专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]单向长纤维增强复合材料的横向微观结构生成方法-CN201810862061.7有效
  • 费庆国;王猛;李彦斌;张培伟;郭飞;于静巍 - 东南大学
  • 2018-08-01 - 2023-04-07 - G16C60/00
  • 本发明提供了一种单向长纤维增强复合材料的横向微观结构生成方法,在需生成RVE模型的目标区域内,确定RVE模型的初始参数,将规则分布的纤维位置作为初始纤维位置,结合相邻的行或列之间交叉算法,在保证纤维在边界处的周期性条件下,通过随机摄动方法,生成具有周期重复的纤维随机分布的RVE,基于获得的随机纤维位置坐标,确定微孔隙的初始位置,并随机确定孔隙的尺寸和形状,通过对孔隙的位置进行随机摄动,最终建立考虑纤维和微孔隙随机分布的复合材料横向微观模型本发明考虑了单向长纤维复合材料横向微观结构的重构技术,针对纤维和孔隙的随机分布,均采用随机摄动方法,可以有效、高效地建立考虑纤维和孔隙随机分布的横向RVE模型。
  • 单向纤维增强复合材料横向微观结构生成方法
  • [发明专利]一种字符防伪结构及其制作方法-CN201410317036.2在审
  • 李峰 - 李峰
  • 2014-07-04 - 2014-10-08 - G09F3/02
  • 本发明提供了一种字符防伪结构及其制作方法;所述字符方位结构包括基层与表层,所述基层与表层之间至少部分区域设有包含随机字符的特征层;所述表层覆盖在设置有所述特征层的基层上;所述随机字符包括手写或印刷的字符;各所述随机字符具有随机的旋转角度;所述基层上未被所述特征层覆盖的区域印刷有与所述随机字符对应的条形码和/或二维码,以及与所述条形码和/或二维码对应的序号;该序号至少包括随机码及字符特征码,所述字符特征码根据所述随机字符的特征生成本发明利用字符及其随机展示效果进行防伪的方案,能克服现有防伪技术的缺陷。
  • 一种字符防伪结构及其制作方法
  • [发明专利]一种基于FeFET结构的真随机数发生器、制备及使用方法-CN202211276898.6在审
  • 张睿;郑嘉麒 - 浙江大学
  • 2022-10-18 - 2023-03-07 - H01L29/51
  • 本发明公开了一种基于FeFET结构的真随机数发生器、制备及使用方法。制造该器件首先在硅衬底上刻蚀形成沟道区域,沉积多晶硅,形成多晶硅沟道;其次分别沉积氧化层、铁电层和栅电极层,通过光刻和刻蚀形成铁电场效应晶体管的栅极结构;最后在栅极两侧形成铁电场效应晶体管的源漏区域,形成真随机数发生器通过外围电路测量FeFET器件的导通电阻作为真随机数。本发明利用FeFET的铁电层在极化翻转过程中发生翻转的第一个铁电畴的位置和电压具有随机性,在晶体管性能上的表现为阈值电压的随机变化,产生随机变化的导通电阻,实现真随机数的发生。该真随机数发生器结构简单、易于集成、功耗低且具有CMOS兼容性。
  • 一种基于fefet结构随机数发生器制备使用方法
  • [发明专利]混沌随机数发生器及发生方法-CN202011111156.9有效
  • 彭金辉;雷宗华;张磊;刘熙胖;雷宇龙;刘武忠;乔绍虎 - 郑州信大捷安信息技术股份有限公司
  • 2020-10-16 - 2022-02-22 - G06F7/58
  • 本发明属于集成电路的信息安全技术领域,公开一种混沌随机数发生器及发生方法,该混沌随机数发生器包括:随机源产生电路和后处理电路;所述随机源产生电路,用于通过多路混沌随机源产生多路初始随机源,并将多路初始随机源数字化后进行异或叠加生成初始随机数且输出至后处理电路;其中,每一路混沌随机源至少包括多个混沌映射单元,采用链式环形电路结构,且通过混沌映射单元中设置的二维混沌映射电路,获取一路初始随机源;所述后处理电路,用于对初始随机数进行检测、运算与串并转换处理后,输出最终随机数序列本发明能够保证混沌随机数发生器的稳定性和输出序列的随机性。
  • 混沌随机数发生器发生方法
  • [实用新型]一种低功耗FIFO的电路结构-CN201620095725.8有效
  • 李潇 - 启芯瑞华科技(武汉)有限公司
  • 2016-01-29 - 2016-08-31 - G06F5/06
  • 本实用新型提供一种低功耗FIFO的电路结构,包括大容量的静态随机存储器、用于控制在静态随机存储器写入数据地址的写控制电路,和用于控制从静态随机存储器读出数据地址的读控制电路,其特征在于:所述的大容量的静态随机存储器由若干个小容量的静态随机存储器构成;本电路结构还包括用于控制每个小容量的静态随机存储器的工作模式的模式控制器,模式控制器的输入端分别与写控制电路和读控制电路连接,模式控制器的输出端数量与小容量的静态随机存储器相同,每个模式控制器的输出端与一个小容量的静态随机存储器连接利用本实用新型结构极大地减小了功耗,节约了电能。
  • 一种功耗fifo电路结构
  • [发明专利]一种随机稀疏声阵列超指向结构生成方法-CN201511019030.8有效
  • 刘志红;李会超;刘尊民;仪垂杰;李燕超;李贺 - 青岛理工大学
  • 2015-12-29 - 2019-01-08 - G01S1/72
  • 本发明公开了一种随机稀疏声阵列超指向结构生成方法,包括以下步骤:步骤一:根据目标声源特性,将目标声源区域进行网格划分和均匀网格分区;步骤二:设置阵列结构优化参数,在步骤一的各分区中随机生成一定数量的随机稀疏矩阵;步骤三:根据设定性能参数和筛选准则,对步骤二中的随机稀疏矩阵进行结构阵性能筛选,获取随机稀疏声阵列超指向结构。本发明的有益效果是:减少了目标对象的盲目性,提高了位置收索速度,增强了针对性,大大降低了随机稀疏矩阵生成速度,增强了阵列稀疏性,提高其经济性;可在候选阵中快速找出符合性能要求的阵列结构,同时生成超指向性波束
  • 一种随机稀疏阵列指向结构生成方法

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