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[发明专利]一种柔性金属铜薄膜的制备方法-CN201810756473.2在审
发明人：赵荣荣;陈同来;柳伟 -专利权人：中国海洋大学
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明公开一种柔性金属铜薄膜，具有如下结构：金属铜薄膜/无机固化膜，通过（1）采用磁控溅射法，将金属铜溅射至硬性衬底上；（2）采用涂敷法，将无机固化膜涂敷至金属铜薄膜表面；（3）烘箱中烘干后，采用直接剥离法，将金属铜薄膜/无机固化膜从硬性衬底上剥离出来；（4）获取的金属铜薄膜/无机固化膜可以直接贴服至任意衬底材料上，抑或单独使用。上述的金属铜薄膜，与现有的金属铜薄膜相比，具有使用灵便，粘附性好，有良好的机械性能等特点。
金属铜薄膜无机固化衬底机械性能烘箱磁控溅射法衬底材料单独使用柔性金属剥离法金属铜铜薄膜涂敷法粘附性烘干溅射膜涂剥离

[发明专利]金属薄膜缺陷的检测方法-CN202111561816.8在审
发明人：孙洪福;罗锟;丁同国;梁肖 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种金属薄膜缺陷的检测方法，先在半导体衬底上形成具有铜析出物的金属薄膜，然后执行湿法清洗工艺以在所述金属薄膜的表面形成与所述铜析出物对应的空洞，在执行湿法清洗工艺的过程中，湿法清洗工艺的清洗液会与金属薄膜表面的铜析出物发生化学反应从而形成所述空洞，通过空洞可以简单、准确及快速的得到金属薄膜表面的铜析出物的缺陷分布。进一步的，通过扫描所述金属薄膜以获得所述金属薄膜表面预定区域内的空洞的数量，可将金属薄膜表面的铜析出物缺陷可量化，由此可以表征金属薄膜的铜析出物缺陷的含量，从而通过铜析出物的含量评估金属薄膜的质量。
金属薄膜缺陷检测方法

[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法-CN201410019642.6在审
发明人：徐苗;赵铭杰;罗东向;徐华;邹建华;陶洪;王磊;彭俊彪 -专利权人：广州新视界光电科技有限公司
申请日： 2014-01-16 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，金属氧化物薄膜晶体管含有由下层金属氧化物薄膜、铜基薄膜和上层金属氧化物薄膜以自下而上叠层构成的复合铜基薄膜，上层金属氧化物薄膜和下层金属氧化物薄膜均为金属氧化物薄膜；其中，下层金属氧化物薄膜作为铜基薄膜的粘附层并作为金属氧化物薄膜晶体管的有源层，铜基薄膜作为金属氧化物薄膜晶体管的源漏电极，上层金属氧化物层为铜基薄膜的保护层。该金属氧化物薄膜晶体管使用一块灰度掩膜版通过一次光刻工艺完成有源层和源漏电极及其电路布线的定义，简化了金属氧化物薄膜晶体管的制备工艺。本发明采用低布线电阻的铜基薄膜作为布线材料，具有制备工艺简单的特点。
金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种高精度超薄THz薄膜电路制作方法-CN201711103799.7有效
发明人：王进;许延峰;马子腾;孙毅;高冕;柏栓;汤柏林;阴磊 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十一研究所
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种高精度超薄THz薄膜电路制作方法，提供一玻璃基板；在玻璃基板表面上淀积第一金属铜层；在该第一金属铜层上制作光刻胶掩膜和电镀第二金属铜层；去除光刻胶掩膜，在第一金属铜层和第二金属铜层表面淀积一层二氧化硅介质层；研磨整平第二金属铜层及二氧化硅介质层；采用薄膜加工工艺在二氧化硅介质层上制作超薄THz薄膜电路图形；去除第一金属铜层和第二金属铜层，使超薄THz薄膜电路与玻璃基板分离；清洗超薄THz薄膜电路。本发明提高了超薄THz薄膜电路加工尺寸精度，降低了超薄THz超薄薄膜电路加工难度。
一种高精度超薄 thz 薄膜电路制作方法

[发明专利]一种用于复合铜箔膜的水电镀方法及设备-CN202211112763.6在审
发明人：吴培服;吴迪;周振;许庚午 -专利权人：江苏双星彩塑新材料股份有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C23C28/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于复合铜箔膜的水电镀方法及设备，所述水电镀设备包括铜电镀槽和保护电镀槽，形成有金属铜溅射层的聚酯薄膜输入铜电镀槽并形成金属铜电镀层；形成金属铜电镀层的聚脂薄膜从铜电镀槽输入保护电镀槽并形成保护层本申请通过将形成有金属铜溅射层的聚酯薄膜通过第一导电液体与电源负极联通；将形成有金属铜电镀层的聚酯薄膜通过第二导电液体与电源负极联通，彻底去掉了导电辊，让聚酯薄膜上的金属铜溅射层与第一导电液体和第二导电液体通过非接触的液体方式与电源负极联通，杜绝了现有技术在导电辊上形成刺破薄膜的镀层的情况。
一种用于复合铜箔水电方法设备

[发明专利]导电结构及其制作方法、阵列基板、显示装置-CN201510124556.6有效
发明人：操彬彬;林致远 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-03-19 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种导电结构及其制作方法、阵列基板、显示装置，该导电结构的制作方法包括在基板上依次形成阻挡金属薄膜、与所述阻挡金属薄膜层叠设置的铜金属薄膜；在所述铜金属薄膜上形成预设的光刻胶图案；对所述阻挡金属薄膜以及所述铜金属薄膜进行刻蚀；对所述刻蚀后所述阻挡金属薄膜中暴露出的侧壁以及所述铜金属薄膜中暴露出的侧壁进行氧化处理；采用剥离液剥离所述光刻胶图案。本发明实施方式提供的导电结构的制作方法，通过在采用湿法剥离工艺去除导电结构上的光刻胶前，对导电结构暴露出的侧壁进行氧化处理，使侧壁形成均一的金属氧化层，在进行湿法剥离时，能够有效改善铜金属薄膜与阻挡金属薄膜之间的界面分离现象
导电结构及其制作方法阵列显示装置

[发明专利]一种组成可控的铜锌锡薄膜材料和铜锌锡硫基太阳能电池及其两者的制备方法-CN201410353715.5有效
发明人：刘生忠;党文萍 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2014-07-23 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： C25D3/56 文献下载
摘要：本发明一种铜锌锡薄膜材料的制备方法，步骤如下1)铜锌锡薄膜材料含有至少铜、锌和锡三种主体金属元素；电镀液中含有任意两种主体金属元素；添加液含有第三种主体金属元素；2)在电镀液中有至少一个导电电极作为第一电极，待镀薄膜衬底作为第二电极；3)在第一电极和第二电极间通电时，控制速率加入添加液，即开始同时沉积含铜、锌和锡三种金属的薄膜，得到表面沉积铜锌锡金属薄膜的衬底；即为本发明铜锌锡薄膜材料。本发明一种铜锌锡硫基太阳能电池的制备方法，在步骤4)之后，在铜锌锡薄膜材料上依次沉积硫化镉缓冲层和ZnO薄膜以及ITO薄膜或AZO薄膜后得到本发明铜锌锡硫基太阳能电池。
一种组成可控铜锌锡薄膜材料铜锌锡硫基太阳能电池及其两者制备方法

[发明专利]复合铜导电薄膜及其制备方法以及金属布线电路-CN201410020227.2有效
发明人：徐苗;赵铭杰;陈子凯;彭俊彪;邹建华;陶洪;王磊 -专利权人：广州新视界光电科技有限公司
申请日： 2014-01-16 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01B5/00 文献下载
摘要：一种复合铜导电薄膜及其制备方法以及通过该复合导电薄膜制备而成的金属布线电路，复合铜导电薄膜自下而上依次设有增粘层、作为中间导电层的铜基薄膜及用于保护铜基薄膜的保护层，铜基薄膜为铜或者铜合金薄膜，增粘层和所述保护层均为非晶金属氧化物薄膜其制备方法包括在衬底上依次沉积增粘层、导电层和保护层，形成复合铜导电薄膜，复合铜导电薄膜经过图形化制成复合导电薄膜导线。本发明的复合铜导电薄膜粘附性好、耐氧化性优良。
复合导电薄膜及其制备方法以及金属布线电路

[发明专利]一种离子共掺的铜基吸收层薄膜和太阳电池及其制备方法-CN202310025830.9在审
发明人：王思宇;陈琦;马云鹏 -专利权人：天津商业大学
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子共掺的铜基吸收层薄膜和太阳电池及其制备方法，该离子共掺的铜基吸收层薄膜和太阳电池及其制备方法，包括：在Mo电极上沉积金属预置层薄膜；在硒化过程中引入碱金属硫化物作为碱金属源和硫源，对铜基吸收层薄膜进行碱金属和硫离子共掺，获得碱金属和硫离子共掺的铜基薄膜太阳电池。本发明中经过离子共掺杂后，铜基吸收层薄膜的带隙拓宽，电池的开路电压得到大幅提升，因此使效率获得提升。采用碱金属硫化物对铜基薄膜进行共掺杂的工艺简单，降低了太阳电池的制造成本。
一种离子吸收薄膜太阳电池及其制备方法

[发明专利]金属导线、电极及薄膜晶体管阵列基板的制造方法-CN200710063235.5有效
发明人：龙春平;李欣欣 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2007-01-04 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属栅线和栅电极的制造方法，包括：提供一基板；在基板上形成一层光刻胶，其图案和栅线以及栅电极的形状互补；在基板和光刻胶上，溅射形成一层铜金属薄膜或包含铜金属的复合薄膜；在剥离液里浸泡基板，去除光刻胶及其上形成的一层铜金属薄膜或包含铜金属的复合薄膜，形成铜金属栅线和栅电极或包含铜金属的复合薄膜结构的栅线和栅电极。本发明同时也公开了一种金属数据线和源、漏电极的制造方法，以及用金属栅线和栅电极、或/和数据线和源、漏电极的制造方法形成薄膜晶体管阵列基板的制造方法。本发明提供的方法，不使用刻蚀液进行金属导线和电极的腐蚀，通过剥离工艺直接形成铜金属导线和电极，能降低开发成本。
金属导线电极薄膜晶体管阵列制造方法

[发明专利]一种低阻铜膜玻璃及其制造方法-CN202211700871.5在审
发明人：陈诚;叶通;盛耀武;赵勇进;陈伟;张祥林;石林 -专利权人：凯盛信息显示材料（池州）有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种低阻铜膜玻璃及其制造方法，包括位于玻璃板和铜金属薄膜之间的钼金属薄膜，且铜金属薄膜外侧通过胶水粘连有丁苯橡胶层，且丁苯橡胶层和铜金属薄膜间夹持有内部存放酒精的弹性囊，所述弹性囊和调节箱间通过第一软管连通，且调节箱中部连通有带送液插头的第二软管，且丁苯橡胶层开设的透气槽上设置有和送液插头可拆卸连通的接液插座，本发明通过钼金属薄膜的设置显著优化了铜金属薄膜的附着力和表面电阻率，并通过丁苯橡胶层的设置避免铜金属薄膜易因外力撞击而脱落断裂的问题
一种低阻铜膜玻璃及其制造方法

[发明专利]一种可使析出的铜回熔到铝铜金属薄膜中的再加工方式-CN200810212316.1无效
发明人：周烽;徐忠良;邵峰 -专利权人：和舰科技（苏州）有限公司
申请日： 2008-09-08 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种可使析出的铜回熔到铝铜金属薄膜中的再加工方式。该再加工方式包括：将表面具有析出铜的铝铜金属薄膜的材料置于真空环境中，加温至350～600摄氏度，而后将该材料置于该真空环境中预定时间，使得铜回熔到铝铜金属薄膜中。上述预定的温度优选为400摄氏度。上述真空环境中具有预定压力；上述真空环境的压力小于2E-7托(Torr)；上述预定时间的长度根据铝铜金属薄膜的厚度来确定。采用本发明的再加工方式之后，可以使析出的铜回熔到AL-0.5CU金属薄膜中，从而减少报废，提高合格率。
一种析出铜回熔到铝铜金属薄膜中的再加方式

[发明专利]金属导电薄膜及其制备方法、以及薄膜晶体管-CN202110253492.5在审
发明人：鲜济遥;周佑联;许哲豪;袁海江 -专利权人：北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开一种金属导电薄膜及其制备方法、以及薄膜晶体管，所述金属导电薄膜包括铜层和共溅合金层，所述共溅合金层通过共溅射工艺成型于所述铜层的一侧，所述共溅合金层的材质包括铜和第一金属，所述第一金属包括钛、本发明提供的金属导电薄膜，通过在铜层的一侧设置附着性佳的共溅合金层，改善了金属导电薄膜的附着性；同时，共溅合金层的设置，能够阻止铜离子向半导体材料的扩散，有助于提高半导体产品的良品率；此外，由于共溅合金层是由铜和第一金属共溅射制得，相较传统的合金工艺，共溅合金层在蚀刻时，只需要一种铜蚀刻液即可完成整个金属导电薄膜的图案化蚀刻，且相较溅镀合金靶，共溅合金层的制备效率更高。
金属导电薄膜及其制备方法以及薄膜晶体管

[发明专利]一种激光在铜金属基底镀镍表面原位生长石墨烯薄膜的方法-CN202210080945.3在审
发明人：叶晓慧;郑希;强豪;齐明;陈萌瑧 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光在铜金属基底镀镍表面原位生长石墨烯薄膜的方法。通过在铜金属基底表面电化学镀一层金属镍形成铜镍合金涂层，在铜镍合金涂层上预涂不同固体碳源，然后采用激光辐照在铜镍合金涂层表面实现原位生长石墨烯薄膜。本发明激光原位生长使得石墨烯薄膜与铜金属基底间结合紧密，并且所生长的石墨烯薄膜具有优异的机械性能、耐电弧烧蚀能力及高导电性，可以对铜金属表面提供持久的抗电弧烧蚀保护，从而赋予铜金属优异的抗氧化性能和抗熔焊特性，弥补了铜金属材料因易氧化而产生熔焊导致铜基触头材料失效的问题，提升了铜金属材料的电工性能，进而延长了铜基材料所制备的动、静触头工件设备等的使用寿命和安全性。
一种激光金属基底表面原位生长石墨薄膜方法

[实用新型]纳米合金材料及电子产品-CN202021055929.1有效
发明人：夏祥国;李林军;任诗举 -专利权人：深圳市乐工新技术有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：纳米合金材料包括：铝箔薄膜层，该铝箔薄膜层的厚度大于或者等于1微米，且小于或者等于100微米，该铝箔薄膜层具有焊接面；可焊接金属层，该可焊接金属层通过气相沉积形成于铝箔薄膜层的焊接面上，该可焊接金属层的厚度大于或者等于0.05微米，且小于或者等于15微米；可焊接金属层是由铜，或者铜镍合金、铜锌合金、铜铟合金、铜锡合金、铜银合金、铜金合金以及铜镁合金中任意一种形成的金属层。
纳米合金材料电子产品

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