专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]OsABA8ox2-CN202010086903.1有效
  • 张艳 - 中国农业科学院生物技术研究所
  • 2019-11-11 - 2021-11-02 - C12N15/82
  • 本发明涉及脱落酸(abscisic acid,ABA)8’‑羟化酶基因OsABA8ox2在植物光形态建成和根发育中的应用,属于植物基因工程与遗传改良水稻ABA 8’‑羟化酶基因OsABA8ox2的蛋白产物氨基酸序列如SEQ ID No:1所示。本发明中通过基因编辑技术敲除OsABA8ox2后可以正向调控弱光或遮荫条件下的光形态建成,缓解避荫反应,提高植物耐荫性;可以优化干旱胁迫下根系结构以提高植物耐旱性
  • baseitalicosaba8ox2
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201611045583.5有效
  • 筱原正昭 - 瑞萨电子株式会社
  • 2016-11-24 - 2021-12-10 - H01L27/11568
  • 当在衬底上形成具有2种不同宽度的侧壁时,防止由于侧壁形成用的绝缘膜被埋入栅电极间而导致的半导体器件的可靠性降低。在低耐压的MISFETQ2的栅电极G2、和包括控制栅电极CG及存储器栅电极MG的图案的各自的侧壁,隔着氮化硅膜NT3而形成侧壁状的氧化硅膜OX4,之后除去栅电极G2的横向上的氧化硅膜OX4,接着在半导体衬底SB上形成氧化硅膜OX5,进行回蚀刻。由此,在栅电极G2的横向上,形成由氮化硅膜NT3及氧化硅膜OX5形成的侧壁SW1,在上述图案的横向上,形成由氮化硅膜NT3、氧化硅膜OX4及OX5形成的侧壁SW2
  • 半导体器件及其制造方法

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