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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种防漏光全局像素单元的结构和形成方法-CN201811139934.8有效
发明人：顾学强;王言虹;陈力山 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种防漏光全局像素单元的结构，在传输管栅极表面、复位管栅极表面和存储节点表面上覆盖有金属掩蔽层，金属掩蔽层在存储节点上方形成金属掩蔽层开口；存储节点之上连接设有穿过金属掩蔽层开口的第一接触孔，传输管栅极的金属掩蔽层之上隔离设有第二接触孔，复位管栅极的金属掩蔽层之上隔离设有第三接触孔，第一接触孔至第三接触孔的上端连接后道第一层金属互连层，并与后道第一层金属互连层共同形成一复合挡光结构，将第一接触孔与金属掩蔽层开口之间存在的漏光间隙遮蔽
一种漏光全局像素单元结构形成方法

[发明专利]一种防止寄生光响应的全局像元结构及形成方法-CN201810794627.7有效
发明人：顾学强;王言虹;陈力山 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止寄生光响应的全局像元结构，包括设于衬底上的光电二极管、传输管和复位管，以及形成于传输管栅极和复位管栅极之间的衬底中的存储节点；传输管栅极表面、复位管栅极表面和存储节点表面上覆盖有金属掩蔽层，且金属掩蔽层在存储节点上方形成金属掩蔽层开口，接触孔通过金属掩蔽层开口连接存储节点；其中，接触孔自上方将金属掩蔽层开口完全封闭，金属掩蔽层与接触孔的配合面之间充满绝缘介质，可防止入射光线进入存储节点的电荷存储区
一种防止寄生响应全局结构形成方法

[发明专利]电极箔的制造方法以及电容器的制造方法-CN201680068471.3有效
发明人：小林恭平;杉原之康;吉田宽;吉村满久;中西弘美 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01G9/00 文献下载
摘要：本发明所涉及的电极箔的制造方法是制造部分蚀刻的电极箔的方法，包括：第1工序，准备带状的金属箔；第2工序，配置掩蔽构件，使得覆盖所述金属箔的至少一个主面的一部分；和第3工序，在所述第2工序之后，在蚀刻液中，使电极隔着所述掩蔽构件与所述金属箔对置的状态下，在所述金属箔与所述电极之间流过电流，对所述金属箔的所述主面部分地进行蚀刻，所述掩蔽构件是带状，在所述第2工序，所述掩蔽构件配置为沿着所述金属箔的长边方向，并且与所述金属箔的两个端边分离。
电极制造方法以及电容器

[发明专利]镀覆方法以及镀覆体-CN201980003138.8在审
发明人：郑都暎;崔镇旭;吴俊析;金利娥;金度硏;延海宣 -专利权人：大山电子株式会社
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C25D5/02 文献下载
摘要：提供了一种镀覆方法，包括如下步骤：第一掩蔽步骤，在接合有第一金属和第二金属的接合金属中的第一区域、第二区域以及第三区域中掩蔽第一区域和第二区域，所示第一区域仅包括所述第一金属，所示第二区域仅包括所述第二金属，所示第三区域包括第一金属和第二金属之间的接触部；将接合金属浸到第一镀液；第二掩蔽步骤，去除形成于第一区域和所述第二区域中的一个的掩模；将至少执行了所述第二掩蔽步骤的区域浸到第二镀液；以及将执行了所述第二掩蔽的区域和第三区域浸到第三镀液
镀覆方法以及

[发明专利]制作具有可变磁化强度的构件的方法和相关构件-CN201910183994.8有效
发明人：张万明;邹旻;F.约翰逊 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：该方法包括通过使被掩蔽的金属构件暴露于富氮气氛而使氮选择性地扩散到被掩蔽的金属构件的金属构件中。该被掩蔽的金属构件包括在金属构件的表面上形成的图案化的氧化物层，且该图案化的氧化物层包括存在于金属构件中的金属的氧化物。还提出了一种相关构件。
制作具有可变磁化强度构件方法相关

[发明专利]掩蔽材料、掩蔽层、用于掩蔽基材的方法以及用于涂覆基材的方法-CN201010624991.2无效
发明人： T·贝恩特;F-J·拉德鲁 -专利权人：西门子公司
申请日： 2010-12-03 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明涉及掩蔽材料、掩蔽层、用于涂覆基材的方法以及用于涂覆基材的方法。在涂覆方法中经常使用掩蔽，然而在掩蔽中在气态涂覆方法中必须特别气密。按照本发明使用由陶瓷粉末和金属粉末构成的双层涂层。
掩蔽材料用于基材方法以及

[发明专利]一种减小存储节点漏光的全局像元结构及制作方法-CN201810622082.1有效
发明人：顾学强 -专利权人：上海微阱电子科技有限公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小存储节点漏光的全局像元结构，包括设于衬底上的光电二极管、传输管和复位管，以及形成于传输管和复位管之间的所述衬底上的存储节点；其中，所述传输管上、复位管上和存储节点上覆盖有金属掩蔽层，所述存储节点上连接有接触孔，所述接触孔穿过金属掩蔽层设置，并与所述金属掩蔽层之间形成间隙，所述间隙中充满绝缘反射层，使金属掩蔽层和接触孔两者之间的漏光间隙被绝缘反射层填充，因此保证了入射光线无法进入存储节点的电荷存储区，减小了CMOS图像传感器全局像素单元存储节点的漏光问题，同时保证了金属掩蔽层和接触孔之间的电学隔离。
一种减小存储节点漏光全局结构制作方法

[发明专利]用于反应性分子分离的色谱硬件改进-CN202180063316.3在审
发明人： M·德拉诺;M·A·劳伯;K·温德姆;J·M·阮 -专利权人：沃特世科技公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01N30/60 文献下载
摘要：该方法利用掩蔽金属玻璃料来防止或减少金属表面变得具有催化活性。该掩蔽金属玻璃料是金属基玻璃料，该金属基玻璃料在其外表面上包含涂层以掩蔽或防止有机溶剂(和/或任何分析物或其他相关的溶剂)与底层金属之间的接触。
用于反应分子分离色谱硬件改进

[发明专利]具有基于金属的功能层的装配玻璃-CN202180005119.6在审
发明人： J·多罗萨里奥;S·彭格尔;A·内夫特 -专利权人：法国圣戈班玻璃厂
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明涉及装配玻璃(100)，其包括至少一个玻璃板(101‑1)，施加到玻璃板(101‑1)的一侧上的不透光掩蔽层(103)，和至少部分地施加到不透光掩蔽层(103)上的基于金属的功能层(105)，其中所述基于金属的功能层(105)的至少一个边缘部分(107‑3)布置在不透光掩蔽层(103)上方，所述不透光掩蔽层(103)基于玻璃料形成，并且玻璃板(101‑1)的表面的至少50%被基于金属的功能层(105)覆盖。
具有基于金属功能装配玻璃

[发明专利]固体电解电容器及其制造方法-CN00806986.7有效
发明人：坂井厚;门田隆二;仁藤洋;冈部俊博;古田雄司;大籏英树;白根浩朗 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2000-04-28 - 公布日： 2002-05-15 - 主分类号： H01G9/04 文献下载
摘要：本发明是关于具有能确实进行阳极部和阴极部间绝缘的掩蔽结构的固体电解电容器及其制造装置,以及在固体电解电容器基片上涂布掩蔽剂的装置和装置的发明。按照本发明,掩蔽剂能充分涂布在有阀作用金属材料上的介电体被膜上,而且可以完全浸透到有阀作用的金属芯片,因固体电解质确实被掩蔽剂掩蔽,故可制得漏泄电流小、能缓和因软熔处理等情况下产生的应力的固体电解电容器
固体电解电容器及其制造方法

[发明专利]在铜籽晶层上电沉积金以形成金金属化结构的方法-CN201510600213.2有效
发明人： A·泽克曼 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请涉及在铜籽晶层上电沉积金以形成金金属化结构的方法。在半导体衬底上形成导电的阻挡层，使得阻挡层覆盖器件的第一端子。籽晶层形成在阻挡层上。籽晶层包括不同于金的贵金属。衬底被掩蔽，使得第一掩模开口与第一端子横向对准。籽晶层的未被掩蔽的部分使用金电解质溶液来电镀，使得形成在第一掩模开口中的第一金金属化结构。掩模、籽晶层的被掩蔽的部分以及阻挡层被去除。来自籽晶层的未被掩蔽的部分的贵金属被扩散到第一金金属化结构中。该第一金金属化结构经由阻挡层被电连接到第一端子。
籽晶层上电沉积形成金属化结构方法

[发明专利]一种通过金属铬掩蔽膜进行干法刻蚀的方法-CN200710176278.4无效
发明人：李维龙;贾锐;刘明;陈宝钦;龙世兵;谢常青;王琴;商利伟;涂德钰;刘琦;陈晨 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-10-24 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体学中的微细加工技术领域，公开了一种通过金属铬掩蔽膜进行干法刻蚀的方法，在需要刻蚀图形的衬底上先旋涂一层电子束抗蚀剂，然后利用电子束曝光得到所需要的图形；再蒸发沉积一层金属Cr层，使其覆盖光刻胶的全部表面；再通过剥离lift-off工艺将金属Cr剥离，得到金属Cr掩蔽图形；再通过干法刻蚀，在衬底上得到所需要的图形，完成对衬底的图形化。利用本发明，通过使用金属掩蔽膜来进行干法刻蚀，使得掩蔽膜的去除快速、干净，为干法刻蚀的进一步发展奠定了重要的基础。
一种通过金属掩蔽进行刻蚀方法

[发明专利]电极箔的制造方法和电容器的制造方法-CN201680068470.9有效
发明人：小林恭平;杉原之康;吉田宽;吉村满久;中西弘美 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01G9/04 文献下载
摘要：本发明所涉及的电极箔的制造方法是一种具备在使电极与包含第1金属的金属箔的至少一个主面对置的状态下，在蚀刻液中，电流流过所述金属箔和所述电极之间，蚀刻所述金属箔的电解蚀刻工序的电极箔的制造方法，其特征在于，在所述金属箔的所述主面和所述电极之间，配置掩蔽部件以覆盖所述主面的一部分的区域，所述掩蔽部件是导电体，所述掩蔽部件和所述金属箔电连接。
电极制造方法电容器

[实用新型]一种金属薄膜电容器生产时掩蔽喷金专用冷压胶带-CN202022990783.6有效
发明人：张晓东;张锡良;任黎芳 -专利权人：无锡市万丰保护膜有限公司
申请日： 2020-12-12 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： B65B15/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金属薄膜电容器生产时掩蔽喷金专用冷压胶带，包括掩蔽包装带，所述掩蔽包装带内嵌设有多个电容器，所述掩蔽包装带包括载带，所述载带的中部沿其长度方向上开设有多个呈矩形结构的承料槽，所述载带的左侧沿其长度方向上开设有多个呈圆形结构的定位孔该金属薄膜电容器生产时掩蔽喷金专用冷压胶带，通过设置有掩蔽包装带，在进行包装时，将电容器嵌设在载带内，并将盖带粘贴在贴槽内，盖带即对引脚实现掩蔽，包装过程简单，掩蔽效果好。
一种金属薄膜电容器生产掩蔽专用胶带

[发明专利]金属盖及其制造方法-CN202180023113.1在审
发明人：中川征;土本大辅 -专利权人：日本克乐嘉制盖株式会社
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： B65D53/04 文献下载
摘要：本发明涉及金属盖及制造该金属方法，该金属盖具有可在同一步骤中形成的粘性内表面涂膜和掩蔽层，从而表现出优异生产率。该金属盖的特征在于，在金属盖壳的顶板部内表面和烯烃树脂内衬之间形成有涂膜，该涂膜包括掩蔽剂和含有在基础树脂中的粘性成分的涂料组合物，该涂膜具有关于烯烃树脂内衬具有粘性的粘性部分和关于烯烃树脂内衬具有非粘性或弱粘性的非粘性部分涂膜的粘性部分通过将涂料组合物的粘性成分定位至涂膜表面来形成涂膜的粘性部分来形成，涂膜的非粘性部分在所述涂膜的与金属盖壳相对的一侧、并且在所述涂膜的对应于所述掩蔽层的表面上具有包含掩蔽剂的掩蔽层，形成海岛结构
金属及其制造方法

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