专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种韧度好耐折的金属-CN202022360444.X有效
  • 沈鸿彬 - 上海鑫丝陆金属制品有限公司
  • 2020-10-21 - 2021-07-13 - E04B1/98
  • 本实用新型公开了一种韧度好耐折的金属网,包括金属丝,所述金属丝的内侧设置有防腐,所述防腐的内部设置有绝缘,所述绝缘的内部设置有韧性涂层涂料,所述韧性涂层涂料的内部设置有主材质,所述主材质的内侧设置次材质,所述金属丝的外侧固定安装有固定夹。该韧度好耐折的金属网,设置有主材质,主材质采用形状记忆合金材质制成,形状记忆合金的重要性质是伪弹性又称超弹性,表现为在外力作用下,形状记忆合金具有比一般金属大的多的变形恢复能力,即加载过程中产生的大应变会随着卸载而恢复,这一性能在医学和建筑减震以及日常生活方面得到了普遍应用,主材质使金属网可以承受比普通材料大得多的变形而不发生破坏。
  • 一种韧度好耐折金属网
  • [发明专利]一种含有停止的集成电路介电结构-CN201010579276.1无效
  • 任丙振;张进刚 - 和舰科技(苏州)有限公司
  • 2010-12-08 - 2012-07-04 - H01L23/522
  • 本发明公开了一种含有停止的集成电路介电结构,包括第一介电金属和第二介电;第一介电上设置有第一金属导孔,第二介电上设置有第二金属导孔,第一金属导孔和第二金属导孔形成堆叠金属导孔,其中,金属与第二介电之间设置有停止,该停止材质不同于金属和第二介电材质;或者,第二介电内部设置有停止,该停止材质不同于第二介电中的其它材质。本发明设置有材质不同的停止,利用其相同蚀刻工艺不同蚀刻速率的差异,来调节蚀刻深度,因此,本发明能够在保证金属导孔有足够过蚀刻量的前提下,有效减少金属导孔蚀刻的贯通量,进而能够避免后续溶剂清除过程中金属导孔钨栓塞被侵蚀
  • 一种含有停止集成电路介电层结构
  • [发明专利]用于共晶焊的硅片背面金属化结构及加工工艺-CN201510740926.9有效
  • 王献兵 - 苏州同冠微电子有限公司
  • 2015-11-04 - 2019-02-26 - H01L23/482
  • 本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种用于共晶焊的硅片背面金属化结构及加工工艺,所述结构在背面衬底硅片的表面按距硅片由近及远顺序依次镀有第一金属、第二金属、第三金属、第四金属和第五金属,第一金属材质为钛、钒或铬中的任一种,第二金属材质为镍,第三金属材质为银,第四金属材质为锡铜或锡锑合金,第五金属材质为银。本发明的用于共晶焊的硅片背面金属化结构及加工工艺,在没有毒性的同时,降低成本,在封装时不会出现共晶不良、虚焊等现象,同时在波峰焊时也不会出现过温的问题,增加可靠性,覆盖面大,适用面广。
  • 用于共晶焊硅片背面金属化结构加工工艺
  • [实用新型]薄型半导体芯片封装用基板-CN200720143612.1无效
  • 白金泉;黄志恭 - 白金泉;黄志恭
  • 2007-04-17 - 2008-04-09 - H01L23/488
  • 本实用新型一种薄型半导体芯片封装用基板,具有一基层,一蚀刻止挡以及一作用。该基层是一具预定厚度的金属材质制成,供封装制程的承载。该蚀刻止挡是以金属材质制成,具有一上表面及下表面,该下表面是附着于该基层的一表面上。该作用是以导电金属材质制成,且是以具预定电路迹线的方式布置于该蚀刻止挡的上表面上。该蚀刻隔离层的金属材质是不同于与该作用金属材质
  • 半导体芯片封装用基板
  • [实用新型]一种舟皿-CN202022766263.7有效
  • 刘红江;周霞;邹华 - 湖南元极新材料有限公司
  • 2020-11-25 - 2021-07-13 - B22F9/22
  • 本实用新型提供了一种舟皿,包括:本体、金属;所述本体内壁上设有所述金属,所述金属与高温烧结后的金属粉末材质相同。本实用新型提供的舟皿上设置的金属本身的材质与高温烧结后的金属粉末材质相同,避免了还原过程中的金属粉末与舟皿内其他物质发生反应,提高了金属粉末的纯度。
  • 一种舟皿
  • [发明专利]使用FIB技术制备SEM或TEM样品保护的方法-CN201310120787.0有效
  • 陈强 - 上海华力微电子有限公司
  • 2013-04-09 - 2013-07-10 - G01N1/28
  • 本发明提供了一种使用FIB技术制备SEM或TEM样品保护的方法,用于目标表面为金属材质的样品,该方法包括:使用电子束选择性扫描目标区域;SEM或TEM中的气态有机杂质在电子束的作用下在所述目标区域上沉积有机材质;在有机材质上沉积金属保护。本发明提供的使用FIB技术制备SEM或TEM样品保护的方法,在利用FIB技术常规制样前,先利用电子束在目标区域上沉积有机材质,使目标区域的表面为金属材质的样品,由于沉积的有机材质和目标区域表面的金属材质具有很强的对比度,大大提高了需要精确定位的SEM或TEM样品的金属材质表面的界面清晰度,提高了SEM或TEM的分析质量。
  • 使用fib技术制备semtem样品保护层方法

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