[发明专利]一种基于HTCC垂直过渡的TR模块结构在审

专利信息
申请号: 202311170588.0 申请日: 2023-09-12
公开(公告)号: CN116937213A 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 李力力;彭英;乐国滔;王洪全;尹小龙 申请(专利权)人: 成都华兴大地科技有限公司
主分类号: H01R13/02 分类号: H01R13/02;G01S7/02;H04B1/38;H04B1/40;H01R13/46;H01R12/71
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 刘妮
地址: 610095 四川省成都市中国(四川)自*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供一种基于HTCC垂直过渡的TR模块结构。TR模块腔体正面设置射频芯片、射频供电板等模块常用分部件,并通过盖板密封;TR模块背面设置低频供电控制板。TR模块背面低频供电控制板和正面射频供电板通过HTCC垂直过渡结构互连。HTCC垂直过渡结构采用高温共烧多层陶瓷工艺(HTCC),垂直过渡结构层数和厚度根据TR模块实际设计而定。HTCC垂直过渡结构顶层和底层设置有焊盘,分别通过金丝键合方式与背面低频供电控制板和正面射频供电板互连。HTCC垂直过渡结构各个同属性焊盘通过多层陶瓷工艺内部过孔和走线实现互连。本发明的可将低频控制信号和电源供电信号任意穿插TR模块正反面,在不破坏其气密结构的基础上,大大减小尺寸,适用于高集成化、小型化应用场景。
搜索关键词: 一种 基于 htcc 垂直 过渡 tr 模块 结构
【主权项】:
暂无信息
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