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[实用新型]多用途资料转换与影像显示装置-CN02252506.8无效
发明人：汪台成 -专利权人：虚实科技股份有限公司
申请日： 2002-09-05 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： G09G5/00 文献下载
摘要：一种多用途资料转换与影像显示装置，包括：一程序系统，由一中央处理单元分别与一程序挥发性存储单元、一程序非挥发性只读存储单元连结而成，该中央处理单元存取该程序挥发性存储单元的零页框、堆叠及暂存器，亦存取该程序非挥发性只读存储单元的控制命令、指令及声音资料，以执行图像的显示；一影像系统，连接中央处理单元，由一图形单元分别与一影像挥发性存储单元及一特性非挥发性只读存储单元连结而成；通过该中央处理单元控制该影像系统进行资料转换，使该图形单元分别驱动不同预定数目的显示装置显示影像
多用途资料转换影像显示装置

[发明专利]药物组合物-CN201080051595.3有效
发明人： A·F·戴维斯 -专利权人：富图拉医药发展有限公司
申请日： 2010-11-10 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： A61K31/245 文献下载
摘要：一种药物组合物，包含溶于在本质上不含水的载体系统中的活性成分，该载体系统包括挥发性和非挥发性组分，其中挥发性组分包含用于活化成分的挥发性的非溶剂和用于该非溶剂的挥发性溶剂化添加剂，非挥发性组分包含一种非挥发性的非溶剂和可选的用于活性成分的非挥发性的溶剂，挥发性和非挥发性的非溶剂由不同粘度的硅酮液体组成。
药物组合

[发明专利]存储器或铭牌电路-CN93119280.3无效
发明人： D·R·默里;P·R·兰伯特 -专利权人：纽-列克有限公司
申请日： 1993-09-14 - 公布日： 1994-06-15 - 主分类号： H01H9/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于电路断路器的存储器电路。该电路具有一个非挥发性存储器或一种由电池支持的存储器，及分接到不同时间常数各线路中的单根输入导线。从具有较长时间常路支路的各导线取得数据及选择输入信号。
存储器铭牌电路

[发明专利]字节编程方法以及页面编程方法-CN201710783560.2有效
发明人：林宏学 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种字节编程方法以及页面编程方法，字节编程方法用以将储存于页面暂存器的数据编程至非挥发性存储器阵列，包括：读取页面暂存器的选定的字节的数据，用以编程至选定的栏位址所对应的非挥发性存储器阵列中的存储器单元根据本发明，当页面暂存器的某一字节符合特定内容时，即不更新阵列栏位址，以减少位元线位址不必要的切换过程的电流损耗。
字节编程方法以及页面

[实用新型]非挥发性数字记忆纸片-CN200720182734.1无效
发明人：彭念劬;林志荣 -专利权人：创惟科技股份有限公司
申请日： 2007-09-29 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本实用新型非挥发性数字记忆纸片，是一种以纸片外型包装的非挥发性内存(Non－Volatile Memory；NVM)数字资料存储媒介(Digital StorageMedium)。该非挥发性数字记忆纸片包括有上层纸片、下层纸片以及封装于上层纸片与下层纸片之间的软性电路板。该软性电路板包括有数据传输接口、非挥发性内存控制单元以及非挥发性内存。该非挥发性内存以及非挥发性内存控制单元均是以未封装的芯片(Die)的形式粘贴于软性电路板上。本实用新型藉由纸张封装芯片，从而可以兼具传统纸张与非挥发性记忆卡的优点。
挥发性数字记忆纸片

[发明专利]基于硒化镉纳米线肖特基结型多字节非挥发性存储器及其制备方法-CN201210077102.4有效
发明人：蒋阳;吴翟;张玉刚;于永强;朱志峰;蓝新正 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2012-03-22 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： G11C13/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硒化镉纳米线肖特基结型多字节非挥发性存储器及其制备方法，其中硒化镉纳米线肖特基结型多字节非挥发性存储器具有如下结构：在覆有二氧化硅层(2)的硅基底(1)表面分散有硒化镉纳米线(5)，本发明工艺简单，存储性能稳定，读写速度较快，可实现纳米线的多字节存储能力，为存储器的小型化以及纳米材料在存储器中的应用奠定了基础。
基于硒化镉纳米线肖特基结型多字挥发性存储器及其制备方法

[发明专利]单栅极具多比特储存的非挥发性存储器的操作方法-CN200410100776.7无效
发明人：王立中;林信章;黄文谦;张浩诚 -专利权人：亿而得微电子股份有限公司
申请日： 2004-12-14 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明提出一种单栅极具多比特储存的非挥发性存储器的操作方法。该非挥发性存储器的存储胞为单栅极，其是在一P型或N型半导体基底上设置一晶体管及一电容结构，晶体管包含一第一导电栅极堆叠在一介电层表面，且二侧形成有离子掺杂区以作为源极及漏极，电容结构则包含一离子掺杂区及其上堆叠的介电层、第二导电栅极，且电容与晶体管的导电栅极是相电连接而形成存储胞的单浮接栅极。
栅极比特储存挥发性存储器操作方法

[发明专利]具有掉电自恢复功能的模块集成化多功能执行装置-CN201410219325.9有效
发明人：付庄;闫维新;赵言正 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2014-05-22 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：一种具有掉电自恢复功能的模块集成化多功能执行装置，包括通讯模块、控制模块、驱动模块、传动模块和输入输出模块，所述控制模块包括具有掉电记忆功能的非挥发性MCU控制子模块、非挥发性MCU自恢复子模块和铁电储存器子模块，非挥发性MCU控制子模块和非挥发性MCU自恢复子模块为具有内置铁电储存器的MCU处理器，当系统断电的瞬间，非挥发性MCU控制子模块记录当前的控制系统状态，非挥发性MCU自恢复子模块记录当前的传感器状态，当上电后，非挥发性MCU自恢复子模块把断电瞬间的传感器状态恢复，结合当时的传感器信息一同传输给非挥发性MCU控制子模块，挥发性MCU控制子模块立即从断电瞬间的控制系统状态继续执行。
具有掉电恢复功能模块集成化多功能执行装置

[发明专利]移动通讯设备-CN200610060972.5无效
发明人：谢冠宏;李晓光 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2006-06-02 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： H04Q7/32 文献下载
摘要：一种移动通讯设备，该移动通讯设备包括一存储单元、一非挥发性显示屏、一处理单元及多个按键。其中存储单元，存储各种通讯资料；处理单元，连接该非挥发性显示屏及存储单元，在切断非挥发性显示屏电源之前读取存储单元中的通讯录，显示该通讯录部分通讯记录于非挥发性显示屏，并切断该非挥发性显示屏的电源供给，其中显示的通讯记录按其通讯频率顺序排列；每一按键对应非挥发性显示屏上一通讯记录，按压该按键可直接对该按键对应通讯记录进行通讯。
移动通讯设备

[发明专利]藉助于多阶段垃圾收集管理以进行存取控制的方法以及相关设备-CN202211207655.7在审
发明人：杨宗杰 -专利权人：慧荣科技股份有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明提供藉助于多阶段垃圾收集管理以进行存储器装置的存取控制的方法及相关设备。该方法包含：在第一垃圾收集阶段的期间，向非挥发性存储器发送第一简单读取指令以尝试从第一源区块读取第一有效数据，将第一有效数据发送到非挥发性存储器的内部缓冲器中，以供被编程到第一目的地区块中，发送第二简单读取指令以尝试从第一源区块读取第二有效数据
阶段垃圾收集管理进行存取控制方法以及相关设备

[发明专利]非挥发性存储单元及存储器-CN201110026927.9有效
发明人：霍宗亮;刘明;刘璟;王艳花;龙世兵 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种非挥发性存储单元及存储器。该存储单元由上至下依次包括：上电极、非对称隧穿势垒结构和下电极，其中该非对称隧穿势垒结构用于实现对穿过非挥发性存储单元的正、反向隧穿电流的整流调制。本发明存储单元采用非对称隧穿势垒结构，通过在非对称势垒两端施加不同极性的电压，其隧穿电流可以通过非对称的势垒高度和隧穿厚度的调整而获得很大的正反向电流差异，从而有效实现整流特性。
挥发性存储单元存储器

[发明专利]基于Al₂O₃薄膜的擦写一次读多次非挥发性存储器-CN201410289955.3在审
发明人：李伟民;吴曙翔;李树玮 -专利权人：中山大学
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及存储技术领域，公开了一种基于Al₂O₃薄膜的擦写一次读多次非挥发性存储器，包括衬底、Al₂O₃薄膜和Pt该存储器的结构为：铂—氧化铝薄膜—ITO导电玻璃（Pt—Al₂O₃—ITO），铂和ITO导电玻璃做电极。其中的氧化铝薄膜是通过分子束外延法制备而得到的。本发明的薄膜器件具有很高的可靠性和性能一致性，器件两种状态的阻值比约为104，可作为擦写一次读多次非挥发性存储器使用。
基于 al sub 薄膜擦写一次多次挥发性存储器

[发明专利]编程非挥发性存储器装置以降低位线干扰的方法及装置-CN201510539962.9有效
发明人：铃木淳弘;李亚睿;陈冠复;李致维 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种装置和方法以在编程非挥发性存储器时降低位线干扰。该方法包含：提供包含一组存储单元的非挥发性存储器装置；发射编程电压跨越该组存储单元的每一个；侦测每一存储单元的临界电压；基于每一存储单元侦测到的至少一临界电压辨识该组存储单元的快速分组及该组存储单元的慢速分组；并且，发射编程电压直到该组存储单元的每一存储单元的临界电压大于验证电压，在每一发射中，快速位线偏压被施加到对应快速分组的每一存储单元的每一位线，慢速位线偏压被施加到对应慢速分组的每一存储单元的每一位线
编程挥发性存储器装置降低干扰方法

[发明专利]一种危机应急处理多核心微控制器仲裁架构及其工作模式-CN201210572843.X无效
发明人：亢勇;陈邦明 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： G06F9/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种危机应急处理多核心微控制器仲裁架构，包括：多核心微控制器，实现处理微控制器中的数据；非挥发性存储器与非挥发寄存器文件单元，用于保存或恢复多核心微控制器的数据与寄存器数据；挥发性公用存储单元，用于存储多核心微控制器的数据；输入输出接口控制单元，其用于控制多核心微控制器的输入输出；仲裁逻辑单元，其用于对多核心微控制器的核心进行仲裁。本发明还提出了危机应急处理多核心微控制器仲裁架构的工作模式。
一种危机应急处理多核控制器仲裁架构及其工作模式

[发明专利]非挥发性半导体存储装置-CN201410452790.7有效
发明人：福田良 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种加工难度低且谋求动作控制性的提高的非挥发性半导体存储装置。本实施方式的非挥发性半导体存储装置包括：第1存储器串，其包含串联连接的多个第1存储单元晶体管、及第1选择晶体管；第2存储器串，其包含串联连接的多个第2存储单元晶体管、及第2选择晶体管；位线，其电性连接在所述第1存储器串的一端及所述第2存储器串的一端；第1晶体管，其栅极电性连接在所述第1存储器串的另一端；源极线，其电性连接在所述第1晶体管的一端；以及第2晶体管，其栅极电性连接在所述第2存储器串的另一端，且其一端电性连接在所述第
存储器串电性连接晶体管非挥发性半导体存储装置存储单元晶体管选择晶体管栅极电性位线动作控制源极线加工