[发明专利]一种对闪存进行操作的方法和系统芯片有效
| 申请号： | 201310078401.4 | 申请日： | 2013-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN103150184B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 李栋梁 | 申请（专利权）人： | 青岛中星微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F9/445 | 分类号： | G06F9/445 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;安利霞 |
| 地址： | 266109 山东省青岛*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种对闪存进行操作的方法和系统芯片，系统芯片包括非易失性控制器和非易失性存储区；方法包括：在系统芯片上电之后，系统芯片中内置的固件启动，初始化非易失性控制器和非易失性存储区；通过非易失性控制器读取非易失性存储区中的控制数据和程序数据，并存放在SRAM中；根据控制数据跳转到SRAM中的预定位置，通过执行固件以及预定位置起始的一段程序数据，与Nand‑flash之间建立读写通道；加载Nand‑flash中的程序和数据到系统芯片内存中并执行。无论Nand‑flash中的数据发生了什么变化，均能够加载Nand‑flash成功，克服了现有不兼容的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 进行 操作 方法 系统 芯片 | ||
【主权项】：
一种对闪存进行操作的方法，其特征在于，系统芯片包括非易失性控制器和非易失性存储区；方法包括：在系统芯片上电之后，系统芯片中内置的固件启动，初始化非易失性控制器和非易失性存储区；通过非易失性控制器读取非易失性存储区中的控制数据到SRAM中；所述控制数据用于控制固件的执行流程；当所述系统芯片支持新型Nand‑flash时，读取所述非易失性存储区中保存的程序数据到SRAM中，所述程序数据是对新型Nand‑flash现有的功能进行扩展的数据，所述新型Nand‑flash具有标准Nand‑flash读写接口之外的自定义的操作命令；根据所述控制数据跳转到SRAM中的预定位置，通过执行固件以及预定位置起始的一段所述程序数据，与新型Nand‑flash之间建立读写通道；加载新型Nand‑flash中的程序和数据到系统芯片内存中并执行。
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