“bl388”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7431个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]月季RcHsp17.8编码序列及其应用-CN200710041158.3无效
发明人：胡永红;明凤;蒋昌华 -专利权人：上海植物园;复旦大学
申请日： 2007-05-24 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： C12N15/29 文献下载
摘要：本发明属于分子生物学、基因工程技术领域，具体提供了一种在月季中表达的RcHsp17.8编码序列及其在提高大肠杆菌BL21温度耐受性的应用。本发明涉及包含上述基因的重组表达载体。还涉及所说的表达载体转化大肠杆菌BL21。本发明将所说基因在原核生物(大肠杆菌BL21)中表达，所获得的大肠杆菌BL21耐热性与耐冷性显著增高。
月季 rchsp17 编码序列及其应用

[发明专利]用于寻址奈米级电阻式存储阵列之二极管阵列架构-CN200580039025.1无效
发明人： N·H·特里普沙斯;C·S·比尔;M·A·范巴斯科克;M·拜诺斯基;T－N·方;W·D·蔡;S·K·潘格勒;S·阿万兹诺 -专利权人：斯班逊有限公司
申请日： 2005-11-10 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明之存储结构包括：第一导体(BL)；第二导体(WL)；连接至该第二导体(WL)之电阻式存储单元(130)；连接至该电阻式存储单元(130)及该第一导体(BL)之第一二极管(134)，该第一二极管(134)定位在从电阻式存储单元(130)至该第一导体(BL)的正向方向；以及连接至该电阻式存储单元(130)及第一导体(BL)之第二二极管(132)，该第二二极管(132)与该第一二极管(134)并联，且定位在从该电阻式存储单元(130)至该第一导体(BL)的反方向。
用于寻址奈米级电阻存储阵列二极管架构

[发明专利]具有8/4槽极比的单绕组BL-BLDC控制方法-CN201911181493.2有效
发明人：卜文绍;袁澜;张松灿;曾倩;张飞 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： H02K1/16 文献下载
摘要：具有8/4槽极比的单绕组BL‑BLDC控制方法，首先，构建具有8槽定子、4极永磁外转子的单绕组BL‑BLDC的定转子拓扑结构，包括布局8/4槽极比单绕组BL‑BLDC的定子齿/槽，设计8/4槽极比单绕组BL‑BLDC的定子齿/槽结构，构建双四相对称星型线圈组定子绕组结构，按N、S交替极性顺序构建8/4槽极比单绕组BL‑BLDC的永磁外转子结构；然后，以能够同时产生电磁转矩和径向磁悬浮力为目标，根据所构建的8/4槽极比单绕组BL‑BLDC结构特点，建立定子齿线圈各分组线圈之间电磁转矩、径向磁悬浮力产生功能的交替切换控制方法或规则。
具有绕组 bl bldc 控制方法

[发明专利]键合的三维存储器件及其形成方法-CN201980003404.7有效
发明人：黄诗琪;刘威;巴特尔·谢伦;胡思平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：在示例中，一种3D存储器件包括第一半导体结构，所述第一半导体结构包括：多个第一NAND存储串；多个第一BL，所述第一BL中的至少一个导电连接至所述第一NAND存储串中的相应的一个；以及具有分别导电连接至所述多个第一BL的多个第一位线键合触点的第一键合层。所述3D存储器件还包括第二半导体结构，所述第二半导体结构包括：多个第二NAND存储串；多个第二BL，所述第二BL中的至少一个导电连接至所述第二NAND存储串中的相应的一个；以及具有分别导电连接至所述多个第二BL的多个第二位线键合触点的第二键合层。
三维存储器件及其形成方法

[发明专利]使用非易失性半导体存储元件的神经网络运算电路-CN201880057233.1有效
发明人：持田礼司;河野和幸;早田百合子;小野贵史;中山雅义 -专利权人：松下控股株式会社
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：在根据输入数据与耦合权重系数的乘加运算结果而将输出数据输出的神经网络运算电路中，具备运算机构，该运算机构中，存储元件RP和晶体管T0串联连接在数据线BL0、SL0之间，存储元件RN和晶体管T1串联连接在数据线BL1、SL1之间，在晶体管T0、T1的栅极连接有字线；在存储元件RP、RN中保存耦合权重系数w0～wn；字线选择电路(30)根据输入数据x0～xn将字线WL0～WLn设为选择状态或非选择状态；判定电路(50)通过判定流过BL0、BL1的电流值，将输出数据输出。电流施加电路(100)具有调整流过BL0、BL1的电流值的功能，不改写存储元件RP、RN就调整耦合权重系数。
使用非易失性半导体存储元件神经网络运算电路

[发明专利]不具有专用预充电晶体管的差分读出放大器-CN201210124232.9有效
发明人： R·费朗;R·特维斯 -专利权人： SOITEC公司
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种不具有专用预充电晶体管的差分读出放大器，这种用于感测存储器单元阵列的多个存储器单元(C)中存储的数据的差分读出放大器包括：第一CMOS反相器，其具有连接到第一位线(BL)的输出端和连接到与所述第一位线互补的第二位线(/BL)的输入端；第二CMOS反相器，其具有连接到所述第二位线(/BL)的输出端和连接到所述第一位线(BL)的输入端，每个CMOS反相器包括上拉晶体管(M21，M22)和下拉晶体管(M31，M32)，所述读出放大器具有被设置为分别耦合到第一位线和第二位线(BL，/BL)的一对预充电晶体管，以便将所述第一位线和第二位线(BL，/BL)预充电到预充电电压，其中所述预充电晶体管由上拉晶体管(M21，M22
具有专用充电晶体管读出放大器

[发明专利]咪唑衍生物-CN201480065031.3有效
发明人：亚历山大·弗洛尔 -专利权人：豪夫迈·罗氏有限公司
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： C07D403/14 文献下载
摘要：
咪唑衍生物

[发明专利]一种活性宝蓝BL染色用助剂及冷轧堆染色方法-CN201711376864.3在审
发明人：张兴华;周顺茹;张玉卿 -专利权人：天津德凯化工股份有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： D06P1/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种活性宝蓝BL染色用助剂及冷轧堆染色方法，该助剂的配方为：碳酸氢钠：10‑30份；分散剂NNO：1‑15份；EDTA：0.1‑5份；三乙酸胺钠盐：10‑30份；所述份数为重量份数。本发明还提供了一种活性宝蓝BL的冷轧堆染色方法，本发明通过对轧染助剂的筛选及工艺条件的优化，得到关于活性宝蓝BL的最佳冷轧堆染色方法及工艺。按照本发明的染色工艺可以使活性宝蓝BL在应用领域得以扩大，能够上染纤维素纤维的平纹织物，而且采用本发明冷轧堆染色的性能达到活性宝蓝染料在浸染工艺上的染色性能，解决活性宝蓝BL不适合常规冷轧堆工艺的缺陷。
冷轧堆染色染色冷轧堆工艺纤维素纤维分散剂NNO 工艺条件平纹织物染色工艺染色性能三乙酸胺碳酸氢钠重量份数染料浸染钠盐上染轧染配方筛选优化

[发明专利]一种基于酶促拆分法的混菌发酵产D-赖氨酸-CN202010172954.6在审
发明人：陈可泉;许晟;王昕;冯娇 -专利权人：南京凯诺生物科技有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C12P41/00 文献下载
摘要：该方法包括以下步骤：构建重组菌株E.coli BL‑pTrc99a‑DapA；构建E.coli BL‑pET28a‑LYR葡萄糖代谢缺陷型菌株；选取重组菌株E.coli BL‑pTrc99a‑DapA和E.coli BL‑pET28a‑LYR加入发酵培养基中，葡萄糖和甘油为碳源，生产DL‑赖氨酸，最后采用含有赖氨酸脱羧酶的粗酶液将DL‑赖氨酸中L‑赖氨酸转化为1,5‑戊二胺。相比于利用E.coli BL‑pET28a‑LYR单一发酵生产，D‑赖氨酸的摩尔收率提高了35%。
一种基于拆分发酵赖氨酸

[发明专利]用于3D相变存储单元以改善编程并增大阵列尺寸的新替换位线和字线方案-CN202080002003.2在审
发明人：刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：在2堆叠层阵列中，顶部字线(WL)用低电阻率铜以自对准方案形成，而底部位线(BL)用铜镶嵌工艺形成。相对于使用钨WL和BL而言，由于铜的较低电阻率，跨阵列的电压减小至约1/4。在4堆叠层阵列中，中间WL和顶部BL都用低电阻率的铜以自对准方案形成，而底部BL用铜镶嵌工艺形成。WL和BL形成为自对准的替换金属互连。
用于相变存储单元改善编程增大阵列尺寸替换方案

[发明专利]一种葡萄糖代谢缺陷型菌株的构建方法及其混菌发酵产1，5-戊二胺-CN202010155942.2在审
发明人：陈可泉;王昕;许晟;冯娇 -专利权人：南京凯诺生物科技有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： C12N1/21 文献下载
摘要：先构建E.coli BL‑AST3葡萄糖代谢缺陷型菌株，再构建重组菌株E.coli BL‑pTrc99a‑DapA；选取重组菌株E.coli BL‑pTrc99a‑DapA和E.coli BL‑AST3相比于普通的E.coli BL‑AST3单细胞发酵，1，5‑戊二胺的摩尔收率提高了65%。
一种葡萄糖代谢缺陷菌株构建方法及其发酵戊二胺

[发明专利]一种基于改进CEEMDAN-QR-BL混合模型的干旱预测方法-CN202110049081.4在审
发明人：刘扬;王立虎;杨礼波;刘雪梅 -专利权人：华北水利水电大学
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于改进CEEMDAN‑QR‑BL混合模型的干旱预测方法，涉及干旱预测技术领域。与传统宽度学习模型相比，QR‑BL具有高精度、高效率等优点。同时，为保证模型泛化能力，将正则化概念引入QR‑BL模型，构建了基于三角分解的正则宽度学习模型(QR‑RBL模型)，有效提高了模型的泛化能力。实验结果表明，基于并行CEEMDAN‑QR‑BL模型的智能预测方法相比于传统BL方法，其预测精准度提高1.29倍；稳定度提高4.54倍；效率提高118倍。
一种基于改进 ceemdan qr bl 混合模型干旱预测方法

[发明专利]一种基于分级加密的设备安全启动及认证方法和装置-CN202210677685.8在审
发明人：蔡杨;徐涛;张海琦;高山 -专利权人：烽火通信科技股份有限公司;成都烽火云网信息技术有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G06F21/46 文献下载
摘要：其方法部分主要包括：设备上电后，进入SOC的引导加载程序，依次拉起引导加载程序BL1、引导加载程序BL2、引导加载程序BL3；通过引导加载程序BL3依次校验设备安全信息文件的有效性、内核固件的有效性以及文件系统固件的有效性；校验全部有效后，引导加载程序BL3拉起内核，并将设备序列号、MAC地址传递给内核，以用于设备的网络认证。
一种基于分级加密设备安全启动认证方法装置

[发明专利]用于高密度存储器的具有背面沟道接触部的薄膜晶体管-CN202111269586.8在审
发明人： N·萨托;S·阿塔纳索夫;A·A·夏尔马;B·塞尔;C-J·古;A·森古普塔;M·V·梅斯;E·N·谭;H·J·允;T·W·拉乔伊;V·H·勒;P-H·王 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：在示例中，IC结构包括存储器单元，该存储器单元包括沿着第一方向延伸的位线(BL)和在BL上方沿着与BL对角的第二方向延伸的沟道。在示例中，字线(WL)在与BL的第一方向垂直的第三方向延伸并且与沟道相交以沿着栅极控制的沟道长度控制沟道中的电流。在一些示例中，沟道在第一侧上经由存储节点接触部(SNC)电耦合到存储电容器并且在第二侧上经由位于所述沟道的下侧或背面上的位线接触部(BLC)电耦合到所述BL。
用于高密度存储器具有背面沟道接触薄膜晶体管

[发明专利]液晶显示装置-CN201110285419.2有效
发明人：王英力;沈谦 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-09-07 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：背光源包括激发光源与量子点荧光材料，其中背光源的发光频谱在波长介于445纳米至455纳米之间、528纳米至538纳米之间、618纳米至628纳米之间分别具有相对极大亮度峰值BL1、BL2、BL3，且相对极大亮度峰值BL1高于相对极大亮度峰值BL2。
液晶显示装置