳，用来承装HTCC基片；S5：将HTCC基片安装进外壳中进行封装。
一种集成度密封立体电路集成组装工艺

[发明专利]一种内埋热源器件复合散热结构的制作方法-CN202310258333.3在审
发明人：李春泉;陈启;阎德劲;张彪;尚玉玲;成鹏琳;黄红艳;张明 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种内埋热源器件复合散热结构的制作方法，在此方法中提出一种LTCC‑HTCC‑LTCC的复合结构，并提供该结构的制作工艺，属于微机械制造技术领域。该结构自上而下由：表面带空腔的LTCC盖板(1)，热源(2)，HTCC中间层(3)，内嵌微流道的LTCC底板(4)组成。本发明在结构上采用高导热性的HTCC作为中间层，以便热源的热量能够快速传递至HTCC基板，同时LTCC底板直接与HTCC基板相连，有效提高换热效率。在制作工艺上,利用HTCC基板低温烧结过程中不软化、不塌陷，能给予腔体顶层一定支撑的特点，有效降低LTCC表面腔体的变化，最终达到增强散热的目的。
一种热源器件复合散热结构制作方法

[发明专利]壳聚糖聚合物用于治疗和预防冠状病毒引起的感染的用途-CN201380025825.2在审
发明人：克日什托夫·彼拉斯;亚历山德拉·米卢斯卡;玛丽娅·诺娃柯斯卡;克日什托夫·斯库巴拉卡;卡米拉·卡明斯基 -专利权人：积克隆斯基大学
申请日： 2013-05-16 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： A61K31/722 文献下载
摘要：式（I）的壳聚糖聚合物HTCC和HM-TCC，其中R选自H，COCH₃（HTCC）或选自H，COCH₃，C₁₂H₂₅（HM-HTCC），具有用于治疗和预防冠状病毒引起的感染的用途。
聚糖聚合物用于治疗预防冠状病毒引起感染用途

[发明专利]基于HTCC的K波段射频微系统三维收发组件-CN202210515104.0有效
发明人：疏世玮;李潇洒;赖丘亮 -专利权人：石家庄烽瓷电子技术有限公司
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L23/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于HTCC的K波段射频微系统三维收发组件，涉及射频微系统封装技术领域。所述组件包括金属底座、多层HTCC基板、可伐围框、射频芯片模块和平行封焊盖板；所述射频芯片模块通过导电胶粘接在多层HTCC基板上的腔室内；所述可伐围框焊接在多层HTCC基板上方并在中心位置留有阶梯型底座用于安装焊接SSMP接头；所述可伐围框与平行封焊盖板平行封焊连接；所述多层HTCC基板放置在金属底座上通过共晶焊料焊接在一起；所述pin针焊接在多层HTCC基板上；本发明相比于传统的pcb构成的组件走线密度更高，同时具有良好的热导率
基于 htcc 波段射频系统三维收发组件

[发明专利]一种高精度孤立凸台型结构HTCC基板制造方法-CN201510802375.4在审
发明人：庞学满;龚锦林;曹坤;陈宇宁 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本发明是一种高精度孤立凸台型结构HTCC基板的制造方法，利用多层陶瓷共烧工艺，选用适合HTCC工艺的生瓷带为基材，钨作为金属化材料，采用隔垫马兰膜以及无缝拼接叠片层压方法，所制作孤立凸台型结构HTCC基板可以实现外凸台加工精度为 ±0.10mm，并且确保上下层位置偏移小于0.20mm，确保层与层之间互连布线关系，确保HTCC
一种高精度孤立凸台型结构 htcc 制造方法

[发明专利]一种基于HTCC的超宽带毫米波垂直互联结构-CN202111233025.2有效
发明人：姚剑平;孙科;杨秀强;杨先国;李庆东;李硕友;杨飞 -专利权人：成都西科微波通讯有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01P5/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于HTCC的超宽带毫米波垂直互联结构，属于射频互联技术领域。包括HTCC衬底和PCB母板；HTCC衬底和PCB母板上依次串联有由第一共面波导、第一类同轴、第一带状线、第二类同轴、第二带状线以及第二共面波导形成的传输子结构。本发明对采用HTCC作衬底材料的SIP，提供一种基于成熟HTCC工艺技术的超宽带毫米波垂直互联结构，该射频垂直互联结构实现了工作频率高、工作频段宽、插入损耗低等优良的电特性，且满足易于加工、可靠性高等特点
一种基于 htcc 宽带毫米波垂直联结

[发明专利]一种基于HTCC垂直过渡的TR模块结构-CN202311170588.0在审
发明人：李力力;彭英;乐国滔;王洪全;尹小龙 -专利权人：成都华兴大地科技有限公司
申请日： 2023-09-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01R13/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基于HTCC垂直过渡的TR模块结构。TR模块腔体正面设置射频芯片、射频供电板等模块常用分部件，并通过盖板密封；TR模块背面设置低频供电控制板。TR模块背面低频供电控制板和正面射频供电板通过HTCC垂直过渡结构互连。HTCC垂直过渡结构采用高温共烧多层陶瓷工艺（HTCC），垂直过渡结构层数和厚度根据TR模块实际设计而定。HTCC垂直过渡结构顶层和底层设置有焊盘，分别通过金丝键合方式与背面低频供电控制板和正面射频供电板互连。HTCC垂直过渡结构各个同属性焊盘通过多层陶瓷工艺内部过孔和走线实现互连。
一种基于 htcc 垂直过渡 tr 模块结构

[发明专利]一种6-O-季铵化壳聚糖-超氧化物歧化酶修饰物及其制备-CN201410610157.6在审
发明人：刘纯慧;许玲华;王凤山;宋春霞;曹吉超 -专利权人：山东大学
申请日： 2014-11-03 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： C12N9/96 文献下载
摘要：本发明涉及一种6-O-季铵化壳聚糖-超氧化物歧化酶修饰物及其制备，所述修饰物由SOD分子上的羧基与O-HTCC分子的氨基通过酰胺键结合；一分子O-HTCC分子与1～10分子SOD结合。本发明所述的O-HTCC-SOD修饰物与天然SOD相比，保留了SOD分解超氧阴离子的活性，整合了O-HTCC的良好特性，使其具有稳定性高、半衰期长、免原性低的特性；与TMC相比，O-HTCC修饰SOD的效率更高
一种季铵化壳聚糖超氧化物歧化酶修饰及其制备

[实用新型]一种基于HTCC的Ku波段集成封装微波组件-CN202122103234.7有效
发明人：孙科;姚剑平;杨秀强;张意;廖志雄;李硕友 -专利权人：成都西科微波通讯有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于HTCC的Ku波段集成封装微波组件，属于微波通讯电子器件技术领域，包括柯伐金属围框、射频芯片模块、多层HTCC电路片、激光封焊盖板、平行封焊盖板和数字芯片模块；所述射频芯片模块与多层HTCC电路片共晶连接；所述柯伐金属围框与多层HTCC电路片焊接；所述柯伐金属围框与平行封焊盖板平行封焊连接；所述柯伐金属围框与激光封焊盖板激光封焊连接；所述多层HTCC电路片与数字芯片模块共晶连接；本实用新型提供的集成封装微波组件弥补了传统有机基板在高频混频集成电路中使用的缺陷
一种基于 htcc ku 波段集成封装微波组件

[发明专利]一种高导热散热装置-CN202010597812.4在审
发明人：魏涛;钱吉裕;吴进凯;秦超;阮文州 -专利权人：中国电子科技集团公司第十四研究所
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提出了一种高导热散热装置，所述装置自下而上依次由高导热底板、围框和盖板组成；高导热底板上且围框内设有至少一层HTCC基板，所述单层HTCC基板的上下表面中的至少一面用于放置发热器件；所述HTCC基板与高导热底板相连接的一面不放置发热器件本发明提供的高导热散热装置利用大面积的HTCC基板和金刚石铝底板，解决了微波功率模块的高热流密度发热芯片的散热问题。
一种导热散热装置

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