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[发明专利]备有具有磁隧道接合部的存储单元的薄膜磁性体存储装置-CN01125558.7有效
发明人：日高秀人 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2001-08-13 - 公布日： 2002-07-31 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：一种备有具有磁隧道接合部的存储单元的薄膜磁性体存储装置,数据读出时,存储单元(MC)及空存储单元(DMC)分别被耦合在位线(BL、/BL)中的各一条上,流过数据读出电流。在所选择的存储单元列中,读出门(RG)根据两条位线(BL、/BL)的电压,驱动对应的两条读出数据总线(RDB、/RDB)的电压。利用读出门(RG)能将读出数据总线(RDB、/RDB)和数据读出电流路径切断,所以能使位线(BL、/BL)中的电压迅速变化,使数据读出高速化。
备有具有隧道接合部存储单元薄膜磁性装置

[实用新型]免接地电源雷击保护器-CN200620106346.0无效
发明人：叶林 -专利权人：叶林
申请日： 2006-08-03 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H02H1/04 文献下载
摘要：一种免接地电源雷击保护器，由氧化锌元件BL1、BL2、BL3隔离变压器、线路板和机壳等组成，氧化锌元件BL1跨接在电源进线的两端，BL2和BL3的一端分别并接在电源的二进线上，另一端接在一起直接接机壳，
接地电源雷击保护

[发明专利]液晶面板及液晶显示装置-CN201310554959.5有效
发明人：刘韵宜 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：背光源的发光频谱在波长介于400纳米至500纳米之间、500纳米至580纳米之间、580纳米至780纳米之间分别具有相对极大亮度峰值BL1、BL2、BL3，其中BL2/BL1>0.65，且BL2/BL3>1。
液晶面板液晶显示装置

[发明专利]介质收集装置以及介质处理装置-CN201210158950.8有效
发明人：高山诚;冈田隆司 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2012-05-21 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： B65H31/36 文献下载
摘要：纸币池部（20）在供由收集辊（22）排出的纸币（BL）的前端碰撞的纸币碰撞面（27）上、沿上下方向并排设置有以互不相同的大小形成的多个切槽（50），该多个切槽（50）沿与纸币（BL）的排出方向正交的纸币（BL）的宽度方向刻设，用于支承该纸币（BL）的前端。并且纸币池部（20），利用叶片（28）将卡挂支承于切槽（50）的纸币（BL）拍落并容纳于纸币池（24）。由此现金自动存取款机（1）能够将在第一切槽（50a）中无法支承的纸币（BL），利用与该第一切槽（50a）的大小不同的第二切槽（50b）对上述纸币进行支承，从而能够抑制纸币（BL）的前端下垂。
介质收集装置以及处理

[发明专利]针对编码标准可扩展性的层间参考图片处理-CN201910825051.0有效
发明人：尹鹏;T·鲁;陈涛 -专利权人：杜比实验室特许公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H04N19/12 文献下载
摘要：给定基本层(BL)以及一个或更多个增强层(EL)信号，使用符合第一编码标准的BL编码器把BL信号编码为经编码的BL流。响应于BL信号和EL信号，参考处理单元(RPU)确定RPU处理参数。响应于RPU处理参数和BL信号，RPU产生层间参考信号。使用符合第二编码标准的EL编码器，EL信号被编码为经编码的EL流，其中EL信号的编码至少部分地基于层间参考信号。具有RPU以及对于第一和第二编码标准都符合的视频解码器的接收器对经编码的BL和EL流都可以进行解码。
针对编码标准扩展性参考图片处理

[发明专利]免接地三相电源系统直接雷击保护器-CN201110279826.2无效
发明人：叶林 -专利权人：杭州碧蕾科技有限公司
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种免接地三相电源系统直接雷击保护器，通过由氧化锌元件BL1、BL2、BL3、BL4构成的T-T模式浪涌保护器、由氧化锌元件BL4、BL5、BL6、BL7构成的T-N模式浪涌保护器及初级相线和零线分别和
接地三相电源系统直接雷击保护

[发明专利]非易失性半导体储存器件及其数据读出方法-CN03104429.8无效
发明人：圆山敬史;小岛诚 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-02-13 - 公布日： 2003-08-27 - 主分类号： G11C7/00 文献下载
摘要：通过字线WL将存储单元1接到位线BL0上，同时通过基准用字线RWL将基准单元2接到互补位线BL1上，由传感放大器SA放大该位线BL0及互补位线BL1间的电位差，在从存储单元1中读出数据的时候，在刚开始读出那一数据的时候由预充电电路4将两条位线BL0、BL1都预充电到规定的电位上，在包括该预充电的那一段时间及其之后或者在预充电结束之后，由位线电流供给电路3向位线BL0及互补位线BL1提供等量的电流。
非易失性半导体储存器件及其数据读出方法

[发明专利]鳍形场效晶体管半导体存储器的字线和位线排列-CN03821239.0无效
发明人： F·霍夫曼恩;T·舒尔滋;M·斯佩奇特 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2003-08-21 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：其具有由半导体材料制成的多个鳍形物(FIN)，其彼此分离且有多个信道区域与接触区域(S/D)形成于各鳍形物(FIN)中；多个字线(WL)；多个储存层(14)，至少一储存层(14)是排列在各信道区域与该字线(WL)间；以及多个位线(BL其中，第一位线部分(22)的纵轴与一第一位线方向((BL1))平行而第二位线部分(24)的纵轴与一第二位线方向((BL2))平行，该第二位线方向((BL2))相对于该第一位线方向((BL1))而旋转；以及各位线(BL)电性连接至多个接触区域(S/D)，在连接至一位线(BL)的同一鳍形物(FIN)的两接触区域(S/D)间有一未连接至此一位线(BL)的接触区域(S/D)。
鳍形场效晶体管半导体存储器排列

[发明专利]一株产西索米星突变菌株-CN201210099020.X有效
发明人：洪文荣;张国华;宋逸婷;沈斌彬;黄俊龙 -专利权人：福州大学;浙江震元制药有限公司
申请日： 2012-04-06 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C12N1/20 文献下载
摘要：所述突变株为依纽小单孢菌（Micromonosporainyoensis）HP388，已于2012年3月19日在中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心登记保藏，保藏编号为CGMCCNo.5921。本发明的突变菌株HP388的最显著特征是发酵单位高，生产工艺稳定，便于控制，耗氧量小，成本低，污染小，产品质量好。
一株产西索米星突变菌株

[实用新型]麻棉交织布料-CN201220479017.6有效
发明人：龚秋萍;高永忠 -专利权人：姜堰市新型纺织有限公司
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： D03D15/00 文献下载
摘要：本实用新型的麻棉交织布料，由经线、纬线交织构成，其特征是所述的经线材料为纯亚麻纱，其细度为388dtex，所述的纬线材料为人棉纱，其细度为388dtex，所述的麻棉交织布料的经密度为177根/10cm，
交织布料

[发明专利]光纤缆线-CN202180070922.8在审
发明人：宫田未来;村田晓 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B6/44 文献下载
摘要：本发明的光纤缆线(1)的特征在于，在护套(3)的内部空间(3S)收纳有多个具有几何微弯损耗特性FμBL_G和光学微弯损耗特性FμBL_Δβ_{的光纤(10)，在使用内部空间(3S)的空隙率a和收纳于内部空间(3S)的光纤(10)的芯数b来规定光纤缆线(1)的缆线特性Dc的情况下，用以下的式子表示的微弯损耗特性因子FμBL_GΔβ的值为1.2×10－9以下FμBL_GΔβ＝FμBL_G×FμBL_Δβ×Dc。}
光纤缆线

[发明专利]光纤缆线-CN202180071017.4在审
发明人：宫田未来;村田晓 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B6/44 文献下载
摘要：本发明的光纤缆线(1)的特征在于，在护套(3)的内部空间(3S)收纳有多个具有几何微弯损耗特性FμBL_G和光学微弯损耗特性FμBL_O的光纤(10)，在使用内部空间(3S)的空隙率a和收纳于内部空间(3S)的光纤(10)的芯数b来规定光纤缆线(1)的缆线特性Dc的情况下，用以下的式子表示的微弯损耗特性因子FμBL_GO的值为5.2×1023以下FμBL_GO＝FμBL_G×FμBL_O×Dc。
光纤缆线

[发明专利]解码具有基本层和增强层的音频信号的方法-CN201010263977.4有效
发明人：彼得·杰克斯;斯文·科登 -专利权人：汤姆森许可贸易公司
申请日： 2010-08-25 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： G10L19/00 文献下载
摘要：所述音频信号可以具有BL和EL，其中，EL表示用于增强BL音频内容的质量的附加信息。这种双层信号的解码通常包括BL数据的部分解码(21)，其中，恢复(22)BL的频率段，将恢复的频率段映射(23)到MDCT域，将映射的频率段与解码的EL相加，以及执行逆整数MDCT。本发明还提供了一种低复杂度解码方法，包括：对解码EL数据进行逆映射(45)，将逆映射的EL数据与部分解码的BL数据相加(42)，以及使用逆BL滤波器组对和进行滤波。
解码具有基本增强音频信号方法

[发明专利]半导体非易失性存储器-CN200810178256.6无效
发明人：小岛诚 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-11-17 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：在存储器单元(03)的读出中，将连接于漏极的位线(BL23)经主位线(MBL[3])连接于电压源(Vd)后施加规定电压，连接于源极的位线(BL24)经主位线(MBL[0])连接于读出放大器(71)。这时，位线(BL25)经主位线(MBL[1])连接于接地电源(GND)。即，由于读出对象的位线(BL24)附近的位线(BL25)强制地成为接地电平，所以不从这里流入电荷，因此可防止电流流入位线(BL24)。
半导体非易失性存储器

[发明专利]一种应用于多次可编程非易失性存储器的灵敏放大器-CN201410347150.X有效
发明人：王震;李建成;李聪;尚靖;李文晓;王宏义;谷晓忱;郑黎明;李松亭;李浩 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学;湖南晟芯源微电子科技有限公司
申请日： 2014-07-21 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于MTP存储器的灵敏放大器，包括预充电电路、检测电路、输出电路、BL0位线和BL1位线，所述预充电电路用来平衡BL0位线和BL1位线之间的电压差，在读取数据前先进行预充电，使BL0位线和BL1位线的电位相同；所述检测电路用来检测BL0位线和BL1位线之间的电流差，通过正反馈的方式将位线上的电流差转换为检测电路的两条输出线上的电压差，并使电压差加大，然后将加大的电压差信号输送给输出电路；
一种应用于 mtp 存储器灵敏放大器