专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果29695526个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]掩模设计方法利用其制造半导体装置的方法-CN202010674085.7在审
  • 朴庆宰;申武俊;朴钟秀 - 三星电子株式会社
  • 2020-07-14 - 2021-01-19 - G03F1/36
  • 一种制造半导体装置的方法包括步骤:形成包括第一重复图案的下部结构;以及形成上部结构,该步骤包括形成第二重复图案以与所述下部结构上的所述第一重复图案中的每一个相对应,并且形成第二重复图案的步骤包括:准备用于所述第二重复图案的设计布局;通过对所述设计布局执行光学邻近校正(OPC)来形成包括校正后的第二重复图案的第一校正布局;通过对所述第一校正布局执行位置校正以移动所述校正后的第二重复图案的位置以与根据所述下部结构的物理变形的所述第一重复图案的改变后的位置相对应,来形成第二校正布局;使用所述第二校正布局来制造掩模;以及使用所述掩模来图案化光致抗蚀剂层。
  • 设计方法利用制造半导体装置
  • [发明专利]半导体装置、其制造方法设计方法、以及电子装置-CN201110070318.3有效
  • 高桥洋;助川俊一;井上启司 - 索尼公司
  • 2011-03-18 - 2011-09-28 - H01L27/146
  • 本发明涉及半导体装置、该半导体装置的制造方法设计方法、以及电子装置。该半导体装置的制造方法包括如下步骤:通过将多个半导体晶片层叠并粘合起来形成含有所述多个半导体晶片的层叠结构,各所述半导体晶片设置有形成于表面侧的布线层且设置有半成品状态的电路;然后对所述层叠结构的上层半导体晶片进行减薄;然后从所述上层半导体晶片形成开口,由此形成连接孔贯通连接孔,所述连接孔到达形成于所述上层半导体晶片表面侧的配线,所述贯通连接孔穿过所述上层半导体晶片并到达形成于下层半导体晶片表面侧的配线,所述贯通连接孔的直径大于所述连接孔的直径
  • 半导体装置制造方法设计以及电子

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top