专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]按键的结构-CN200720309287.1无效
  • 邱灯锋 - 邱灯锋
  • 2007-12-28 - 2008-12-31 - H01H13/705
  • 一种按键的结构,具有一盒盖状的本体,且所述本体的背面设有一对轴承座,其中轴承座设有一枢轴孔及一开口部,所述开口部形成一斜向隘口且斜向贯通所述枢轴孔,这种帽的轴承座结构,可使帽射出成型制品的表面极佳
  • 按键结构
  • [实用新型]改良的排结构-CN200420051190.1无效
  • 卢明兴 - 建兴电子科技股份有限公司
  • 2004-05-27 - 2005-05-25 - H01H13/14
  • 本实用新型有关一种改良的排结构,主要包括由复数个按键构件成排连结所构成的排,其特征为各按键构件之间介由一弹性构件相互连结且各该按键构件上设有定位孔。依据本实用新型的改良排结构,由各按键构件间所设的弹性构件作为缓冲用途,可使排制造时因为经历热烘烤等制程所产生的变形得以获得调整,而使各按键构件上的定位孔得与对向构件的精准柱进行精准定位。
  • 改良结构
  • [实用新型]支架式结构-CN200520114408.8无效
  • 冯水兴 - 深圳市金积嘉电子工业有限公司
  • 2005-07-26 - 2006-09-27 - H01H13/12
  • 一种支架式结构,包括帽、架桥以及将架桥装配在帽上的架桥装配机构,所述架桥装配机构设置在所述帽的底面,所述架桥包括一对结构相同的支架,所述支架相互卡合,并分别枢接在所述架桥装配机构上。本实用新型支架式结构通过架桥的一对结构相同支架相互卡合,并分别与架桥装配机构的枢接,使得帽手感流畅,大大改善现有结构帽与机壳摩擦造成的手感不良,具有平衡性好的优点,改善了帽四个角的不流畅现象,不会发生卡
  • 架式结构
  • [发明专利]合的晶片结构-CN201180069982.4有效
  • R·L·阿利;D·J·米利根 - 惠普发展公司;有限责任合伙企业
  • 2011-05-09 - 2014-01-08 - H01L27/00
  • 本公开包括合的晶片结构和形成合的晶片结构的方法。形成合的晶片结构的一个示例包括将经由具有与之相关联的预定晶片间隙(216,316)的合工艺合在一起的第一晶片(202,302)和第二晶片(204,304),并在将第一晶片(202,302)与第二晶片(204,304)合在一起之前,在第一晶片(202,302)上形成台面(215,315,415),其中基于与合的晶片结构相关联的目标元件间隙(217,317)确定台面(215,315,415)的高度
  • 晶片结构
  • [发明专利]结构及其形成方法、晶圆结构及晶圆的合方法-CN202110264360.2在审
  • 高林;蒋阳波;王光毅 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2018-11-29 - 2021-06-29 - H01L21/768
  • 本发明涉及半导体制作领域,尤其涉及一种结构及其形成方法、晶圆结构及晶圆的合方法。所述晶圆间结构的形成方法包括:提供基底;在所述基底上形成停止层,所述停止层的材料为掺碳的氮化硅;在所述停止层中形成通孔,所述通孔不插入所述衬底;形成保护层,所述保护层覆盖所述通孔的侧壁和底部表面;在所述保护层上形成金属材料层,所述金属材料层填充满所述通孔;平坦化所述金属材料层直至停止层,从而在所述通孔中形成合金属层,所述合金属层和两侧的停止层构成结构。本发明的方法防止了合金属层表面凹陷缺陷的产生,提高了合的强度。
  • 结构及其形成方法晶圆键合
  • [发明专利]一种用于多层合堆叠的结构制作方法和结构-CN201710449132.6有效
  • 程文静 - 武汉新芯集成电路制造有限公司
  • 2017-06-14 - 2019-01-25 - H01L21/60
  • 本发明特别涉及一种用于多层合堆叠的结构制作方法和结构。方法包括:在晶圆的介质层表面预设位置处沉积正面合点,晶圆包括第一基底和介质层,介质层包含多个金属连接点;将部分金属连接点引出,形成金属转移点;在金属转移点处进行通孔刻蚀,形成多个通孔;对通孔内部进行导电金属淀积,填充通孔;对基底远离介质层的表面进行减薄和化学机械平坦化处理,直至露出导电金属,以导电金属为背面合点,形成正面和背面都有合点的用于多层合堆叠的结构。通过本发明的方法能实现多个晶圆或芯片的合堆叠,可以有效提高集成电路芯片线路设计的自由性以及芯片的有效利用面积,减少了由于连线太长造成的电阻大以及带宽降低等问题。
  • 一种用于多层堆叠结构制作方法
  • [发明专利]一种晶圆级封装结构及其制造方法-CN202110349000.2有效
  • 魏涛;杨清华;唐兆云;赖志国;王家友;钱盈;王友良;于保宁 - 苏州汉天下电子有限公司
  • 2021-03-31 - 2022-12-06 - H01L21/60
  • 本发明提供了一种晶圆级封装结构的制造方法,包括:提供正面形成有第一半导体器件的器件晶圆和封帽晶圆;在器件晶圆和封帽晶圆的正面分别形成第一结构和第二结构,第一结构仅包括第一合材料层第二结构仅包括第二合材料层,或第一结构和第二结构均包括交替设置的第一合材料层和第二合材料层、但第一结构和第二结构的顶层是不同的合材料层,第一合材料层和第二合材料层中一个材料是Cu或Cu合金另一个材料是Ni或Ni合金;对第一结构与第二结构进行合;将第一半导体器件的电信号引出至基板。本发明还提供了一种晶圆级封装结构。实施本发明可以有效降低晶圆级封装结构的制造成本。
  • 一种晶圆级封装结构及其制造方法
  • [发明专利]一种微流控芯片及其制备方法-CN201510890331.1有效
  • 周武平;黎海文;蒋克明;张涛;刘聪 - 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所
  • 2015-12-07 - 2017-11-03 - B01L3/00
  • 本发明提供了一种微流控芯片,包括第一合元件、第二合元件、用于此两个合元件合的合溶液,以及用于辅助合的合溶液注入孔、排气孔、辅助合流道、辅助合毛细结构。本发明采用在微流控芯片两合表面制作出一种特殊的辅助合微结构,该微结构形成一系列闭合的回路;在合时,只有在这种特殊的辅助合微结构内充满合溶液;这样,在所有辅助合微结构处,相邻两块微流控芯片基板都被牢固的合在一起;而其他位置则不会与合溶液接触,进而保持原始形貌;由于此键合方法可以采用粘接胶水和合溶剂等作为合溶液,因此可以实现高合强度。
  • 一种微流控芯片及其制备方法
  • [发明专利]芯片转移方法、芯片及目标基板-CN201910333482.5有效
  • 陈亮;王磊;玄明花;肖丽;刘冬妮;赵德涛;陈昊 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2019-04-24 - 2021-05-14 - H01L21/683
  • 该方法包括:将目标基板设置在密闭腔室内,并向目标基板的第一基板结构施加第一极性的电荷;向芯片的第一芯片结构施加第二极性的电荷,第二极性与第一极性不同;向密闭腔室内注入绝缘流体,使芯片悬浮于绝缘流体中,第一芯片结构靠近第一基板结构移动,带动芯片靠近目标基板移动,第一芯片结构通过对位孔与第一基板结构接触,第二芯片结构通过对位缝与第二基板结构接触;向芯片施加压力,使第一芯片结构与第一基板结构合,第二芯片结构与第二基板结构合。
  • 芯片转移方法目标
  • [发明专利]结构及其形成方法-CN201410199435.3有效
  • 周鸣 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-05-12 - 2019-02-12 - H01L23/488
  • 本申请公开了一种结构及其形成方法,该结构包括:合层,合层包括合金属和晶粒细化材料,晶粒细化材料用于细化合金属的晶粒。本申请为了解决现有技术中的合层的机械强度较差的问题,使合层包括合金属和用于细化合金属晶粒的晶粒细化材料,这样,便可以使合金属的晶粒细化,进而可以提高合层的机械强度,使得合层的结构更加稳固,有效地避免了出现结构合层容易松动、脱落的问题。
  • 结构及其形成方法

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