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[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310567414.8在审
发明人：周明杰;冯小明;张娟娟;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种有机电致发光器件，包括导电阳极基底、阴极、层叠设置于所述导电阳极基底的阳极层及所述阴极之间的至少两个有机电致发光单元及设置于相邻的两个有机电致发光单元之间的电荷生成层，所述电荷生成层包括自靠近所述阳极层的方向至远离所述阳极层的方向依次层叠的低功函数金属层、半导体氧化物层及高功函数金属层，所述低功函数金属层的材料为功函数为3.0～4.0eV的金属，所述高功函数金属层的材料为功函数为4.4eV～6.0的金属，所述半导体氧化物层的材料为功函数为4.0eV～4.4eV
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种功函数可调微显示器结构及其制备工艺-CN202211311865.0在审
发明人：吕迅;刘胜芳;祖伟;尹立平;徐瑞;柏峰 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种功函数可调微显示器结构，包括硅基片、驱动电路衬底2和阳极，驱动电路衬底制备在硅基片中，阳极制备在硅基片上位于驱动电路衬底上方，所述阳极包括R像素阳极、G像素阳极和像素阳极，R像素阳极、G像素阳极和B像素阳极均包括：粘结层、反射层、扩散阻挡层和功函数调节层，在RGB三个像素阳极的功函数调节层中分别离子注入电子或空穴，提高阳极载流子迁移率，同时独立调节RGB阳极功函数4.5‑8eV和折射率本发明公开了一种功函数可调微显示器结构的制备工艺。
一种函数可调显示器结构及其制备工艺

[发明专利]基于双阳极结构的AlGaN/GaN基肖特基势垒二极管及制造方法-CN202010543406.X在审
发明人：王霄;王婷婷;敖金平;徐杨;何悦;冶琼 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双阳极结构的AlGaN/GaN基肖特基势垒二极管及制造方法，属于微电子技术领域，包括衬底和衬底上方的氮化镓外延层，氮化镓外延层上制备欧姆阴极以及具有两种功函数的肖特基阳极，所述的肖特基阳极中，低功函数肖特基阳极结构的正下方AlGaN势垒层被部分刻蚀或者全部刻蚀。高功函数的金属位于本征AlGaN势垒层上方并覆盖在低功函数金属上。本发明利用低功函数金属与二维电子气的接触，降低器件的开启电压，而高功函数肖特基金属抑制了器件的反向漏电，实现高的反向击穿电压，从而调控器件的正向以及反向电学特性，采用这种双阳极器件结构能够同时实现器件的低开启电压和高反向击穿电压
基于阳极结构 algan gan 肖特基势垒二极管制造方法

[发明专利]一种柔性显示器件及其制备方法-CN201710156304.0在审
发明人：潘彪 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明涉及显示技术领域，尤其是一种柔性显示器件，包括衬底、设置在衬底上的阳极层、以及，在所述阳极层上从下至上设置的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层和封装层，所述阳极层包括设置于所述衬底上的第三金属层，以及，上下层叠设置于所述第三金属层上的第一金属层、第二金属层；所述第一金属层、第三金属层的功函数大于所述第二金属层；所述第一金属层和/或第三金属层的功函数不小于4.5eV。本发明采用了较高功函数的金属材料制备阳极层，同时对金属材料表面进行表面处理后得到高功函数的阳极层表面，进一步可以提高阳极的功函数，提高空穴的注入效率。
一种柔性显示器件及其制备方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310567473.5在审
发明人：周明杰;冯小明;张娟娟;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种有机电致发光器件，包括导电阳极基底、阴极、层叠设置于导电阳极基底的阳极层及阴极之间的至少两个有机电致发光单元及设置于相邻的两个有机电致发光单元之间的电荷生成层，电荷生成层包括依次层叠的低功函数金属层、第一半导体氧化物层、第二半导体氧化物层及高功函数金属层，低功函数金属层的材料为功函数为3.0～4.4eV的金属，高功函数金属层的材料为功函数为5.0eV～7.0的金属，第一半导体氧化物层的材料为功函数为4.4eV～4.7eV的金属氧化物，第二半导体氧化物层的材料为功函数为4.47eV～5.0eV的金属氧化物。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种GaN基肖特基二极管及其制备方法-CN202010349946.4在审
发明人：王登贵;周建军;陈韬;孔岑;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：所述电极中阴极是在势垒层上沉积低功函数金属并退火而形成的欧姆接触，所述电极中阳极指金属‑绝缘层‑半导体（MIS）栅控结构中的高功函数金属与后沉积的低功函数金属共同组成的混合阳极结构。本发明基于高功函数金属/绝缘介质/p‑GaN的MIS栅控结构与高功函数金属/低功函数金属的混合阳极结构，不仅能够有效减小并调控器件的正向开启电压，降低导通电阻，而且可进一步改善器件的反向漏电，提高反向击穿电压
一种 gan 基肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种新型可调功函数的高反射率Micro OELD的阳极结构及其制备方法-CN202011248249.6在审
发明人：乔程;刘晓佳;祖伟 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种新型可调功函数的高反射率Micro OELD的阳极结构及其制备方法，阳极结构从下到上依次为基板、第一层IGZO、Ag层和第二层IGZO；本发明提供可调功函数的阳极结构，其中反射率较高且可与本发明选择可调节功函数的阳极材料可提高与空穴注入层材料的HOMO间势垒差越小，有效降低器件的开启电压，从而改善器件的稳定性和发光效率，提高器件的寿命。由于金属Ag的电阻率小，导电性优秀，加之反射率较Al更高，可以提高发光亮度另阳极顶层使用可调节IGZO材料，其功函数范围为提高空穴注入效率，提高器件发光效率。
一种新型可调函数反射率 micro oeld 阳极结构及其制备方法

[发明专利]一种肖特基二极管及其制作方法-CN201510075753.3在审
发明人：张乃千;赵树峰;陈洪维 -专利权人：苏州捷芯威半导体有限公司
申请日： 2015-02-12 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：；位于第二半导体层上的第一钝化介质层，第一钝化层露出部分第二半导体层；位于露出的部分第二半导体层上或延伸至第一钝化介质层上表面的阴极；从第一钝化介质层延伸至二维电子气所在区域或超过二维电子气所在区域的阳极沟槽；位于阳极沟槽上，并延伸至第二半导体层上表面的低功函数阳极；覆盖低功函数阳极的高功函数阳极，高功函数阳极和低功函数阳极电连接。
一种肖特基二极管及其制作方法

[发明专利]一种GaN基异质结肖特基二极管器件及其制作方法-CN201410323609.2在审
发明人：刘扬;钟健;姚尧 -专利权人：中山大学
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：在外延层阳极区域刻蚀形成凹槽，凹槽与异质结构势垒层的部分表面蒸镀低功函数金属层，低功函数金属层上方以及异质结构势垒层平面区域蒸镀高功函数金属层。高低功函数金属层构成混合阳极。本发明实现混合阳极金属与阳极凹槽技术的结合，正向偏压下电流通过阳极凹槽侧壁提前开启，反向偏压下通过异质结构势垒层表面的高功函数金属层截止反向漏电流，实现了正反向电流通道的分离，可达到低开启电压，低反向漏电流的
一种 gan 基异质结肖特基二极管器件及其制作方法

[发明专利]垂直型肖特基二极管及其制作方法-CN201710050359.3有效
发明人：冯倩;徐通;韩根全;方立伟;李翔;邢翔宇;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：其自下而上，包括阴极电极、高掺杂n型Ga₂O₃衬底、低掺杂n型Ga₂O₃外延层、低功函数阳极电极，该外延层上淀积有低功函数阳极电极，高掺杂衬底的下表面淀积有阴极电极，低功函数阳极与n型Ga₂O₃外延层形成肖特基接触，阴极与衬底形成欧姆接触。低掺杂n型Ga₂O₃外延层上间隔分布有M个凹槽，M≥6，凹槽中沉积有高功函数阳极电极和厚度在0.5～1μm范围内的有机铁电介质，且高功函数阳极电极位于有机铁电介质之上
垂直型肖特基二极管及其制作方法

[实用新型]一种GaN基异质结肖特基二极管器件-CN201420375894.8有效
发明人：刘扬;钟健;姚尧 -专利权人：中山大学
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：在外延层阳极区域刻蚀形成凹槽，凹槽与异质结构势垒层的部分表面蒸镀低功函数金属层，低功函数金属层上方以及异质结构势垒层平面区域蒸镀高功函数金属层。高低功函数金属层构成混合阳极。本实用新型实现混合阳极金属与阳极凹槽技术的结合，正向偏压下电流通过阳极凹槽侧壁提前开启，反向偏压下通过异质结构势垒层表面的高功函数金属层截止反向漏电流，实现了正反向电流通道的分离，可达到低开启电压，低反向漏电流的
一种 gan 基异质结肖特基二极管器件

[发明专利]一种微显示器多功能阳极结构及其制备工艺-CN202211311850.4在审
发明人：吕迅;刘胜芳;祖伟;徐瑞;尹立平;李敏 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种微显示器多功能阳极结构，阳极包括R像素阳极、G像素阳极和B像素阳极，R像素阳极、G像素阳极和B像素阳极均包括：粘结层、反射层、扩散阻挡层和功函数调节层4，粘结层、反射层、扩散阻挡层和功函数调节层自下而上依次设置，R像素阳极、G像素阳极、B像素阳极三个像素阳极中反射层的厚度不同、使用的材料不同，三个像素阳极中功函数调节层厚度不同、使用的材料不同。本发明公开了一种微显示器多功能阳极结构的制备工艺。
一种显示器多功能阳极结构及其制备工艺

[发明专利]混合阳极电极结构的GaN基肖特基二极管及其制备方法-CN201610500501.5在审
发明人：刘宁炀;陈志涛;刘晓燕;赵维;贺龙飞;王君君 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种混合阳极电极结构的GaN基肖特基二极管及其制备方法，包括衬底、外延层、电极及钝化介质绝缘层，所述电极的阴极电极是在外延层表面的阴极区域沉积金属并退火而形成的欧姆接触，所述电极的第一阳极电极是在外延层表面的第一阳极区域沉积低功函数金属层而形成的第一个肖特基接触，所述电极的第二阳极电极是在外延层表面的第二阳极区域先沉积极薄介质层、再沉积高功函数金属层而形成的第二个肖特基接触，所述的两个肖特基接触共同形成混合阳极电极结构。本发明采用低功函数金属电极和高功函数金属‑极薄介质电极的混合结构，分别作为GaN基肖特基二极管的第一阳极和第二阳极，能够在有效地降低器件开启电压的基础上，进一步减小器件反向漏电流，改善器件表面电场分布，
混合阳极电极结构 gan 基肖特基二极管及其制备方法

[实用新型]混合阳极电极结构的GaN基肖特基二极管-CN201620672880.1有效
发明人：刘宁炀;陈志涛;刘晓燕;赵维;贺龙飞;王君君 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种混合阳极电极结构的GaN基肖特基二极管，包括衬底、外延层、电极及钝化介质绝缘层，所述电极的阴极电极是在外延层表面的阴极区域沉积金属并退火而形成的欧姆接触，所述电极的第一阳极电极是在外延层表面的第一阳极区域沉积低功函数金属层而形成的第一个肖特基接触，所述电极的第二阳极电极是在外延层表面的第二阳极区域先沉积极薄介质层、再沉积高功函数金属层而形成的第二个肖特基接触，所述的两个肖特基接触共同形成混合阳极电极结构。本实用新型采用低功函数金属电极和高功函数金属‑极薄介质电极的混合结构，分别作为GaN基肖特基二极管的第一阳极和第二阳极，能够在有效地降低器件开启电压的基础上，进一步减小器件反向漏电流，改善器件表面电场分布
混合阳极电极结构 gan 基肖特基二极管

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310370308.0无效
发明人：周明杰;黄辉;钟铁涛;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-08-22 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述散射层包括形成于阳极表面的金属掺杂层及形成于所述金属掺杂层表面的二氧化钛层；所述金属掺杂层的材料包括高功函数金属及掺杂在所述高功函数金属中的铜的化合物，所述高功函数金属与所述铜的化合物的质量比为0.5:1～2:1，所述高功函数金属的功函数为-4.0～-5.5eV；所述二氧化钛层的材料为二氧化钛
有机电致发光器件及其制备方法

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