专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果8938429个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]附载体铜箔-CN201380041401.5有效
  • 本多美里;永浦友太 - JX日矿日石金属株式会社
  • 2013-08-08 - 2017-09-26 - H05K1/09
  • 在中间层中,镍的附着量为1000~40000μg/dm2,在包含钼的情形时钼的附着量为50~1000μg/dm2,在包含钴的情形时钴的附着量为50~1000μg/dm2。当使中间层/极薄铜层之间剥离时,在自中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0,4.0]中,∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)或∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)为20%~80%,在[4.0,12.0]中,∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)满足40%以上。
  • 载体铜箔
  • [发明专利]半导体集成电路器件-CN200410006818.0无效
  • 西川信广;井上晃一 - 罗姆股份有限公司
  • 2004-02-24 - 2004-09-01 - H03K17/00
  • 一种半导体集成电路器件具有MOS晶体管M2,晶体管M2包含用于防止MOS晶体管M1的寄生二极管Dx1造成的反向电流的寄生二极管Dx2。该半导体集成电路器件还具有:一个电压设置电路1,其用于在反向偏置状态下截止MOS晶体管M2,以及一个抗反向电流元件2,其用于在反向偏置状态下防止流过电压设置电路1的反向电流。在正常工作状态,根据施加到MOS晶体管M2导电端6y的电压,在MOS晶体管M2耐压范围内的直流电压馈送到它的栅极。
  • 半导体集成电路器件

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top