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[发明专利]三层结构树脂基复合材料用前驱体及其制备方法-CN201910436236.2有效
发明人：梁国正;卢纯青;顾嫒娟;袁莉 -专利权人：苏州大学
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： B29C41/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种三层结构树脂基复合材料用前驱体及其制备方法；得到的三层结构复合材料中，中间层为绝缘体，其两侧为导电层，从而导致中间层与上下两表面层电性能存在差异，既提高了三层结构复合材料的击穿强度，又使得其具有非常高的介电常数以及足够低的介电损耗；有效解决了现有技术复合材料介电常数很低，无法满足高储能密度材料的问题；本发明三层结构树脂基复合材料兼具高介电常数、低介电损耗和高储能密度，并且制备工艺简单易行，适合大规模应用。
三层结构树脂复合材料前驱及其制备方法

[发明专利]一种大功率储能电源-CN201210505512.4无效
发明人：刘振升;胡立祥 -专利权人：济南航医纳科技有限公司
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： H01G4/002 文献下载
摘要：本发明公开了一种大功率储能电源，包括绝缘介电层（1），其特征是：所述介电绝缘层（1）内部设置有至少一个正内电极（2）和一个负内电极（3），所述正内电极（2）的一端通过正端电极（4）连接正极极性柱（5），所述负内电极（3）的一端通过负端电极（6）连接负极极性柱（7），所述绝缘介电层（1）两侧分别设置有抗干扰涂层（8），所述绝缘介电层（1）、正端电极（4）、负端电极（6）和抗干扰涂层（8）都包裹在绝缘涂层本发明储能密度高，是目前最好的锂电池的3-4倍、寿命长、充电快、成本低，与铅酸电池相当、可大电流放电等优点。
一种大功率电源

[发明专利]一种低电场、高能量密度的介电陶瓷及其制备方法-CN201610959974.1有效
发明人：刘泳斌;王妍;高景晖;钟力生;于钦学 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电场、高能量密度的介电陶瓷及其制备方法，该介电陶瓷的化学式为(1‑x)BaTiO₃‑xBaSnO₃，x为摩尔百分比，其中0.03≤x≤0.15，本发明采用固相合成的制备方法，得到了具有低电场下高储能性能的介电陶瓷，本发明的成分及工艺步骤简单、易于操作、重复性好；主要应用于高集成度小型化的便携和可穿戴电子设备等领域。
一种电场高能量密度陶瓷及其制备方法

[实用新型]一种基于终端需求侧的分布式多能互补耦合高效供能装置-CN202020668587.4有效
发明人：狄彦强;刘寿松;李颜颐;孔舒婷;廉雪丽;龙鹤 -专利权人：中国建筑科学研究院有限公司;中国建筑技术集团有限公司;中国建筑科学研究院有限公司重庆分院
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： F24S20/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于终端需求侧的分布式多能互补耦合高效供能装置，包括循环系统、水箱、风电储能系统、太阳集热系统和地热系统，循环系统包括具有第一介质的第一管路和具有第二介质的第二管路，水箱与第一、第二管路配合，水箱内的液态水与第一、第二介质进行热交换，风电储能系统内循环有第三介质，风电储能系统与第一管路配合，第三介质与第一介质进行热交换，太阳集热系统接入第一管路，第一介质在太阳集热系统内循环，地热系统接入第二管路，第二介质在地热系统内循环。本实用新型采用风电、光热、地热联合供能，解决单一可再生资源利用局限性的问题，提高了能源使用效率。
一种基于终端需求分布式多能互补耦合高效装置

[发明专利]一种介电储能反铁电陶瓷材料及其制备方法-CN201710696022.X有效
发明人：姜胜林;刘品;张光祖;杨东海;郇正利 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： C04B35/491 文献下载
摘要：本发明公开了一种介电储能反铁电陶瓷材料及其制备方法，其中制备方法包括：将储能密度负温度系数反铁电陶瓷材料和储能密度正温度系数反铁电陶瓷材料按照质量比(30‑80)：(20‑70)混合得到混合粉末；向混合粉末中添加聚乙烯醇溶液，然后烧结得到介电储能反铁电陶瓷材料。本发明通过将储能密度负温度系数反铁电陶瓷材料和储能密度正温度系数反铁电陶瓷材料固溶，获得了在宽温区范围内(20℃‑150℃)，储能密度稳定性＞85％、储能效率为85％(150℃)且最低储能密度为2.77J/cm³的储能材料。本发明解决了现有的反铁电陶瓷材料存在温度稳定性差的技术问题，这对反铁电储能陶瓷材料的实际应用具有重要价值。
反铁电陶瓷储能介电制备负温度系数正温度系数混合粉末聚乙烯醇溶液密度稳定性温度稳定性储能材料储能陶瓷储能效率反铁电宽温区质量比烧结固溶应用

[发明专利]一种高介电性能聚偏氟乙烯碳化钛纳米片复合材料的制备方法-CN201711290938.1有效
发明人：刘晓旭;李彦鹏;李娜;闫凯;岳东 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：一种高介电性能聚偏氟乙烯碳化钛纳米片复合材料的制备方法，它涉及一种聚偏氟乙烯复合材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有聚偏氟乙烯的介电常数低的问题。方法：一、制备二维层状TiC纳米片；二、复合，得到碳化钛纳米片质量分数为5％～20％的高介电性能聚偏氟乙烯碳化钛纳米片复合材料。本发明制备的高介电性能聚偏氟乙烯碳化钛纳米片复合材料可应用于微电子加工、集成电路、高效率储能元件领域；本发明制备的高介电性能聚偏氟乙烯碳化钛纳米片复合材料的介电常数为9.8～19.1。本发明可获得一种高介电性能聚偏氟乙烯碳化钛纳米片复合材料。
一种高介电性能聚偏氟乙烯碳化纳米复合材料制备方法

[发明专利]一种PVDF基复合薄膜及其制备方法-CN201911264493.9在审
发明人：王一平;李雄杰;杨颖;陈朋;何亭睿;胡悫睿;维陶塔斯·奥斯塔瑟维修斯 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种PVDF基复合薄膜及其制备方法，涉及电介质领域，能够提高复合薄膜的击穿强度和储能密度。本发明采用层层自组装技术形成多层有序的三明治结构，各个异质功能层分别以高介电的P(VDF‑TrFE‑CTFE)为三明治结构的顶层和底层，然后利用低介电、高击穿场强的交联化不饱和P(VDF‑CTFE‑DB顶部和底部的高介电P(VDF‑TrFE‑CTFE)能为复合薄膜提供较大的电位移，中间层的交联结构能有效抑制薄膜在高电场下电荷的聚集，将异质层界面电场重新进行分配，并且阻碍电树枝的进一步发展，提高复合薄膜的击穿强度同时，本发明制备工艺简单，在实现高储能性能的同时也避免了一些制备工艺复杂、高成本的无机纳米材料的使用，且最大限度保持了薄膜的柔软性和耐久性。
一种 pvdf 复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种聚芳酰胺/聚醚酰亚胺高温储能共混薄膜介电材料及其制备方法和应用-CN202210304936.8有效
发明人：商赢双;周晨义;张海博;韩金轩;刘新;于畅;杨洋 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C08L79/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种聚芳酰胺/聚醚酰亚胺高温储能共混薄膜介电材料及其制备方法和应用，属于聚合物基电介质材料技术领域。由聚芳酰胺和聚醚酰亚胺制得，本发明通过将具有氢键的芳香族聚酰胺(聚芳酰胺)与聚醚酰亚胺进行共混，利用聚芳酰胺与PEI中的羰基形成氢键作用来限制PEI基体的β‑松弛，从而改善PEI基复合材料的高温储能性能，本发明提供的聚芳酰胺/聚醚酰亚胺高温储能共混薄膜介电材料是一种全有机共混电介质材料，显著抑制了PEI高温下的β‑松弛，降低了高温下的漏导电流和能量损耗，并且同时具备高击穿强度、高能量密度以及高充放电效率等优势，能够满足现在及未来对高温聚合物电介质储能材料的需求。
一种聚芳酰胺聚醚酰亚胺高温储能共混薄膜材料及其制备方法应用

[实用新型]全聚合物复合层及介电储能电容器-CN201821564190.X有效
发明人：汪宏;陈杰;牛玉娟 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： C09D127/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及介电材料技术领域，具体提供一种全聚合物复合层及介电储能电容器。本实用新型的复合层兼具高储能密度、高储能效率和良好的机械加工性，其击穿场强≥400MV/m，放电效率≥70%，储能密度≥10J/cm
聚合物层聚合物层表面聚合物复合层本实用新型介电材料介电常数电阻率高储能储能电容器机械加工性电子器件放电效率击穿场强复合层储能介电应用

[发明专利]柔性储能薄膜的制备方法-CN201811611926.9有效
发明人：冯雪;王志建;陈颖 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01G4/002 文献下载
摘要：本发明涉及一种柔性储能薄膜的制备方法。所述制备方法包括：提供一柔性金属衬底；在所述柔性金属衬底上沉积形成钛酸锶薄膜预制层；对带有钛酸锶薄膜预制层的柔性金属衬底进行热处理得到钛酸锶层，从而得到柔性储能薄膜。该储能薄膜采用钛酸锶材料，通过该制备方法实现储能薄膜的柔性化。同时，制备得到的储能薄膜具有高介电常数、低介电损耗、高击穿场强和高储能密度，可以用作薄膜电容器的电介质材料。
柔性薄膜制备方法

[发明专利]一种用于介电材料或储能材料的聚合物基薄膜-CN202110033167.8有效
发明人：周光远;姜敏;王国强 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明涉及高分子领域及能源领域，公开一种用于介电材料或储能材料的聚合物基薄膜，所述薄膜的成分为聚呋喃二甲酸乙二醇酯(PEF)，所述聚呋喃二甲酸乙二醇酯的结构如式(I)所示：#imgabs0#还公开了PEF在电介质领域方面的应用和薄膜电容器储能方面的应用。应用在电介质材料领域，PEF具有高的介电常数5.41和低的介电损耗0.019。应用在薄膜电容器领域，PEF在300MV/m具有高的放电能量密度和超高充放电效率96％，高于大部分聚合物。本发明为生物基材料在电介质领域和储能领域的应用提供了依据。
一种用于材料聚合物薄膜

[发明专利]一种用于高密储能器的3D石墨烯电极、制备及应用-CN201510204866.9在审
发明人：扈胜禄 -专利权人：扈胜禄
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01M4/133 文献下载
摘要：本发明涉及储能器技术领域，特别涉一种3D石墨烯电极、制备及应用。所述电极由石墨烯与功能材料复合的多孔材料、电极基板和外电极组成，包括多种不同功能3D石墨烯电极。本发明3D石墨烯电极应用于高密锂硫电池、高密锂硅电池、高密超级电容器、高密法拉第电容器、高密电池电容器，特别是还可应用于与现有薄层电池正极装配成高工作电压、高储能密度的电池电容器。本发明还公开了以磷片石墨为原材料、用物理液相解离法大量、快速制备本征还原态石墨烯和分散液的方法，及制备高介电常数、低介电损耗、高工作电压膜的方法。本发明的非锂储能技术和同时采用电极电化学储能、正负电极对垒和介电质膜极化综合储能的技术，是高密储能原始创新技术。
一种用于高密储能器石墨电极制备应用

[发明专利]一种复合结构高电能密度厚膜及其制备方法-CN201310446607.8有效
发明人：郝喜红;赵烨;刘云颖;李晓伟;杨吉春;安胜利 -专利权人：内蒙古科技大学
申请日： 2013-09-26 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C04B41/85 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合结构高电能密度厚膜及其制备方法，属于电子功能材料与器件领域。为提高反铁电厚膜的储能密度，本发明制备得到表面覆盖ZnO覆盖层的锆酸铅基反铁电复合厚膜材料，使制得的复合结构的锆酸铅基反铁电厚膜既具有较高的储能密度和介电常数，又具有较低的介电损耗，能够在高功率大容量电容器中得到应用
一种复合结构电能密度及其制备方法

[发明专利]一种可拉伸的高储能密度介电复合材料的制备方法-CN202010149492.6有效
发明人：张书香;马佳晨;张炉青;张亚彬;宗传永;翟丛丛 -专利权人：济南大学
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种可拉伸的高储能密度介电复合材料的制备方法，属于高分子复合材料合成技术领域，本发明首先制备含分子链内双键的聚合物基质，然后对陶瓷填料的表面改性得到巯基改性的钛酸钡，然后将聚合物基质与陶瓷填料利用巯基和双键在两相界面处构建共价键，得到介电复合材料。通过在复合材料的界面处构建共价键来提高介电复合材料不同组分之间的界面粘附力，进一步提高了两相间的相互作用力，为实现良好的拉伸性能和高储能密度提供了条件，减少复合材料内部的结构缺陷，显著的提高了复合材料的机械性能和击穿性能，并成功抑制了复合材料的介电损耗，为制备高储能密度的复合材料提供了新方法。
一种拉伸高储能密度复合材料制备方法

[发明专利]一种制造高介电聚合物复合薄膜的方法-CN201410178975.3无效
发明人：杨亚杰;袁文涛;杨文耀;杨晓洁;徐建华;蒋亚东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： B32B27/08 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种高介电聚合物复合薄膜的制备方法，包括：采用LB膜法在基片上制备聚合物超薄膜，然后通过喷涂法在聚合物薄膜表面制备氧化剂/纳米粒子复合薄膜，接着采用化学气相聚合沉积的方法在聚合物表面获得导电聚合物/纳米粒子复合薄膜，然后在复合薄膜上采用LB膜法沉积另一层聚合物薄膜，最后对获得的复合薄膜进行热处理，从而获得一种高介电聚合物复合薄膜。该方法制备的复合薄膜为聚合物电介质/纳米粒子电介质/导电聚合物/聚合物电介质的高介电复合薄膜，并具有自支撑的特点，在高储能密度电容器及其它储能器件上有十分广泛的用途。
一种制造高介电聚合物复合薄膜方法