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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储装置、其操作方法及控制电路-CN202110515845.4在审
发明人：郑映燉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：所述存储装置包括页缓冲器电路，该页缓冲器电路包括多个页缓冲器级，该多个页缓冲器级各自包括多个页缓冲器。该存储装置还包括控制电路，该控制电路被配置为产生用于控制所述多个页缓冲器的页缓冲器控制信号。该控制电路还被配置为通过与由所述页缓冲器控制信号构成的多个页缓冲器控制信号组中的每一个页缓冲器控制信号组对应的探测路径来探测所述多个页缓冲器控制信号组中的每一个页缓冲器控制信号组。
存储装置操作方法控制电路

[发明专利]页缓冲器电路及其操作方法-CN201510031306.8有效
发明人：陈重光;陈汉松;洪俊雄 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-01-22 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种页缓冲器电路及其操作方法，该页缓冲器电路包含多个页缓冲器，这些页缓冲器包含第一页缓冲器。第一页缓冲器用以加载第一缓冲器的输入数据及至少一邻近页缓冲器的输入数据。第一页缓冲器也用以对应第一缓冲器的输入数据及至少一邻近页缓冲器的输入数据施加一偏压到一位线。
缓冲器电路及其操作方法

[发明专利]用于稳定内部电压的存储器设备及稳定其内部电压的方法-CN202010200570.0在审
发明人：朴庸河;金埰勋;南尚完 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：提供了一种控制存储器设备方法，该存储器设备包括页缓冲器电路，所述页缓冲器电路包括多个页缓冲器，每个页缓冲器包括至少一个锁存器。该方法包括：由内部电压电路生成内部电压当中的用于所述页缓冲器电路的操作的至少一个内部电压，其中所述内部电压电路向所述页缓冲器电路提供所述至少一个内部电压；向所述页缓冲器电路提供用于形成在所述内部电压电路和不用于在所述页缓冲器电路中进行缓冲的所述多个页缓冲器中的第一页缓冲器的第一电节点之间、在对所述多个页缓冲器中的第二页缓冲器的第一锁存器的设定操作期间的电连接的控制信号。
用于稳定内部电压存储器设备方法

[发明专利]存储器装置-CN202211370395.5在审
发明人：曺溶成;金珉辉;平野诚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G11C7/18 文献下载
摘要：提供一种存储器装置。所述存储器装置包括存储器单元阵列和页缓冲器电路，其中，页缓冲器电路包括：页缓冲器单元，包括上部页缓冲器单元和下部页缓冲器单元；以及高速缓存单元，布置在上部页缓冲器单元与下部页缓冲器单元之间。每个页缓冲器单元包括感测节点和通道晶体管。上部高速缓存单元共享第一组合感测节点，并且下部高速缓存单元共享第二组合感测节点。在数据传输时段中，分别包括在页缓冲器单元中的感测节点通过分别包括在页缓冲器单元中的通道晶体管的串联连接来彼此电连接。
存储器装置

[发明专利]在单元之下具有页缓冲器单元的非易失性存储器件-CN201410584878.4有效
发明人：吴星来;金东赫 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-10-27 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器件，其包括：单元阵列；分布式页缓冲器，其包括设置在单元阵列之下的多个页缓冲器单元，多个页缓冲器单元具有一定尺寸；以及分布式页缓冲器控制电路，其包括多个页缓冲器控制电路单元，每个页缓冲器控制电路单元布置在对应的页缓冲器单元的一侧，并且配置成控制对应的页缓冲器单元的操作，多个页缓冲器控制电路单元中的每个页缓冲器控制电路单元具有预定尺寸。
单元之下具有缓冲器非易失性存储器

[发明专利]存储装置以及操作该存储装置的方法-CN202010348182.7在审
发明人：刘炳晟 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：该存储装置可包括：存储器装置，其包括存储器单元阵列和页缓冲器；以及存储控制器，其包括写缓冲器。存储器装置还可包括页缓冲器状态确定器，页缓冲器状态确定器被配置为基于页缓冲器的状态来生成页缓冲器状态信号并将该页缓冲器状态信号提供给存储控制器。存储控制器还可包括写操作控制器，写操作控制器被配置为响应于页缓冲器状态信号将从主机提供的数据提供给页缓冲器或写缓冲器，并且基于写缓冲器的状态来控制存储器装置将存储在页缓冲器中的数据编程到存储器单元阵列。
存储装置以及操作方法

[发明专利]页缓冲器电路和包括页缓冲器电路的非易失性存储器装置-CN202110684480.8在审
发明人：曺溶成;田炳宽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：提供了页缓冲器电路和包括页缓冲器电路的非易失性存储器装置。非易失性存储器装置包括包含存储器单元的存储器单元阵列和页缓冲器电路。页缓冲器电路包括多个页缓冲器单元和多个高速缓存锁存器。多个高速缓存锁存器沿第一水平方向与多个页缓冲器单元间隔开，并对应于多个页缓冲器单元中的相应页缓冲器单元。每个页缓冲器单元包括连接到每个感测节点并响应于传输控制信号而被驱动的传输晶体管。页缓冲器电路被配置为基于执行用于将从第一部分页缓冲器单元提供的数据从第一部分高速缓存锁存器输出到数据输入/输出(I/O)线的第一数据输出操作，执行被配置为将来自第二部分页缓冲器单元的感测数据转储到第二部分高速缓存锁存器的数据传送操作
缓冲器电路包括非易失性存储器装置

[发明专利]包括页缓冲器的存储器装置-CN201811523099.8有效
发明人：吴星来;金东赫;丁寿男 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G06F12/0802 文献下载
摘要：包括页缓冲器的存储器装置。一种存储器装置，其包括：多条位线；页缓冲器电路，其包括电联接至所述多条位线的多个页缓冲器；以及缓存电路，其包括电联接至所述多个页缓冲器的多个缓存，其中，页缓冲器电路的级数小于缓存电路的级数。
包括缓冲器存储器装置

[发明专利]非易失性存储器装置-CN202111330921.0在审
发明人：李明雨;金采勳;金志桓;宋仲镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供一种非易失性存储器装置。所述非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，在第一半导体层中并且包括连接到第一字线和第一位线的第一存储器单元和连接到第一字线和第二位线的第二存储器单元；页缓冲器电路，在第二半导体层中并且包括连接到第一位线的第一页缓冲器和连接到第二位线的第二页缓冲器；以及页缓冲器控制器，在第二半导体层中。页缓冲器控制器控制第一页缓冲器和第二页缓冲器，使得第一页缓冲器的第一感测节点的发展时序与第二页缓冲器的第二感测节点的发展时序不同。第一页缓冲器比第二页缓冲器靠近贯穿电极区域。
非易失性存储器装置

[发明专利]半导体器件及其操作方法-CN201210191050.3有效
发明人：白侊虎;朴镇寿;梁彰元 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：所述半导体器件包括：单元串，所述单元串每个都包括多个存储器单元；页缓冲器，所述页缓冲器与位线耦接且被配置成响应于页缓冲器控制信号对所述位线预充电以及将数据储存在锁存器中；页缓冲器控制电路，所述页缓冲器控制电路被配置成利用高电压源产生所述页缓冲器控制信号；以及控制器，所述控制器被配置成产生用于控制所述页缓冲器控制电路的控制信号。
半导体器件及其操作方法

[发明专利]多级单元存储器-CN201280074302.2在审
发明人： N.穆拉利马诺哈;H.B.庸;N.P.朱皮 -专利权人：慧与发展有限责任合伙企业
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种多级单元存储器，包括：存储器单元，其存储两个或更多位的信息；感测电路，其耦合到存储器单元；以及行缓冲器结构，其包括分页缓冲器，所述分页缓冲器具有第一页缓冲器和第二页缓冲器。感测电路进行操作以读自和写至存储器设备，将第一位置于第一页缓冲器和第二页缓冲器之一中，并且将第二位置于第一页缓冲器和第二页缓冲器之一中。
多级单元存储器

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN202010903258.8在审
发明人：崔亨进 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本技术涉及一种存储器装置及其操作方法。该存储器装置包括：存储块；第一页缓冲器组和第二页缓冲器组，所述第一页缓冲器组和所述第二页缓冲器组连接到存储块的位线；以及控制逻辑，其被配置为控制所述第一页缓冲器组和所述第二页缓冲器组同时部分地执行感测节点预充电操作
存储器装置及其操作方法

[发明专利]存储装置及其操作方法-CN201810047368.1有效
发明人：权敬桓;蔡昇完 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：一种支持内建自测BIST操作的存储装置包括：多个存储单元；页缓冲器组，所述页缓冲器组包括分别通过位线联接至所述多个存储单元的页缓冲器电路；内建自测BIST控制器，所述BIST控制器被配置为生成要存储在所述页缓冲器电路中的图案数据和要与从所述页缓冲器电路获得的感测数据进行比较的参考数据，并且被配置为将所述参考数据与所述感测数据进行比较；以及输入/输出控制电路，所述输入/输出控制电路被配置为将所述图案数据输入到所述页缓冲器电路，并且将所述感测数据从所述页缓冲器电路传送到所述BIST控制器
存储装置及其操作方法

[发明专利]半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法-CN202110609567.9在审
发明人：金在雄 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法。半导体存储器设备包括存储器块和外围电路。存储器块包括正常页和缓冲器页。正常页中的每个正常页包括存储N位数据的存储器单元。缓冲器页中的每个缓冲器页包括存储一位数据的存储器单元。外围电路接收第一页数据，并且在第一缓冲器页中对第一页数据执行单级单元(SLC)编程。另外，外围电路接收第二页数据，并且在第二缓冲器页中对第二页数据执行SLC编程。另外，外围电路基于分别在第一和第二缓冲器页中编程的第一和第二页数据，对正常页执行多级编程操作。
半导体存储器设备操作方法

[发明专利]存储装置和操作存储装置的方法-CN201610974364.9有效
发明人：朴商秀;沈炯教 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G11C8/06 文献下载
摘要：存储装置包括存储单元阵列和页缓冲器电路。存储单元阵列包括多个存储单元，而且所述多个存储单元被划分为第一存储器组和第二存储器组。第一页缓冲器组耦合至第一存储器组并且包括多个第一页缓冲器。第二页缓冲器组耦合至第二存储器组并且包括多个第二页缓冲器。第一页缓冲器组针对储存在第一页缓冲器组中的数据执行第一数据处理操作，并储存第一数据处理操作的结果。第二页缓冲器组针对储存在第二页缓冲器组中的数据执行第二数据处理操作，并储存第二数据处理操作的结果。第一数据处理操作和第二数据处理操作基本上同时执行。
存储装置操作方法

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