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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]高带宽叠层封装结构-CN202310176164.9在审
发明人：陈泰宇;杨柏俊;潘宗余;陈银发;于达人;马伯豪;许文松;许耀邦 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明公开一种高带宽叠层封装结构，该HBPoP结构包括：第一封装结构，以及设置在第一封装结构上方的第二封装结构。第一封装结构包括：第一封装基板、半导体晶粒、中介层以及模制材料。第一封装基板由硅和/或陶瓷材料形成；半导体晶粒设置在第一封装基板上方；中介层设置在半导体晶粒上方并且由硅和/或陶瓷材料形成；模制材料设置在第一封装基板与中介层之间并且包围半导体晶粒。HBPoP结构包括由良好热扩散材料硅和/或陶瓷材料形成的中介层，因此可以实现更好的热扩散能力，从而减慢升温速度并延长全面性能的时间。
带宽封装结构

[发明专利]高k金属栅极叠层-CN201180023957.2有效
发明人：郭德超;P·欧尔迪吉斯;T-C·陈;王岩峰 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种用于场效应晶体管（FET）器件的栅极叠层结构，包括：富氮的第一电介质层，其形成在半导体衬底表面之上；贫氮且富氧的第二电介质层，其形成在所述富氮的第一电介质层上，所述第一电介质层和所述第二电介质层共同形成双层界面层；高k电介质层，其形成在所述双层界面层之上；金属栅极导体层，其形成在所述高k电介质层之上；以及功函数调整掺杂剂物质，其扩散在所述高k电介质层和所述贫氮且富氧的第二电介质层内，且其中所述富氮的第一电介质层用来使所述功函数调整掺杂剂物质与所述半导体衬底表面分隔
金属栅极

[发明专利]叠层高熔点焊接层及其制造方法以及半导体器件-CN201210220419.9有效
发明人：大塚拓一;奥村启树 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明涉及叠层高熔点焊接层及其制造方法以及半导体器件。一种叠层高熔点焊接层包括叠层结构，其层叠多个三层结构，各个三层结构包括低熔点金属薄膜层以及置于低熔点金属薄膜层的表面和背面表面上的高熔点金属薄膜层；第一高熔点金属层，置于叠层结构的表面上；以及第二高熔点金属层，置于叠层结构的背面表面上。低熔点金属薄膜层和高熔点金属薄膜层通过TLP相互熔成合金，并且叠层结构以及第一高熔点金属层和第二高熔点金属层通过TLP接合相互熔成合金。
层高熔点焊接及其制造方法以及半导体器件

[发明专利]显示模组及显示装置-CN202180000684.3在审
发明人：田雪雁;王纯阳 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：防眩目基板包括基底、第一叠层结构和第二叠层结构，第一叠层结构和第二叠层结构分别设置于基底相对的两侧；其中，第一叠层结构包括多个高折射率膜层和至少一个低折射率膜层，第一叠层结构所包括的多个高折射率膜层和至少一个低折射率膜层在基底的一侧交替层叠设置；第二叠层结构包括多个高折射率膜层和至少一个低折射率膜层，第二叠层结构所包括的多个高折射率膜层和至少一个低折射率膜层在基底的另一侧交替层叠设置；第一叠层结构和第二叠层结构距离基底最远的膜层均为高折射率膜层
显示模组显示装置

[发明专利]光学滤波器及光学设备-CN200480007650.3有效
发明人：和田顺雄;川俣健;丰原延好 -专利权人：奥林巴斯株式会社
申请日： 2004-03-23 - 公布日： 2006-04-19 - 主分类号： G02B5/28 文献下载
摘要：一种光学滤波器，通过将折射率相对较低的低折射率层(20)和折射率相对较高的高折射率层(21)交替叠层而构成，而且具有薄膜(19)，该薄膜(19)具有：高折射率层(21)的折射率从基板(18)侧逐渐变高的第1叠层部(22)；高折射率层(21)的折射率大于等于构成第1叠层部(22)的高折射率层(21)中的最高折射率的第2叠层部(23)；和高折射率层(21)的折射率从第2叠层部(23)侧逐渐变低的第3叠层部(24)，在该薄膜(19)中插入高折射率层(21)的折射率被设定为低于通过低折射率层(20)而邻接的两侧的其他高折射率层(21)的高折射率变动层部(25)。
光学滤波器设备

[发明专利]混合取向技术互补金属氧化物半导体结构及其制造方法-CN200810215388.1无效
发明人：张立伦;施里什·纳拉西马;维杰·纳拉亚南;杰弗里·W·斯莱特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-09-11 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：所述结构包括拉应力NFET栅极叠层和压应力PFET栅极叠层，其中各栅极叠层包括高介电常数氧化物/金属，并且其中所述拉应力NFET栅极叠层和所述压应力PFET栅极叠层中的应力源是所述高k金属栅极叠层中的金属
混合取向技术互补金属氧化物半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种叠层纸张计数方法及装置-CN201510955111.2在审
发明人：黄云;陈斌;黄泽文;黄其智 -专利权人：中科院广州电子技术有限公司
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种叠层纸张计数方法及装置，该方法包括：采集叠层纸张的叠层纹理图像；将叠层纹理图像转化成二值图像；根据预先获取的频率间隔，将上述二值图像划分为多个子图像；根据多个子图像，对叠层纹理图像中包括的叠层纸张进行计数本发明，实现了叠层纸张的机器计数，计数快、效率高，且计数准确性高。
一种纸张计数方法装置

[发明专利]三维高阻尼隔震支座-CN202210169524.8在审
发明人：宋廷苏;王林建;黄剑涛;肖华宁 -专利权人：中震华创（深圳）技术有限公司;中震华创（韶关）技术有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： E04B1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维高阻尼隔震支座，包括上法兰板、叠层橡胶和下法兰板，所述上法兰板固定在叠层橡胶的上端上，所述下法兰板固定在叠层橡胶的下端上，所述叠层橡胶的上端固定有高阻尼橡胶垫，所述高阻尼橡胶垫设置在上法兰板和叠层橡胶之间本发明的三维高阻尼隔震支座，通过高阻尼橡胶垫的设置，可有效减小隔震支座竖向刚度，有效的减少竖向地震。
三维阻尼支座

[发明专利]滤光片和光学仪器-CN200410058250.7有效
发明人：和田顺雄;川俣健;丰原延好;新田佳树 -专利权人：奥林巴斯株式会社
申请日： 2004-08-20 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：在一种滤光片中，通过将多个低折射率层和多个高折射率层从基板侧交替层叠来形成薄膜。所述薄膜包括第一、第二以及第三层叠部分。在第一层叠部分中，多个高折射率层的折射率逐渐变高。在第二层叠部分中，多个高折射率层的折射率基本上等于构成第一层叠部分的多个高折射率层的最高折射率。在第三层叠部分中，多个高折射率层的折射率逐渐变低，并且多个低折射率层的折射率基本上等于构成第二层叠部分的多个低折射率层的最低折射率。第一和第二层叠部分的多个低折射率层具有一低折射率层一致部分或一低折射率层递减部分。
滤光光学仪器

[发明专利]高带宽倾斜叠层芯片封装-CN201080032861.8有效
发明人： R·J·德罗斯特;J·G·米切尔;D·C·道格拉斯 -专利权人：甲骨文美国公司
申请日： 2010-07-09 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：所述芯片封装包括相互偏移，从而限定出带有露出的焊盘的梯台的半导体裸片或芯片的叠层。近似平行于所述梯台布置的高带宽倾斜组件与露出的焊盘电耦合。通过消除对半导体裸片中的成本高并且占用面积的硅穿孔(TSV)的需要，芯片封装可有利于按照提供高带宽和低成本的方式堆叠芯片。
带宽倾斜芯片封装

[实用新型]三维高阻尼隔震支座-CN202220373270.7有效
发明人：宋廷苏;王林建;黄剑涛;肖华宁 -专利权人：中震华创（深圳）技术有限公司;中震华创（韶关）技术有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： E04B1/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种三维高阻尼隔震支座，包括上法兰板、叠层橡胶和下法兰板，所述上法兰板固定在叠层橡胶的上端上，所述下法兰板固定在叠层橡胶的下端上，所述叠层橡胶的上端固定有高阻尼橡胶垫，所述高阻尼橡胶垫设置在上法兰板和叠层橡胶之间本实用新型的三维高阻尼隔震支座，通过高阻尼橡胶垫的设置，可有效减小隔震支座竖向刚度，有效的减少竖向地震。
三维阻尼支座

[实用新型]一种高阻尼叠层橡胶垫-CN201320130085.6有效
发明人：郑顺利;郑顺发 -专利权人：广东宇泰减震科技有限公司
申请日： 2013-03-20 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： E04B1/98 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高阻尼叠层橡胶垫，所述高阻尼叠层橡胶垫包括：上连接钢板、下连接钢板和叠层橡胶，所述叠层橡胶位于所述上连接钢板和下连接钢板之间，所述叠层橡胶由带铅芯的橡胶和中间钢板交替叠加而成，在所述叠层橡胶的中间位置开有内孔，所述内孔的开口位于所述下连接钢板的底部，在内孔壁上设有一层缓冲保护橡胶，限位钢棒插入到所述内孔中，所述限位钢棒与上连接钢板之间保留有缝隙，该缝隙的高度为8毫米。本实用新型在叠层橡胶中插入了限位钢棒，限位钢棒受力弯曲，可提供阻尼力，从而起到保护高阻尼叠层橡胶垫的作用，具有较高的实际应用价值。
一种阻尼橡胶垫

[发明专利]一种金属与高熵合金叠层复合材料及其制备方法-CN201910090710.0在审
发明人：曾龙;夏明许;李建国 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： B32B15/01 文献下载
摘要：本发明提出了一种金属与高熵合金叠层复合材料及其制备方法是由金属和高熵合金交替叠放，然后通过常规的叠层复合材料制备方法获得。本发明金属—高熵合金叠层复合材料叠层层数为2层以上，叠层间距为20～1000um；所述金属可以是纯金属(Al、Ti、Ni等)，也可以是相应的合金；所述金属可以是块状，也可以是粉末状；所述高熵合金可以是粉末状的，也可以是块状的；所述高熵合金可以通过电弧熔炼、球磨等多种方法制备；所述常规的叠层复合材料制备方法包括连接复合法和沉积复合法；所述连接复合法包括挤压、冷轧、锻造、热压烧结等多种方法；所述沉积复合法包括磁控溅射
一种金属合金复合材料及其制备方法

[发明专利]多层印刷电路板-CN201711190331.6在审
发明人：闵太泓;姜明杉;朴庸镇 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：根据本发明的一个方面的多层印刷电路板包括：第一层叠体；第二层叠体，布置于第一层叠体上；接合绝缘层，用于使第一层叠体与第二层叠体相互接合；以及金属接合部，包含高熔点金属和熔融点低于所述高熔点金属的熔融点的低熔点金属，并形成于接合绝缘层以使第一层叠体与第二层叠体相互电连接。
层叠体接合绝缘层多层印刷电路板高熔点金属熔融点多层印刷电路低熔点金属金属接合部电连接

[实用新型]叠设高掺杂层的GaN单晶衬底-CN202023034009.4有效
发明人：顾泓;刘宗亮;徐科 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种叠设高掺杂层的GaN单晶衬底。所述叠设高掺杂层的GaN单晶衬底包括籽晶和叠设在所述籽晶上的非掺杂氮化镓层和高掺杂氮化镓层，所述高掺杂氮化镓层分布在两个所述非掺杂氮化镓层之间。本实用新型实施例提供的一种叠设高掺杂层的GaN单晶衬底，通过周期性、间隔式插入氮化镓晶体的高浓度杂质掺杂层，使非掺杂氮化镓层间内的应力得到有效释放，最终有效提高了所得的氮化镓晶体质量。
叠设高掺杂 gan 衬底

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