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[发明专利]波长转换元件及其制造方法、光源装置、投影仪-CN202010180748.X有效
发明人：桥爪俊明 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G03B21/20 文献下载
摘要：提供波长转换元件及其制造方法、光源装置、投影仪，能够抑制荧光的扩展。波长转换元件具有：荧光体层，其具有多个荧光体粒子、和使多个荧光体粒子中的彼此相邻的一方的荧光体粒子与另一方的荧光体粒子结合的粘合剂；以及基板，在该基板设置有荧光体层，粘合剂含有玻璃，粘合剂使一方的荧光体粒子的表面的一部分与另一方的荧光体粒子的表面的一部分结合
波长转换元件及其制造方法光源装置投影仪

[发明专利]波长变换元件、荧光体轮、光源装置以及影像显示装置-CN201910331283.0有效
发明人：池田贵司;前田诚;西川勇作 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G03B21/20 文献下载
摘要：本公开提供一种波长变换元件、荧光体轮、光源装置以及影像显示装置，实现了向荧光的变换效率、热效率的提高。第1波长变换元件(101)由荧光体区域构成，荧光体区域由三层构成，该荧光体区域层叠由粒径不同的荧光体粒子(111a、112a、113a)构成的第1荧光体区域(111)、第2荧光体区域(112)、第3荧光体区域构成配置在中间的第2荧光体区域的荧光体粒子(112a)的粒径小于表面侧的第1荧光体区域(111)的荧光体粒子(111a)以及背面侧的第3荧光体区域(113)的荧光体粒子(113a)的粒径。
波长变换元件荧光光源装置以及影像显示装置

[发明专利]光源装置以及车辆用灯具-CN201380075909.7无效
发明人：三泽智也;森田耕策 -专利权人：日立麦克赛尔株式会社
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： F21V7/22 文献下载
摘要：光源装置具备：光源，发出激励光；以及荧光层，由于来自光源的激励光而发出荧光，将从荧光体层发出的荧光与在荧光体层中扩散反射的激励光混色而射出照明光。荧光体层包括：由于激励光而发出荧光的多个荧光体粒子、以及对激励光进行扩散反射的多个扩散反射粒子，在荧光体层中分散有多个荧光体粒子和多个扩散反射粒子。能够降低正反射量，另外能够根据扩散反射粒子的混合量来调整来自荧光体层的荧光和扩散反射的激励光的混色比例。
光源装置以及车辆灯具

[发明专利]荧光体分散液的制造方法及LED装置的制造方法-CN201380028146.0有效
发明人：佐藤淳 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2013-08-12 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供制造不使荧光体粒子劣化、荧光体粒子难以沉降的荧光体分散液的方法，为了解决上述课题，为含有荧光体粒子、层状粘土矿物粒子、氧化物微粒及溶剂的荧光体分散液的制造方法，形成以下的荧光体分散液的制造方法：具有将层状粘土矿物粒子、氧化物微粒及溶剂进行混合、制备粘度为50～500mPa·s的第1分散液的工序；和在上述第1分散液中混合荧光体粒子的工序的荧光体分散液的制造方法。
荧光分散制造方法 led 装置

[发明专利]场致发光荧光体及其制造方法和场致发光元件-CN200580007690.2无效
发明人：窪田俊一;伊藤武夫;坂井和夫 -专利权人：株式会社东芝;富士色素株式会社
申请日： 2005-03-04 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： C09K11/00 文献下载
摘要：该场致发光荧光体由荧光体粒子和不来源于构成荧光体母体和活化剂的原子的电子发射材料的粒子构成，该电子发射材料粒子包含于荧光体粒子的内部，或者密合并内包于前述荧光体粒子间。场致发光元件具备含有该场致发光荧光体的发光体层。此外，另一种场致发光元件具备含有荧光体粒子和不来源于构成荧光体母体和活化剂的原子的电子发射材料粒子的发光体层，所述电子发射材料由导电性化合物形成，电子发射材料在发光体层中所占的比例为1～75重量％。
发光荧光及其制造方法元件

[发明专利]荧光体层、半导体发光装置及其制造方法-CN200810146096.7有效
发明人：前田俊秀;大盐祥三;岩间克昭;北原博实;池田忠昭;龟井英德;花田康行;坂上惠 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2002-09-03 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种荧光体层、半导体发光装置及其制造方法，所述荧光体层，包括荧光体粒子、超微粒子和透光性树脂，其中：所述荧光体粒子被分散在所述荧光体层中，所述超微粒子的一次粒子的平均直径在3nm以上且50nm以下的范围内据此，使组合了发光元件与所述荧光体层而得到的半导体发光装置的颜色不均匀较少。
荧光半导体发光装置及其制造方法

[发明专利]荧光体层组成物、荧光构件、光源装置以及投影装置-CN201880042487.6有效
发明人：青森繁;由井英臣;山本睦子;松清秀次 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G03B21/20 文献下载
摘要：提供一种能够抑制荧光体粒子与粘合剂的界面的反射或散射，并提高荧光体粒子的激发光吸收以及光提取效率的荧光体层组成物、荧光构件、光源装置以及投影装置。本发明的一个方式涉及的荧光体层组成物包括：荧光体粒子111，其吸收激发光并发出规定的荧光；以及粘合剂112，其由金属醇盐或金属醇盐与金属氧化物的混合物形成的透光性的凝胶制成，荧光体粒子111被分散于所述粘合剂中，荧光体粒子111的折射率与粘合剂112的折射率之差在0.3以下。由此，可以抑制荧光体粒子111与粘合剂112的界面的反射，并提高荧光体粒子的激发光吸收以及光提取效率。
荧光组成构件光源装置以及投影

[发明专利]发光装置-CN201780008096.8有效
发明人：李柔信;大盐祥三;奥野达也;阿部岳志;中村将启 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-01-31 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明的发光装置(1)具备基板(30)、和在基板(30)的平坦面(32)上多个荧光体粒子(60)粘合而成的荧光体层(40)，荧光体粒子(60)中的至少1个为单分散、来自石榴石的晶体结构且具有小平面的多面体形状的荧光体粒子(65)，多面体形状的荧光体粒子(65)的中心粒径D50为30μm以上且为荧光体层(40)的最大厚度以下。粘合于基板(30)的平坦面(32)上的荧光体粒子(60)中的至少1个优选为单分散、来自石榴石的晶体结构且具有小平面的多面体形状的荧光体粒子(65)。
发光装置

[发明专利]发光装置及其制造方法-CN200810171409.4有效
发明人：幡俊雄;小西正宏;英贺谷诚 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2008-05-19 - 公布日： 2009-04-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光装置(1000)及其制造方法，其中，所述发光装置(1000)是搭载于基板(1)上的发光元件(3)中的至少一部分被模部件覆盖的发光装置，上述模部件包含树脂粒子(51)和/或无机材料粒子、荧光体粒子(5)以及封固树脂(52)，该荧光体粒子(5)为粒子状的荧光体，所述荧光体粒子与树脂粒子(51)和/或该无机材料粒子的比重不同，如果照射激发光，则发出波长大于激发光的荧光，在封固树脂(52)中，分散有树脂粒子(51)和/或该无机材料粒子与荧光体粒子(5)。
发光装置及其制造方法

[发明专利]波长转换体、波长转换构件及发光装置-CN201680065675.1在审
发明人：奥野达也;中村将启;李柔信;藤井俊平 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明的波长转换体(1)具备：多个荧光体粒子(10)；和粘合层(20)，该粘合层由多个平均粒径D50为1nm以上且低于100nm的纳米粒子粘连而成的纳米粒子粘连体形成且使相邻的荧光体粒子(10)彼此粘连纳米粒子优选平均粒径D50为10nm以上且低于100nm。荧光体粒子(10)优选包含下述荧光体粒子：将在大气中1200℃以上的荧光体粒子的烧成后的亮度除以在大气中1200℃以上的荧光体粒子的烧成前的亮度而得到的亮度维持率为80％以下。
荧光体粒子纳米粒子粘连波长转换体平均粒径粘合层烧成优选波长转换构件发光装置亮度维持

[发明专利]荧光体涂料、涂膜、荧光体基板和照明装置-CN202180057348.2在审
发明人：小西正宏 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C09D5/22 文献下载
摘要：本发明提供一种荧光体涂料，包含荧光体粒子和固化性树脂成分。该荧光体涂料中，全部不挥发成分中的荧光体粒子的含有率为25vol％～60vol％。能够使用该荧光体涂料来制作涂膜(荧光体层)、荧光体基板、照明装置。
荧光涂料涂膜体基板照明装置

[发明专利]荧光体粒子组以及使用其的发光装置-CN201310051875.X有效
发明人：花本哲也;增田昌嗣;寺岛贤二 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2008-06-18 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明公开一种荧光体粒子组以及将该荧光体粒子组用于波长变换部的发光装置，该荧光体粒子组是由一般式EuaSibAlcOdNe所实质地表达的β型SiAlON、即2价的铕活化氧氮化物绿色系发光荧光体粒子的粒子组，由长径与短径的比值超过1.0而为3.0以下的荧光体粒子(1)构成60％以上，式中的数满足0.005≤a≤0.4，b+c＝12，d+e＝16。从而能够得到使用β型SiAlON的、高效率且稳定的发光装置以及用于其的荧光体粒子组。
荧光粒子以及使用发光装置

[发明专利]荧光体粒子组以及使用其的发光装置-CN200880023875.6有效
发明人：花本哲也;增田昌嗣;寺岛贤二 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2008-06-18 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明公开一种荧光体粒子组以及将该荧光体粒子组用于波长变换部的发光装置，该荧光体粒子组是由一般式EuaSibAlcOdNe所实质地表达的β型SiAlON、即2价的铕活化氧氮化物绿色系发光荧光体粒子的粒子组，由长径与短径的比值超过1.0而为3.0以下的荧光体粒子(1)构成60％以上，式中的数满足0.005≤a≤0.4，b+c＝12，d+e＝16。从而能够得到使用β型SiAlON的、高效率且稳定的发光装置以及用于其的荧光体粒子组。
荧光粒子以及使用发光装置

[发明专利]一种硅铝氧氮陶瓷荧光体粉末及其制备方法和应用-CN201811092225.9在审
发明人：邓先树 -专利权人：成都建极微波技术有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅铝氧氮陶瓷荧光体粉末，所述硅铝氧氮陶瓷荧光体粉末含有所述β‑硅铝氧氮陶瓷荧光体粒子，其中不含纵横比大于2的荧光体粒子，所述荧光体粒子的纵横比的平均值小于1.5，其粒度分布曲线中的中值粒经本发明还公开了硅铝氧氮陶瓷荧光体粉末的制备方法，将粒径为2μm以上、纵横比的平均值为1.3以下的α型氮化硅粒子，在0.05MPa～100MPa的氮气氛中、于1700～2100℃进行焙烧。按照本发明，采用特定的制造方法，可以制造纵横比小的硅铝氧氮陶瓷荧光体粒子。另外，通过采用由该法得到的包含纵横比小的硅铝氧氮陶瓷荧光体粒子的荧光体粉末，可以提供高亮度的荧光体。采用本发明的氮氧化物荧光体与激发源，也可制造图像显示装置。
一种硅铝氧氮陶瓷荧光粉末及其制备方法应用

[发明专利]荧光体粉末、复合体和发光装置-CN202280017711.2在审
发明人：田中萌子;市川真义 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C09K11/61 文献下载
摘要：一种荧光体粉末，包含组成由通式(1)：A2MF6：Mn表示的荧光体粒子。这里的荧光体粒子包含选自截角六面体形状、立方八面体形状和截角八面体形状中的任一形状的第一荧光体粒子。另外，荧光体粉末中的荧光体粒子中，以个数基准计65％以上为第一荧光体粒子。
荧光粉末复合体发光装置

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