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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种设有分体式调温装置的防护服隔离衣-CN202210622091.7在审
发明人：陈亮言;吴泽泰;陈政灏 -专利权人：中山市鑫跃科技有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： A41D13/005 文献下载
摘要：一种设有分体式调温装置防护服隔离衣，背部里面设有里收纳袋；或是：里、外面分设里外收纳袋，两者对应；设在里收纳袋内有进出口的内壳体，其外表面暴露在防护服背部里面，外表面设有内磁铁片和暴露的导冷片和受电线圈，内壳体里面设有内风机、外表面暴露在内背包外表面上；设在外收纳袋的外壳体，内表面的分布有外磁铁片、中间为暴露的制冷片和送电线圈，外壳体里面设有外风机、内表面暴露在防护服背部外面上；外壳体内还设有充电模块，充电模块供电给制冷片、外风机和无线送电电路板，无线送电电路板连接送电线圈；内壳体外表面和外壳体内表面贴合时，内磁铁和外磁铁、制冷片和导冷片以及送电线圈和受电线圈相互对应。
一种设有体式调温装置防护服隔离

[实用新型]一种设有分体式调温装置的防护服隔离衣-CN202221383867.6有效
发明人：陈亮言;吴泽泰;陈政灏 -专利权人：中山市鑫跃科技有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： A41D13/005 文献下载
摘要：一种设有分体式调温装置的防护服隔离衣，背部里面设有里收纳袋；或是：里、外面分设里外收纳袋，两者对应；设在里收纳袋内有进出口的内壳体，其外表面暴露在防护服背部里面，外表面设有内磁铁片和暴露的导冷片和受电线圈，内壳体里面设有内风机、外表面暴露在内背包外表面上；设在外收纳袋的外壳体，内表面的分布有外磁铁片、中间为暴露的制冷片和送电线圈，外壳体里面设有外风机、内表面暴露在防护服背部外面上；外壳体内还设有充电模块，充电模块供电给制冷片、外风机和无线送电电路板，无线送电电路板连接送电线圈；内壳体外表面和外壳体内表面贴合时，内磁铁和外磁铁、制冷片和导冷片以及送电线圈和受电线圈相互对应。
一种设有体式调温装置防护服隔离

[发明专利]显示装置和用于制造显示装置的方法-CN202080088820.4在审
发明人：金贤硕;申憘龟;沈俊昊;姜泰旭;曹雨辰 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：根据实施例的用于制造显示装置的方法包括以下步骤：制备载体基板并且在载体基板的一个表面上形成牺牲层，牺牲层包括覆盖区域以及位于覆盖区域的至少一侧的暴露区域；在牺牲层的覆盖区域的一个表面上形成具有与牺牲层接触的一个表面的第一柔性材料，以暴露牺牲层的暴露区域；以及去除牺牲层的暴露区域。
显示装置用于制造方法

[发明专利]用于在金属组件上形成多孔表面的方法-CN200710196459.3有效
发明人： C·劳门;A·萨尔文;S·维贝里 -专利权人：林德股份公司
申请日： 2007-12-05 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于改变金属物体的表面结构的方法，更优选为用于提高表面孔隙率的方法，其中该金属物体的表面首先暴露于氧化气氛中，然后暴露于还原气氛中。
用于金属组件形成多孔表面方法

[发明专利]使用自组装单层的选择性电介质沉积的方法-CN201680011976.6在审
发明人：塔帕什·查克拉博蒂;普莉娜·古拉迪雅;罗伯特·简·维瑟 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-02-25 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：一种在具有暴露的硅表面和暴露的含硅表面的基板顶上选择性沉积低k电介质层的方法，包括(a)在暴露的含硅表面顶上生长基于有机硅烷的自组装单层，其中基于有机硅烷的自组装单层在大于约300摄氏度的第一温度下是热稳定的；以及(b)在基板的暴露的硅表面顶上选择性地沉积低k电介质层，其中基于有机硅烷的自组装单层抑制低k电介质层沉积在含硅表面顶上。
使用组装单层选择性电介质沉积方法

[发明专利]具有织构化铱底电极的基于氧化铪和氧化锆的铁电器件-CN201880071004.5在审
发明人： M·M·福兰克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：该方法包括：在衬底上形成金属电极层，其中该金属电极层具有暴露表面，该暴露表面具有至少80％的{111}晶面；以及在金属电极层的暴露表面上形成FE/AFE介电层，其中FE/AFE介电层是族4过渡金属氧化物
具有织构化铱底电极基于氧化氧化锆器件

[发明专利]高传热率可再用热保护系统-CN201310625033.0有效
发明人： J·S·赫茨伯格;R·J·布迪察;F·O·钱德勒;J·W·黑尼 -专利权人：波音公司
申请日： 2013-11-28 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： B64C1/12 文献下载
摘要：多孔蒙皮包括暴露外表面和非暴露表面，并且冷却剂贮器包括连接到该非暴露表面的穿孔以及阀。该阀响应于多孔蒙皮的温度，调节从冷却剂贮器到多孔蒙皮的冷却剂流动。
传热再用保护系统

[发明专利]具有选择性生效的粘合剂的片材-CN200580004135.4有效
发明人：大卫·C·温多斯基;肯尼斯·J·汉利;罗纳德·W·莫斯特;史蒂芬·L·加姆拉特 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2005-02-04 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： B42F15/06 文献下载
摘要：公开了一种片状固定组件(720)，它允许片材选择性地粘附于安装表面(772)。该片材的基底层(721)具有前面(722)和相对的背面(724)。压敏粘合剂(756)在该片材基底层(721)的背面具有暴露表面，但是该暴露表面是凹进的。在该片材背面限定出了一个或者多个高于压敏粘合剂(756)的暴露表面的间隔元件(761)，在未向与压敏粘合剂的暴露表面相对的片材前面施加阈值水平的压力(P)的情况下，该间隔元件(761)的厚度足以防止压敏粘合剂(756)接触到与片材背面抵靠的表面(772)。
具有选择性生效粘合剂

[发明专利]海洋暴露环境下混凝土内氯离子侵蚀时变预测方法和系统-CN202210775124.1在审
发明人：熊青香;刘清风;蔡渝新;童良玉 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G16C20/30 文献下载
摘要：本发明提供一种海洋暴露环境下混凝土内氯离子侵蚀时变预测方法和系统，该方法包括：获取混凝土预测模型所需的参数；根据暴露工况和所述参数，确定合适的时变扩散系数模型，得到参考扩散系数和老化因子；根据暴露工况下混凝土表面的氯离子吸附能力随暴露时间的累积性，确定合适的时变边界条件累积模型，得到初始表面氯离子浓度和经验系数；求解混凝土中氯离子传输模型，实现指定暴露环境和暴露时间下的氯离子浓度预测。本发明能够准确预测混凝土在中长期氯盐暴露情况下的氯离子浓度分布，进而预测混凝土结构的使用寿命。
海洋暴露环境混凝土氯离子侵蚀预测方法系统

[发明专利]一种用于打线封装的半导体结构-CN201610585074.5有效
发明人：陈敏;徐远;欧新华;袁琼;符志岗;刘宗金 -专利权人：上海芯导电子科技有限公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种用于打线封装的半导体结构，包括：衬底，所述衬底上分布有若干压焊区；氧化层，覆盖于所述衬底的部分上表面且暴露所述若干压焊区；金属薄膜，覆盖于所述压焊区之上以及与所述压焊区临近的部分所述氧化层的上表面；钝化层，覆盖于暴露的所述氧化层的上表面以及与所述暴露的氧化层临近的部分所述金属薄膜的上表面，所述钝化层暴露位于所述压焊区之上的金属薄膜，以用于打线封装。
一种用于封装半导体结构

[发明专利]一种处理金属表面的方法以及由此形成的产品-CN03801091.7无效
发明人：罗伯特·L·海曼;布鲁斯·弗林特;拉维·钱德兰;乔纳森·L·巴斯;小詹姆斯·S·福尔肯 -专利权人：以利沙控股有限公司
申请日： 2003-02-05 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： C23C22/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种无电的或电解处理金属表面的方法。该方法包括：首先将金属表面暴露于包含至少一种硅酸盐的第一种介质中，之后暴露于包含硅胶的第二种介质中(在暴露于第一种介质之后，暴露于第二种介质之前，可以进行附加步骤)。第一和第二种介质可以电解或无电流。
一种处理金属表面方法以及由此形成产品

[发明专利]用于选择性金属间隙填充的多步骤预清洁-CN202180008308.9在审
发明人：岑羲;姚雅宽;赖一鸣;吴凯;阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯;戴维·T·奥;凯文·卡舍菲;雷雨;董琳;任河;徐翼;梅裕尔·奈克;陈浩;凌芒芒 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-05-05 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：描述了用于预清洁具有金属和电介质表面的基板的方法。基板暴露于强还原剂中，以从金属表面移除污染物并损坏电介质表面。基板接着暴露于氧化处理，以修复对电介质表面的损坏并氧化金属表面。基板接着暴露于弱还原剂以将金属氧化物还原为纯金属表面，而基本上不影响电介质表面。还描述了用于实施该方法的处理工具和计算机可读介质。
用于选择性金属间隙填充步骤清洁

[发明专利]防止海水、微咸水和/或淡水中的结构结污和/或腐蚀的方法和装置-CN91101436.5无效
发明人：威廉·J·里菲;雅克·D·卡特 -专利权人：海洋环境研究公司
申请日： 1991-03-09 - 公布日： 1991-11-27 - 主分类号： C23F13/02 文献下载
摘要：一种防止结构与海水、微咸水、淡水或它们的组合物接触的暴露表面结污和/或腐蚀的装置和方法。该系统包括使用具有暴露的含锌表面的结构。在暴露的水与结构的界面处感应和保持一负电容性电荷或不对称交变静电电位。
防止海水咸水淡水中的结构腐蚀方法装置

[发明专利]晶体管及其形成方法-CN201510011981.4有效
发明人：邓浩;彭婷婷 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-09 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种晶体管及其形成方法，形成方法包括：提供衬底；在衬底表面形成介质层，介质层内具有暴露出衬底表面的第一通孔；在第一通孔内形成填充满第一通孔的第一沟道插塞，第一沟道插塞的底部区域内具有第一掺杂区；去除部分介质层，暴露出靠近第一沟道插塞顶部的部分侧壁表面；在第一沟道插塞的顶部区域内形成第二掺杂区；之后，在所暴露出的第一沟道插塞侧壁和顶部表面形成覆盖层；在形成覆盖层之后，去除部分介质层，暴露出部分第一沟道插塞的侧壁表面；在形成覆盖层并去除部分介质层之后，在所暴露出的第一沟道插塞侧壁表面形成栅介质层；在栅介质层表面形成栅极层。
晶体管及其形成方法

[发明专利]沟槽隔离结构的形成方法-CN201410640608.0有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-11-13 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有掩膜层，所述掩膜层暴露出部分衬底表面；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述衬底，在所述衬底内形成沟槽；在所述沟槽的侧壁和底部表面形成衬垫层；在形成所述衬垫层之后，对所述掩膜层的侧壁进行刻蚀，暴露出所述沟槽周围的部分衬底表面；在对所述掩膜层的侧壁进行刻蚀之后，以所述掩膜层和衬垫层为掩膜，在所暴露出的衬底表面掺杂改性离子，在所暴露出的衬底表面形成阻挡层，且所述阻挡层位于包围所述沟槽顶部的衬底表面；在形成阻挡层之后，在所述衬垫层表面形成填充满沟槽的隔离层。
沟槽隔离结构形成方法

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