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[发明专利]用于连续制造复合带或复合板的方法和设备-CN201680051725.0在审
发明人： A·诺埃;M·斯塔斯克 -专利权人：矿山机械和轧钢机械制造有限公司
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： B32B38/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造复合带或复合板的方法，所述复合带或复合板包括至少一个由金属制成的下部覆盖层(1)、由金属制成的上部覆盖层(2)和至少一个设置在各覆盖层(1、2)之间的并且与它们材料锁合地连接的由塑料制成的芯层(3)，将用于下部覆盖层(1)的第一金属带(4)、用于上部覆盖层(2)的第二金属带(5)和用于芯层(3)的塑料幅材(6)连续地汇合并且在使用压力和/或热的情况下连续地彼此材料锁合地连接。所述方法的特征在于，所述金属带在连续过程启动时借助带连接装置局部地彼此连续。
用于连续制造复合复合板方法设备

[发明专利]磁性隧道结结构及磁性随机存储器-CN201911098275.2有效
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请提供一种磁性隧道结结构及磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构包括四亚层的多层材料结构形成的覆盖层。本申请通过多层覆盖层结构设计，可在结电阻面积积缩小的前提下，保持相对较高的隧穿磁阻率，同时避免覆盖层在沉积或/和退火工艺中，被沉积的金属穿过覆盖层，而到达自由层/底部覆盖层的界面，以保持热稳定性。
磁性隧道结构随机存储器

[发明专利]具导电凸块的半导体装置及其制法-CN200710001580.6无效
发明人：柯俊吉;黄建屏 -专利权人：矽品精密工业股份有限公司
申请日： 2007-01-08 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种具导电凸块的半导体装置及其制法，主要是在设有焊垫及保护层的半导体基材上形成与该焊垫电性导接的第一金属层，并覆盖一外露出部分第一金属层的第二覆盖层，接着于该第二覆盖层上形成与该第一金属层外露部分电性导接的第二金属层，并覆盖一第三覆盖层，且令该第三覆盖层设有开孔以外露出部分第二金属层，从而于该开孔中的第二金属层上形成包含有金属柱及焊锡材料的导电凸块，藉以利用该些覆盖层及金属层提供缓冲效果，以避免现有形成于焊垫上的焊块底部金属层因直接承受金属柱所传递的应力
导电半导体装置及其制法

[其他]具有覆盖层的金属背印刷胶布-CN201290000353.6有效
发明人：德特勒夫·勒德;斯特凡·菲尔格雷夫 -专利权人：康蒂泰克弹性体涂料有限公司
申请日： 2012-01-19 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： B41N10/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种金属背印刷胶布（2），该金属背印刷胶布包括以下各层：一个印刷层（4），一个金属箔（10），一个覆盖层（14），该覆盖层（14）经由一个粘合层（12）连接至背向该印刷层（4）的该金属箔（10）的表面，其中，该覆盖层（14）由一种无纺布组成。
具有覆盖层金属印刷胶布

[发明专利]金属磁铁以及使用该金属磁铁的马达-CN201010211877.7有效
发明人：吉田健一;萩原淳 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2010-06-23 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01F7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属磁铁(10)，其具有磁铁素体(12)以及磁铁素体(12)之上的覆盖层(14)，覆盖层(14)的马氏硬度为2000N/mm2以上，并且覆盖层(14)的弹性回复率为25％以下。本发明还涉及一种具备金属磁铁(10)的马达。
金属磁铁以及使用马达

[发明专利]带有标记的标准元件-CN01807807.9有效
发明人： A·施泰茨尔;H·克吕格尔;E·克里斯特尔 -专利权人：埃普科斯股份有限公司
申请日： 2001-03-05 - 公布日： 2003-06-04 - 主分类号： G09F3/00 文献下载
摘要：为了一种具有金属覆盖层(13)的标准元件(1)的标记制作，建议在该覆盖层上至少安排另一个反差层(14)，该反差层同该金属覆盖层形成一种良好的光学反差，该反差层为了制作标记可利用激光器刻蚀。
带有标记标准元件

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201310594715.X在审
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在其上依次形成蚀刻停止层和第一超低k介电层，在第一超低k介电层中形成铜金属互连层；回蚀刻第一超低k介电层，在铜金属互连层的两侧形成凹槽；沉积具有压应力的覆盖层，覆盖铜金属互连层和凹槽；在覆盖层上沉积第二超低k介电层，并执行化学机械研磨直至露出位于铜金属互连层顶部的覆盖层；沉积第三超低k介电层，覆盖第二超低k介电层和覆盖层；对第三超低k介电层和第二超低k介电层实施紫外光固化处理，以使覆盖层位于铜金属互连层的顶部和上部侧壁上的部分具有张应力。根据本发明，可以形成具有双应力的覆盖层，有效抑制铜的扩散行为，提高紫外光固化的效率。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种用镍或镍合金为表层的电极材料及其制备方法-CN200710008714.7无效
发明人：刘景祥;王庆生;戴德建 -专利权人：埃梯梯科能（厦门）电子科技有限公司
申请日： 2007-03-16 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： H01M4/02 文献下载
摘要：在条状金属材料基片的表面覆盖有镍或镍合金覆盖层，条状金属材料基片的厚度为0.05～4.99mm，宽度为1.99～149.9mm，镍或镍合金覆盖层的厚度为0.05～50μm。条状金属材料基片为铝或铝合金基片，镍或镍合金覆盖层采用化学镀或电镀的方法覆盖在铝或铝合金基片上。制备时选取铝薄板或铝合金薄板剪切成长条得条状金属材料基片；在条状金属材料基片上镀上一层镍合金覆盖层或镍覆盖层。
一种镍合金表层电极材料及其制备方法

[发明专利]用于过孔的倾斜的覆盖层及制造其的方法-CN202180033960.6在审
发明人： D·乔希;C·A·欧克洛;S·C·波拉德 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：公开了一种包括具有倾斜覆盖层的过孔的基材。该基材可包括具有第一表面、与该第一表面相背的第二表面、及过孔的基材，该过孔自该第一表面穿至该第二表面。该过孔可被金属层涂布，该金属层包括该第一表面上的第一倾斜覆盖层，且该第一倾斜覆盖层可包括第一外边缘，该第一外边缘与该第一表面形成大于95°的第一斜角。该基材可包括第二倾斜覆盖层，该第二倾斜覆盖层包括第二外边缘，该第二外边缘与该第二表面形成大于95°的第二斜角。还公开了制造倾斜覆盖层的方法。
用于倾斜覆盖层制造方法

[发明专利]半导体器件、双镶嵌结构的制作方法-CN200810202963.4有效
发明人：周鸣;孙武 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-11-18 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：其中双镶嵌结构的制作方法，包括：提供带有金属布线层的半导体衬底，在金属布线层上依次形成第一覆盖层、第一层间绝缘层、第二覆盖层；刻蚀第二覆盖层、第一层间绝缘层至露出第一覆盖层，形成接触孔；在接触孔内填充满底部抗反射层；在第二覆盖层和底部抗反射层上依次形成第二层间绝缘层；刻蚀第二层间绝缘层至露出第二覆盖层，形成沟槽，所述沟槽的位置与接触孔的位置对应并连通；去除接触孔内的底部抗反射层后，刻蚀第一覆盖层至露出金属布线层，
半导体器件镶嵌结构制作方法

[实用新型]基于大型数控框架式液压机的双金属复合导轨板-CN201420426348.2有效
发明人：陈涛;何江;汪洋 -专利权人：四川省内江旭源机床有限公司
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： B30B15/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了基于大型数控框架式液压机的双金属复合导轨板，包括导轨板，在导轨板上还设置有油槽与螺栓孔，该导轨板又由基础层与覆盖层组成；油槽曲折设置在导轨板的覆盖层上；螺栓孔在油槽两侧成阵列排列；基础层的材料为锡青铜合金，该基础层的厚度为6～18mm；覆盖层的材料为铜基金属，覆盖层设置在基础层的上表面，且与基础层固为一体，该覆盖层的厚度为2～5mm；油槽开设在覆盖层上，该油槽的深度为覆盖层厚度的一半。本实用新型提供一种基于大型数控框架式液压机的双金属复合导轨板，大大加强了导轨板的使用效果，提高了其使用寿命，降低了检查、维护以及更换的频率，提高了经济效益，促进了企业的发展。
基于大型数控框架液压机双金属复合导轨

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN200510064492.1有效
发明人：李显铭;林俊成;潘兴强;谢静华;彭兆贤;黄震麟;苏莉玲;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-04-18 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体元件及其制造方法，所述半导体元件，包括工作元件、位于工作元件上的绝缘层、位于绝缘层中至少一导线及位于绝缘层和导线上的覆盖层。覆盖层为非导电性，且包括至少一第一金属元素。此非导电的覆盖层包括位于导线和导线间的绝缘层上的第一金属氮化物、第一金属氧化物或第一金属氮氧化物。一界面区可形成在导线的表面上，且此界面区可包括覆盖层的金属元素。覆盖层可用以防止金属导线材料扩散至邻近绝缘层，此外其亦可以用作蚀刻阻挡层。本发明可以容易的结合一般的半导体制程，提供较佳的良率，且可改善可靠度。其亦可改进电致迁移的阻抗性。覆盖层中的界面区可使结构更为坚固，且和其下的导线可有更佳的黏着性。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]绝缘电线和线圈-CN201180069641.7无效
发明人：依田直人;驹村昇平;高义雄;山口正;柳原正宏 -专利权人：东京特殊电线株式会社
申请日： 2011-03-30 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01B7/00 文献下载
摘要：绝缘电线具备：将截面轮廓为非圆形的9根金属覆盖铜线（4）集合而整体的截面轮廓形成正方形的集合线（11）、第1绝缘覆盖层（1）、第2绝缘覆盖层（2）、第3绝缘覆盖层（3）。金属覆盖铜线（4）为在铜线（4a）的外周形成锡或锡合金或锌或锌合金的金属覆盖层（4b）的铜线。也可以使用铜合金线或铝线或铝合金线代替铜线（4a）。在从直流至高频的宽频带中能够平均地使损失减小。
绝缘电线线圈

[发明专利]具有高K金属栅极的金属氧化物半导体的形成方法-CN201010604745.0有效
发明人：蒋莉;黎铭琦 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-12-23 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种具有高K金属栅极的金属氧化物半导体的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有替代栅电极层，以及覆盖所述替代栅电极层的覆盖层；形成覆盖所述半导体衬底和覆盖层的层间介质层；对所述层间介质层进行第一步研磨处理，直至暴露覆盖层位于替代栅电极层顶部的部分；向所述层间介质层注入氮离子，注入深度大于覆盖层位于替代栅电极层顶部的部分的厚度；对所述层间介质层和覆盖层进行第二步研磨处理，直至暴露所述替代栅电极层；湿法去除替代栅电极层；形成金属栅。通过本发明所提供的具有高K金属栅极的金属氧化物半导体的形成方法可以提高具有高K金属栅极的金属氧化物半导体的性能。
具有金属栅极氧化物半导体形成方法

[发明专利]基于扼流槽和非均匀覆盖层的全金属FP谐振腔天线-CN201811641553.X在审
发明人：陶道申;李一凡 -专利权人：四川睿迪澳科技有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01Q19/10 文献下载
摘要：本发明属于FP谐振腔天线技术领域，具体涉及一种基于扼流槽和非均匀覆盖层的全金属FP谐振腔天线，包括基体、反射覆盖层、扼流槽和馈电结构，所述基体为腔体结构，所述基体的上表面设置有反射覆盖层，所述反射覆盖层为非均匀覆盖层，所述非均匀覆盖层与基体形成谐振腔，所述基体的底部为反射底板，所述反射底板上设置有扼流槽，所述反射底板上还连接有馈电结构。本发明中的扼流槽抑制了FP谐振腔天线表面电流的传播，从而降低全金属FP谐振腔天线的旁瓣电流，实现低旁瓣；非均匀覆盖层可调节反射面的反射相位，调节天线波束在一维方向上偏转，使偏转后的天线波束与谐振腔内的天线波束产生谐振
覆盖层谐振腔天线扼流槽非均匀反射反射底板天线波束全金属偏转馈电结构谐振腔谐振表面电流腔体结构阻抗带宽低旁瓣可调节上表面旁瓣天线传播