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[发明专利]一种复合配体钡前驱盐的制备方法-CN201110036986.4无效
发明人：张腾;古宏伟;丁发柱 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2011-02-10 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： C07F3/00 文献下载
摘要：一种复合配体钡前驱盐的制备方法，首先以金属钡和2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮为原料制备无水β-二酮钡前驱盐(Ba(tmhd)2)，随后以四乙烯五胺(C8H23N5)或五乙烯六胺(C10H28N6)为辅助配体与Ba(tmhd)2在氮气保护下制备复合配体钡前驱盐Ba(tmhd)2(L)。
一种复合配体钡前驱制备方法

[发明专利]用于在总线处运行的集成电路和用于运行该集成电路的方法-CN201680043952.9有效
发明人： B.比格;C.哈根米勒;K-D.施奈德;A.沙德林 -专利权人：大陆汽车有限公司
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G06F13/42 文献下载
摘要：Tx_ASIC）和至少一个接收端口（Rx_ASIC）以及至少一个地址端口（ADDR；ADDR0、ADDR1）的集成电路，‑其具有存储器或者存储区域（I、II），所述存储器或者存储区域具有大量存储区段（BA1、BA2），激活信息能够被写入到所述存储区段中，‑其中，所述存储区段（BA1、BA2）的数量等于集成电路（ASIC1、ASIC2、ASIC3；ASIC1'、ASIC2'）的能够通过所述至少一个地址端口（所述控制单元被设置用于将通过所述至少一个地址端口（ADDR；ADDR0、ADDR1）被编码的地址与在所述接收端口（Rx_ASIC）处接收到的地址进行比较，如果一致则将定义的位模型写入到配属于所述地址的存储区段（BA1、BA2）中，如果不一致则抑制在所述发送端口（Tx_ASIC）处的不确认信号（NACK），其中，所述集成电路（ASIC1、ASIC2、ASIC3；ASIC1'、ASIC2'）被设置用于通过在所述存储区段（BA1、BA2）中的位模型来激活，所述存储区段对应于在所述至少一个地址端口（ADDR；ADDR0、ADDR1）处被定义的地址，以便与微处理器（µC）通信，所述微处理器通过所述公共的总线与所述至少一个发送端口
用于总线运行集成电路方法

[发明专利]一种新型的发光色彩可调的荧光粉-CN202011362194.1在审
发明人：吴占超;张雪;刘杰;宋宏基;马楠 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： C09K11/86 文献下载
摘要：该荧光粉的化学式为Ba5.00‑2x‑yNaxTbx(POCl:yEu2+，式中，x为[Na+,Tb3+]离子对取代[Ba2+,Ba2+]离子对的摩尔量，其取值范围为：0x≤0.60，y为Eu2+取代Ba2+的摩尔量，其取值范围为：0≤y≤0.03。2+,Ba2+]离子对，不仅实现了调控荧光粉发光颜色的目的，而且通过Eu2+
一种新型发光色彩可调荧光粉

[发明专利]用于海上疏散的海上滑道-CN202180063199.0在审
发明人： B·博客莫斯 -专利权人：维金救生设备有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： B63B27/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于从船只到可漂浮装置的海上疏散的海上滑道，该海上滑道构造成基本上竖直下降，包括：入口区段；多个第一区段AB，每个第一区段AB都包括第一上AB端和第二下AB端；多个第二区段BA，每个第二区段BA都包括第一上BA端和第二下BA端，其中，每个第一上AB端都包括第一连接装置并且每个第二下AB端都包括第二连接装置，每个第一上BA端都包括第三连接装置并且每个第二下BA端都包括第四连接装置，所述第一连接装置配置成与所述第四连接装置相对并能与其相互作用以提供第一可释放连接
用于海上疏散滑道

[发明专利]一种Ba²⁺缺位与Cu²⁺掺杂钙钛矿结构中温固态氧化物燃料电池阴极及其制备方法-CN201510128232.X在审
发明人：姜雪宁;师玉超;周文龙;贾国强;王姣 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H01M4/90 文献下载
摘要：一种Ba²⁺缺位与Cu²⁺掺杂钙钛矿结构中温固态氧化物燃料电池阴极及其制备方法,属于能源材料领域。所述Ba²⁺缺位与Cu²⁺掺杂钙钛矿结构中温SOFC阴极化学式为PrBa_1-xCo_2-yCu_yO_6-_δ，Ba²⁺缺位量x=0.02-0.1，Cu²⁺掺杂量y=0.2-1.5，δ为氧空位含量，随Ba^sup>2+掺杂量变化；本发明通过在PrBa_1-xCo_2-yCu_yO_6-_δ中引入Ba
一种 ba sup 缺位 cu 掺杂钙钛矿结构固态氧化物燃料电池阴极及其制备方法

[发明专利]一种PANI/CoFe₂O₄/Ba_0.4Sr_0.6TiO₃吸波材料及制备方法-CN201511018812.X在审
发明人：杨海波;韩宁;林营 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： C08G73/02 文献下载
摘要：一种PANI/CoFe₂O₄/Ba_0.4Sr_0.6TiO₃复合粉体及制备方法，本发明以Ba_{粉体与CoFe₂O₄粉体为原料，采用原位复合的方法，通过过硫酸铵诱发苯胺形成长分子链的时候和CoFe₂O_4，Ba_0.4Sr_0.6TiO₃粉体发生复合，制备PANI/xCoFe₂O₄/(1-x)Ba_0.4Sr_0.6TiO₃吸波材料，本发明通过原位聚合制备三元复合材料PANI/CoFe₂O₄/Ba<}
一种 pani cofe sub ba 0.4 sr 0.6 tio 材料制备方法

[发明专利]一种测定烟花爆竹用碳酸钡中钡含量的方法-CN201610776050.8在审
发明人：吴俊逸 -专利权人：吴俊逸
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： G01N23/223 文献下载
摘要：一种测定烟花爆竹用碳酸钡中钡含量的方法，包括以下步骤配制多份浓度不等的硝酸钡工作液，以能量色散型X射线荧光光谱仪为检测仪器，假定一定样本量，采用强度校正的数学校正法建立分析方法，将配制的多份硝酸钡工作液中Ba的质量浓度换算成Ba的质量百分比浓度，并记录每次进样的Ba的荧光强度，做出校准曲线；将待测的烟火药剂配制试样液，记录仪器上显示的Ba的荧光强度，以该荧光强度根据确定的校准曲线读出与其对应的Ba质量百分比浓度值
一种测定烟花爆竹碳酸钡含量方法

[发明专利]一种百合水培籽球繁育方法-CN202010715936.8在审
发明人：张谦;彭金海;王军;张希军;孙彩虹;张宇;柏建峰;彭得智;陈香艳 -专利权人：临沂市农业科学院
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： A01H4/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种百合水培籽球繁育方法，培养基培育：心叶预培养培养基：MS或MS+6‑BA 1.0mg/[L(单位下同)+NAA 1.0，丛芽诱导培养基：MS+6‑BA 0.5+NAA 0.2～0.5,MS+6‑BA 1.0+NAA 0.2～1.0,MS+6‑BA 2.0+NAA 0.2～0.5，增殖培养基：MS+6‑BA 3.0+NAA 02，生根培养基：MS+NAA 0.5，心叶预培养培养基、丛芽诱导培养基
一种百合水培繁育方法

[发明专利]4-羟基-7-甲氧基喹啉合成新工艺-CN202010341644.2在审
发明人：田良效;田桂林;余永强 -专利权人：滁州拜奥生物科技有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： C07D215/22 文献下载
摘要：本发明公开4‑羟基‑7‑甲氧基喹啉合成新工艺，包括以下步骤：S1.原甲酸三甲酯与丙二酸环亚异丙酯混合均匀；S2.回流反应；S3.投入3,4‑二甲氧基苯胺,继续回流反应；S4.离心，收集产品BA‑1粗品；S5.将产品BA‑1粗品用甲醇进行打浆，离心收集精制固体；S6.精制固体45～50℃烘箱干燥22‑25h；S7.在第二反应釜中加入二苯醚、投入BA‑1精制固体200kg，加热反应2‑3h；S8.取样检测，离心得到BA‑2粗品；S9.在第三反应釜中，加入二氯甲烷和BA‑2粗品，常温搅拌1h，离心得到4‑羟基‑7‑甲氧基喹啉；S10.干燥后得到4‑羟基‑7‑甲氧基喹啉成品。
羟基甲氧基喹啉合成新工艺

[发明专利]单相多铁性材料、单相多铁性薄膜及其制备方法和应用-CN202310159057.5在审
发明人：张广超;杜娟;曹彦伟;毕佳畅;张如意;周炜松 -专利权人：上海大学;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种单相多铁性材料、单相多铁性薄膜及其制备方法和应用，其中单相多铁性材料的化学式为Dy0.5Ba0.5TiO一种单相多铁性薄膜，该薄膜的组分包括Dy0.5Ba0.5TiO3，制备方法如下：利用固相反应法制备Dy0.5Ba0.5TiO3靶材；以Dy0.5Ba0.5TiO3靶材作为靶材，以氩气作为溅射气体，使用射频电源，在单晶基片上进行磁控溅射本发明中的单相多铁性材料Dy0.5Ba0.5TiO3，材料中铁电极化和磁性同源
单相多铁性材料薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种g-C₃N₄@NiCo₂O₄核壳结构的制备方法-CN201810587941.8有效
发明人：张娜;甘传先;房永征;邹军;张建勇;陈倩;张启蒙 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：、六水合硝酸钴以及尿素溶解解于醇水的混合液中；(2)将处理过的泡沫镍和混合液同时转入反应釜中反应8，自然冷却，洗涤，干燥得到NiCo₂O₄前驱体；(3)配置BA乙醇溶液，将NiCo₂O₄前驱体浸泡其中，得到BA@NiCo₂O₄前驱体；(4)配置尿素溶液，并将BA@NiCo₂O₄前驱体在尿素溶液中浸泡，干燥，得到尿素@BA@NiCo₂O₄前驱体；(5)将尿素@BA@NiCo_2<
前驱体核壳结构尿素溶液混合液泡沫镍制备尿素浸泡六水合硝酸镍六水合硝酸钴超声处理尿素溶解盐酸溶液乙醇溶液反应釜称取醇水煅烧配置洗涤清洗转入

[发明专利]稀土离子掺杂的Ba₂LuBr₇微晶玻璃及其制备方法-CN201410198211.0有效
发明人：欧阳绍业;张约品;夏海平;张为欢;王倩;杨斌 -专利权人：宁波大学
申请日： 2014-05-08 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： C03C10/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土离子掺杂的Ba₂LuBr₇微晶玻璃及其制备方法，其摩尔百分组成为TeO₂：73-76mol％、ZnF₂：13-16.5mol％、Ba₂LuBr₇：8-10mol％、LnBr₃：0.5-2mol％，其中LnBr₃₃、EuBr₃、TbBr₃中的一种，其制备方法是首先用熔融法制备出TeO₂-ZnF₂-Ba₂LuBr₇-LnBr₃系玻璃，经热处理后得到透明的Ba₂LuBr₇微晶玻璃，本发明的Ba<
稀土离子掺杂 ba sub lubr 玻璃及其制备方法

[发明专利]一种生长REBCO高温超导块材的方法-CN201510593269.X有效
发明人：姚忻;相辉;潘彬;崔祥祥;钱俊 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明提供一种生长REBCO高温超导块材的方法，包括如下工序a)按照摩尔比BaCu＝23制备Ba2Cu3O5粉末；b)按(0.55～0.8)RE2O3+Ba2Cu3O5+(0.3～1.5)wt％CeO2的配比制备前驱体；c)将所述前驱体置于生长炉中以籽晶诱导熔融织构法生长REBCO高温超导块材；其中，工序b)中的前驱体为工序a)获得的Ba2Cu3O5粉末按(0.55～0.8)RE2O3+Ba2Cu3O5本发明在前驱体中直接使用摩尔比BaCu＝23制备的Ba2Cu3O5粉末，而避免制备RE123、RE211粉末，节约了时间和工艺成本，又能够保证在整个生长过程中的各元素配比保持RE123和RE211的摩尔比约等于
一种生长 rebco 高温超导方法

[发明专利]一种刻度氙气样品HPGe探测效率的装置及方法-CN201310617130.5有效
发明人：田自宁;欧阳晓平;张显鹏;宋纪文;张建福;阮金陆 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： G01T1/36 文献下载
摘要：本发明一种刻度氙气样品HPGe探测效率的装置及方法，包括放射源、多个不同高度的装有空气的聚乙烯盒、探测器；放射源包括133Ba面源和137Cs点源；面源铝底衬作为上吸收层；137Cs点源位于133Ba面源上面中心位置；133Ba面源位于装空气样品的聚乙烯盒上方，聚乙烯盒上下面作为下吸收层；探测器包括晶体、位于晶体外的铝外壳、位于铝外壳上且位于晶体上方的碳材料窗；聚乙烯盒放置在探测器窗上方。本发明使用的放射源高度等间隔增加，使用133Ba面源来替代133Xe样品进行效率刻度，使用137Cs点源峰效率来校正133Ba面源峰效率的符合相加校正因子，其解决了现有探测效率刻度方法对源的活度要求非常高
一种刻度氙气样品 hpge 探测效率装置方法

[发明专利]含能金属-有机框架及其制备方法-CN201710113714.7有效
发明人：陈东;张祺;李洪珍;敬东 -专利权人：中国工程物理研究院化工材料研究所
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学式为[Ba(HBTT)(H₂O)₄]_n和[Ba₃(BTT)₂(HBa(II)作为配位中心，采用调控反应体系pH值得方法成功制备了金属钡及4,5‑二四唑三唑的两例不同维度即1D及3D的含能金属‑有机框架即[Ba(HBTT)(H₂O)₄]_n和[Ba₃(BTT)₂(H2O)
金属有机框架及其制备方法