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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于驱动电光显示器的方法-CN201710101949.4有效
发明人： D·M·哈林顿;K·R·可劳恩斯;K·R·阿蒙森;M·J·埃普瑞;T·A·柔丁;A·布夏尔;S·特佛尔;A·L·拉特斯;Y·本-多夫 -专利权人：伊英克公司
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： G09G3/34 文献下载
摘要：)测量每个独立像素的响应并针对每个像素存储指示一组标准驱动方案中的哪一个要用于该像素的数据；(c)针对驱动方案中的至少一个转变，随机地将多个不同波形施加至像素；以及(d)当更新显示器的有限区域时，驱动边缘消除区域中的“额外”像素以避免边缘效应。
用于驱动电光显示器方法

[发明专利]电光学装置和电子设备-CN02105714.1有效
发明人：日向章二;有贺泰人;露木正 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2002-04-15 - 公布日： 2002-11-27 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：不产生迂回布线之间的短路和可靠性降低等问题,通过边缘狭窄化实现小型化。一种液晶装置1,即电光学装置,具有和第一电极10相对配置的第二电极11、在第一电极10和第二电极11之间配置的液晶。与导通位置4a相比,布线14在内侧迂回,因此可使外侧的边缘区域比密封材料4窄。
光学装置电子设备

[发明专利]可适性防闪烁处理方法与可适性防闪烁滤镜装置-CN02108026.7有效
发明人：李娟祯;戴嘉良;黄逸杰 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2002-03-22 - 公布日： 2002-12-11 - 主分类号： H04N7/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种可适性防闪烁处理方法与可适性防闪烁滤镜装置,应用于一逐行扫描显示影像数据转换为一隔行扫描显示影像数据的过程中,其装置包含一边缘线段侦测器以及一防闪烁滤镜。而该方法包含下列步骤接收一逐行扫描显示影像数据;对该逐行扫描显示影像数据中,长度大于或等于一阈值的一边缘线段进行一防闪烁处理;以及将该逐行扫描显示影像数据转换为该隔行扫描显示影像数据后输出。
可适性防闪烁处理方法滤镜装置

[发明专利]控制移动终端的装置及方法-CN201610933504.8有效
发明人：李鑫 -专利权人：江苏久恒起重设备有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： G06F3/0488 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制移动终端的方法，包括：侦测移动终端的边缘触控区域内是否存在触摸操作；当侦测到所述移动终端的边缘触控区域内存在触摸操作时，判断预设时间内所述移动终端的主屏幕触控区域内是否存在触发操作；
控制移动终端装置方法

[发明专利]封装载板侧面保护方法-CN201610800149.7有效
发明人：杨俊 -专利权人：江西芯创光电有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种封装载板侧面保护方法的步骤一中感光阻焊油墨覆盖载板侧壁和载板边缘下表面，步骤三中对载板边缘上、下表面和载板侧壁不作遮光处理，并对载板进行双面曝光，通过此方法制作出来的载板的侧壁会包覆一层感光阻焊油墨
装载侧面保护方法

[发明专利]用于气体和微粒流平衡的同心流可变孔-CN201610556660.7有效
发明人：林庆生;约翰·A·小松德;克雷格·A·彭特尔森 -专利权人：巴布科克电力服务公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： F23K3/02 文献下载
摘要：每个叶片包括气体路径边缘。在所述回缩位置中，所述叶片的所述气体路径边缘与所述流动孔相符。在所述伸展位置中，所述叶片从所述流动孔向内伸展。
用于气体微粒平衡同心可变

[发明专利]锂电池组-CN201610895761.7有效
发明人：孙尚传 -专利权人：安徽巨大电池技术有限公司
申请日： 2016-10-13 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01M10/058 文献下载
摘要：本发明提供了一种锂电池组，该锂电池组包括至少两个堆叠设置的电池单元，电池单元包括金属极板和设于金属极板内的电池芯，金属极板包括上金属极板和下金属极板，上金属极板和下金属极板的边缘回折形成包边，电池单元还包括绝缘介质，绝缘介质将上金属极板与下金属极板的边缘绝缘间隔以避免上金属极板与下金属极板导通。
锂电池

[发明专利]一种文字显示方法及装置-CN201610789934.7有效
发明人：于蒙 -专利权人：广州博冠信息科技有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： G06T11/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种文字显示方法，包括如下步骤：读取待显示文字的点阵；在所述点阵的边缘扩充预定宽度的透明像素区域，得到扩充点阵；对所述扩充点阵进行边缘检测，得到所述扩充点阵的描边区域；将所述描边区域内的像素的颜色值设置为预设的描边颜色值
一种文字显示方法装置

[发明专利]半导体结构-CN201510642881.1有效
发明人：黄智方;张庭辅;徐华志;江政毅 -专利权人：黄智方
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构，包含：一基板，具有一第一传导类型的半导体材料；一外延层，设置于基板上，并具有第一传导类型的半导体材料；一主动区，为半导体结构的工作区域；以及一边缘保护区，用以保护该主动区。其中，边缘保护区中的JTE区为第二传导类型的半导体材料；反向掺杂区设置于JTE区中且为第一传导类型的半导体材料；以及反向掺杂区中第一传导类型的半导体材料浓度沿一方向递增。
半导体结构

[发明专利]电池轧线机-CN201710165160.5有效
发明人：吴国平 -专利权人：吴国平
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01M6/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种电池轧线机，包括工作盘、轧线机构，工作盘能绕其中心轴进行旋转，轧线机构包括往复运动组件和转动连接在往复运动组件上的轧线轮，往复运动组件位于工作盘的边缘处且用于驱动轧线轮伸出工作盘的边缘对电池进行轧线
电池轧线机

[发明专利]冰箱的冷气通道装置-CN01139603.2有效
发明人：李载熙;崔永锡;姜炳圭 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2001-11-22 - 公布日： 2002-06-19 - 主分类号： F25D17/06 文献下载
摘要：一种冰箱的冷气通道装置,它包括左冷气管,它安装在构成储藏室的内箱的开放边缘部分左侧上,在垂直方向上有多个冷气排放孔,从储藏室左侧向冰箱门排放冷气;右冷气管,它安装在内箱的开放边缘部分的右侧上,在垂直方向上有多个冷气排放孔
冰箱冷气通道装置

[发明专利]线路板-CN01123282.X有效
发明人：大和岳史;伊藤健一郎 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2001-06-08 - 公布日： 2002-04-03 - 主分类号： H05K1/00 文献下载
摘要：以改善连接可靠性和耐压性能,线路板包括一个在金属支撑板上形成的基层,一个在该基层上形成的导电层,其中导电层的一个表面通过开通支撑板和基层被暴露出来,以及形成在暴露于支撑板和基层的开口的导电层上的金属镀层,其中在金属镀层的边缘和支撑板的开口的边缘之间规定了一个指定的间隙
线路板

[发明专利]离心式风扇-CN201610862289.7有效
发明人：宋基旭;金真洙;崔东旭 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： F04D29/30 文献下载
摘要：该多个叶片中的每一个具有位于其内边缘处的前缘和位于其外边缘处的后缘，并且形成为具有沿着叶轮的旋转方向从其前缘到后缘弯曲的形状。
离心风扇

[发明专利]一种槽栅增强型MIS结构AlGaN/GaN异质结场效应晶体管-CN201710020055.2有效
发明人：段宝兴;谢慎隆;郭海君;袁嵩;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：这种新型晶体管结构是在晶体管栅极边缘引入本征GaN帽层，该本征GaN帽层会降低该区域导电沟道的二维电子气浓度，实现电场调制效应。通过产生新的电场峰，降低了栅边缘的高电场，使晶体管表面的电场分布更加均匀，与传统槽栅增强型MIS结构相比，新型结构的击穿电压和可靠性也就有了明显的提高与改善。
一种增强 mis 结构 algan gan 异质结场效应晶体管

[发明专利]一种槽栅增强型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管-CN201710021096.3有效
发明人：段宝兴;郭海君;谢慎隆;袁嵩;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：这种新型晶体管结构是在晶体管栅极边缘引入本征GaN帽层，该本征GaN帽层会降低该区域导电沟道的二维电子气浓度，实现电场调制效应。通过产生新的电场峰，降低了栅边缘的高电场，使晶体管表面的电场分布更加均匀，与传统槽栅增强型结构相比，新型结构的击穿电压和可靠性也就有了明显的提高与改善。
一种增强 algan gan 异质结场效应晶体管

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