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[发明专利]烷基铵盐表面活性剂插层的改性黏土的制备方法-CN200910076628.9无效
发明人：阳明书;封喜彦;张世民;丁艳芬 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2009-01-12 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： C01B33/44 文献下载
摘要：本发明涉及烷基铵盐表面活性剂插层的改性黏土的制备方法。首先制备黏土在水中的悬浮液，再将含有烷基铵盐表面活性剂的溶液加入到黏土悬浮液中，通过调节反应介质成份组成的变化，得到烷基铵盐表面活性剂充分交换插层的改性黏土；或者直接将黏土粉末加入到烷基铵盐表面活性剂的溶液中，通过反应介质成份组成的变化，来改变烷基铵盐表面活性剂的状态，得到烷基铵盐表面活性剂充分交换插层的改性黏土。本发明通过调节反应介质成份组成的变化来改变烷基铵盐表面活性剂的状态，在尽量减少烷基铵盐表面活性剂物理作用吸附的同时，实现黏土层间阳离子的充分交换，烷基铵盐表面活性剂插层的改性黏土中的烷基铵盐表面活性剂插层量等于黏土的离子交换容量
烷基铵盐表面活性剂改性黏土制备方法

[发明专利]纳米粒子材料的制造方法、纳米粒子材料以及光电转换器件-CN201080042600.4有效
发明人：村山浩二 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2010-09-14 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：一种纳米粒子材料的制造方法，其中，将空穴输送性表面活性剂注入至InP/ZnS分散溶液中，将InP/ZnS量子点表面用空穴输送性表面活性剂覆盖，制作带有空穴输送性表面活性剂的InP/ZnS分散溶液。接着，使用旋涂法等，将带有空穴输送性表面活性剂的InP/ZnS分散溶液涂布于基板7上，形成带有1层或2层以上的空穴输送性表面活性剂的量子点层8(a)。接着，准备含有电子输送性表面活性剂6的分散溶液(置换溶液)。将在表面形成带有空穴输送性表面活性剂的量子点层8的基板7以规定时间浸渍于置换溶液中，使空穴输送性表面活性剂的一部分与电子输送性表面活性剂进行置换，形成1层或2层以上的量子点层9(b)。
纳米粒子材料制造方法以及光电转换器件

[发明专利]离型膜、其制备方法以及包含离型膜的有机硅复合片材-CN201510717951.5有效
发明人：张耀湘;李云;覃剑 -专利权人：深圳市安品有机硅材料有限公司
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：本发明公开一种离型膜、其制备方法以及包含离型膜的有机硅复合片材，离型膜，包括底材和附着在底材表面的离型层，所述离型层是由表面活性剂形成的薄层；所述表面活性剂为阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂和两性表面活性剂中的一种，或几种表面活性剂的复配，用表面活性剂在底材上制备离型层，即得离型膜，将离型膜与硅胶组合物压延复合后固化，得到包含离型膜的有机硅复合片材。本发明的离型膜包括由表面活性剂制备的离型层，其对有机硅材料的离型效果显著，且制备方法简单。
离型膜制备方法以及包含有机硅复合

[发明专利]正极及具备其的非水电解液二次电池-CN202210327007.9在审
发明人：铃木慎也;辻子曜 -专利权人：泰星能源解决方案有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：提供正极，其为具备含有Ni含量高的锂复合氧化物和表面活性剂的正极活性物质层的正极，其中，非水电解液向正极活性物质层的含浸性优异，且抑制高电压下的气体产生。在此公开的正极具备正极集电体和支持于所述正极集电体的正极活性物质层。正极活性物质层含有正极活性物质和表面活性剂。正极活性物质包含镍相对于锂以外的金属原子的含量为70mol％以上的锂复合氧化物。正极活性物质层具有包含2层以上的表面活性剂相对于正极活性物质和表面活性剂的合计的质量比例不同的层的多层结构。在多层结构包含的层中的表面活性剂的质量比例大的层中，表面活性剂的质量比例为1.0质量％以上且10质量％以下。
正极具备水电二次电池

[发明专利]一种表面活性剂复合胶膜制备方法-CN202111009121.9有效
发明人：钟海标 -专利权人：江苏万淇生物科技股份有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面活性剂复合胶膜制备方法，属于表面活性剂领域，通过将两片表面活性剂气体分离胶膜铺设在两块面板上后，再将面板安装进合膜装置内，对一块面板加压，使两片面板逐渐靠近，同时合膜装置向两块面板之间喷出表面活性剂颗粒喷雾；在两块面板复合时，加热面板上的胶膜，使胶膜恢复粘性，捕获表面活性剂颗粒，使形成的复合胶膜中间形成表面活性剂粉粒层；最后将复合胶膜冷却并干燥，实现获得含有压缩表面活化剂粉尘层的复合胶膜，在气体穿过膜层时通过胶膜进先进行初步拦截和过滤，防止表面活性剂对气体中物质吸附，同时胶膜的粘性束缚表面活性剂，防止表面活性剂被穿过膜层的气流携带离开。
一种表面活性剂复合胶膜制备方法

[发明专利]用于形成半导体器件的方法和半导体器件-CN201711145467.5有效
发明人： C.埃贝特;M.海因里西;J.希尔施勒;M.普拉珀特;C.特拉万 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：一种用于形成半导体器件的方法包括在半导体管芯上形成（110）硅酮层。所述方法还包括对硅酮层的硅酮表面进行等离子体处理（120）。所述方法还包括在硅酮层的经等离子体处理的硅酮表面上沉积（130）表面活性剂，以获得至少部分地被表面活性剂覆盖的硅酮表面。所述方法还包括在至少部分地被表面活性剂覆盖的硅酮表面上形成（140）模制物。所述表面活性剂包括表面活性剂分子，所述表面活性剂分子包括以有机复合物终止的无机构架。
用于形成半导体器件方法

[发明专利]一种互叶白千层复合精油微乳液及其制备方法-CN202210301779.5在审
发明人：潘家强;吴漩;韩庆月;苏荣胜;张雯婷;江梦丽;李敏瑜;李宇璇 -专利权人：华南农业大学
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： A23L33/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种互叶白千层复合精油微乳液及其制备方法，包括复合互叶白千层精油、复合表面活性剂、助表面活性剂和水；复合互叶白千层精油为互叶白千层精油和维生素E的混合物，互叶白千层精油和维生素E的质量份数比为1∶0.0003；复合表面活性剂为食品级吐温20和司盘80复配混合物，吐温20和司盘80的质量份数比为8.95∶1.05；复合互叶白千层油和复合表面活性剂的质量份数比为1∶3.25；助表面活性剂为聚乙二醇400；复合表面活性剂和助表面活性剂的质量份数比为7∶3。
一种互叶白千层复合精油乳液及其制备方法

[发明专利]获取表面活性剂穿透岩石深度的方法-CN202011446588.5有效
发明人：王肃凯;宋朝晖;曹华宝;王天祥;朱会光;蒲松龄;张立朋;刘伟;任翔;刘雄辉 -专利权人：中国石油天然气集团有限公司;中国石油集团西部钻探工程有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G01N13/04 文献下载
摘要：本发明涉及获取入井流体穿透储层深度方法技术领域，是一种获取表面活性剂穿透岩石深度的方法，其使用真实的储层岩心，完全模拟储层条件；通过室内物理模拟实验数据，获得可靠的单位孔隙体积的穿透距离；结合现场施工或者压裂模拟软件数据得到的滤失深度，即可得到表面活性剂的穿透深度。本发明所述获取表面活性剂穿透岩石深度的方法，实现致密储层表面活性剂穿透距离的定量测量，也适用于砂岩储层等储层的表面活性剂穿透距离的定量测量，为所述储层表面活性剂的选型和优化提供方法基础，从而显著提高致密等储层助排剂的研发速度
获取表面活性剂穿透岩石深度方法

[发明专利]发光背板及其制作方法-CN202210186370.3有效
发明人：邓红照 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：其包括以下步骤：提供基板；在基板上形成多个发光结构，各发光结构包括发光件和覆盖发光件的第一表面活性层，第一表面活性层远离发光件的一侧具有第一表面；在基板上形成反光薄膜，反光薄膜包括反光材料层和覆盖反光材料层的第二表面活性层，第二表面活性层远离反光材料层的一侧具有第二表面，反光薄膜形成于相邻的发光结构之间，且第二表面的亲疏水性与第一表面的亲疏水性相反，以使第一表面活性层与第二表面活性层在发光件与反光材料层之间相间隔；对反光薄膜进行固化处理，以在基板上形成位于相邻的发光件之间的反光层，反光层与多个发光件相间隔。本发明可以提高反光层的覆盖精度和厚度均一性。
发光背板及其制作方法

[发明专利]插层复合材料及其制备方法、聚合物纳米复合材料-CN201510644334.7有效
发明人：郭海泉;姚海波;马晓野;金日哲;康传清;丁金英;邱雪鹏;高连勋 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： C08K9/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种插层复合材料及其制备方法、聚合物纳米复合材料，该插层复合材料包括无机层板与层间离子；所述层间离子与无机层板的电荷性相反；所述层间离子由阴离子氟碳表面活性剂或阳离子氟碳表面活性剂形成；所述无机层板由无机层状材料形成与现有技术相比，本发明采用氟碳表面活性剂形成层间离子，氟碳表面活性剂具有较高的表面活性、疏水性、化学惰性和热稳定性，使插层复合材料具有较高的耐热性、耐化学稳定性和独特的界面特性；氟碳表面活性剂可以更高浓度的分散纳米片层到聚合物基体中，从而使聚合物纳米复合材料实现高含量的纳米杂化；氟碳表面活性剂较高的耐热温度，有助于改善聚合物纳米复合材料的介电性能、耐电晕和耐击穿性能。
氟碳表面活性剂聚合物纳米复合材料插层复合材料层间离子无机层制备阳离子氟碳表面活性剂耐化学稳定性无机层状材料耐热性聚合物基体表面活性分散纳米化学惰性界面特性介电性能热稳定性电荷性耐电晕耐击穿疏水性阴离子耐热片层杂化离子

[发明专利]支撑构件及其制作方法、显示模组-CN202110693597.2有效
发明人：王德祺 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种支撑构件及其制作方法、显示模组；该显示面板包括支撑部件、位于该支撑部件上的表面活性部件及位于该表面活性部件上的粘结层；其中，该支撑部件包括多个开口，该表面活性部件覆盖该开口的内壁，该表面活性部件的极性与该粘结层的极性相同；本发明实施例通过在开口处设置与粘结层极性相同的表面活性部件，利用相似相溶原理，提高了粘结层的涂布均匀性，增强了支撑构件的平整性，降低了弯折失效风险，提高了显示良率
支撑构件及其制作方法显示模组

[发明专利]构图方法和显示装置的制造方法-CN200710005497.6无效
发明人：金保成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-02-08 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种构图方法，其包括：在基膜上涂布光敏表面活性剂；在表面活性剂上形成有机层；通过在有机层上具有预定开口的掩模将表面活性剂曝光，从而减小表面活性剂和有机层之间的粘合度；将基膜粘接到绝缘基板，有机层面对绝缘基板；以及通过将基膜从绝缘基板分离，将对应于曝光的表面活性剂的有机层转移到绝缘基板。
构图方法显示装置制造

[发明专利]一种除垢防垢型降压增注表面活性剂及其制备方法-CN202210378686.2在审
发明人：刘音;张伟辉;李欣;华亮;黄其;周广龙;刘雨晨;陈惠垒;王晓磊;刘云博;赵庆杰 -专利权人：中国石油天然气集团有限公司;中国石油集团渤海钻探工程有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C09K8/528 文献下载
摘要：本发明公开了一种除垢防垢型降压增注表面活性剂及其制备方法，除垢防垢型降压增注表面活性剂包括以质量分数计的10～30％的非离子型表面活性剂、30～60％的两性表面活性剂和20～50％的高分子表面活性剂；其制备步骤为：将非离子表面活性剂与两性表面活性剂按比例混合后，加入乙酸、磷酸或亚硫酸改性活化24～48h后，而后加入高分子表面活性剂并混合均匀制得；该除垢防垢型降压增注表面活性剂可代替小型酸化作业实现解堵储层中堵塞孔隙的垢质的目的，且经过该表面活性剂处理过的储层，施工时压力明显会降低5～10MPa的同时，避免酸化过程中因产生酸化淤渣而造成二次污染堵塞储层。
一种除垢防垢型降压表面活性剂及其制备方法

[发明专利]聚乳酸系树脂片及成型品-CN201280045144.8有效
发明人：药师堂健一;田端久敬;石井猛 -专利权人：东丽株式会社
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： B32B27/18 文献下载
摘要：一种聚乳酸系树脂片，其特征在于，片为具有层A和层B的叠层结构，所述层A由含有聚乳酸的组合物(A)形成，所述层B由含有丙烯酸系、离子系表面活性剂和非离子系表面活性剂的组合物(B)形成，该层B为片的至少一个最外层，在组合物(B)的整体100质量%中，丙烯酸系的含量为50质量%以上99.5质量%以下，离子系表面活性剂和非离子系表面活性剂的质量比为：2≤离子系表面活性剂/非离子系表面活性剂≤25。
乳酸树脂成型

[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体的制造方法-CN201010135194.8有效
发明人：奥野浩司 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2010-03-15 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种制造III族氮化物半导体的方法，所述方法包括：制备包括缓冲层的衬底；在所述缓冲层上通过MOCVD由III族氮化物半导体在掺杂反表面活性剂的同时形成第一层，其中所述第一层的厚度等于或小于2μm；在所述第一层上通过MOCVD由III族氮化物半导体在掺杂表面活性剂和反表面活性剂中至少其一的同时形成第二层；和通过在形成所述第二层期间调节所掺杂的表面活性剂和反表面活性剂的量来控制所述第二层的结晶品质和表面平坦性。
氮化物半导体制造方法

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