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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法-CN01121865.7无效
发明人：甲斐徹哉;笠井良夫;角田弘昭;萩原裕之;小林英行 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2001-06-29 - 公布日： 2002-01-09 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：通过提高栅氧化膜的膜质量降低漏电流来提高可靠性的半导体器件的制造方法。在半导体衬底11上形成隧道氧化膜12,在隧道氧化膜12上形成成为浮栅的多晶硅膜13。在多晶硅膜13上形成用CVD法制成的硅氧化膜14后,在氧化性气氛中进行热处理。在硅氧化膜14上形成硅氮化膜15,在硅氮化膜15上用CVD法形成硅氧化膜16。在氧化性气氛中进行热处理,进一步在硅氧化膜16上形成多晶硅膜17。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜及其制备方法-CN202010705386.1在审
发明人：方青;胡鹤鸣;邵瑶;张馨丹;顾苗苗;陈华;陈晓峰 -专利权人：昆明理工大学;国网上海能源互联网研究院有限公司;哈尔滨众达电子有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜及其制备方法，属于半导体制备技术领域。本发明所述低应力硅基厚膜包括衬底硅层、硅氧化物层，包覆层和硅基厚膜层，衬底硅层上设有硅氧化物层，硅氧化物层上沉积有硅基厚膜层，硅基厚膜层上设有网格状沟槽，网格状沟槽将硅基薄膜分割成数个独立单元，网格状沟槽内填充有包覆层；本发明所述硅基厚膜可以改善厚膜内部所受应力不均匀的情况，减小厚膜应力，增大了所沉积的厚膜的最大厚度，能够实现器件的大规模生产。
一种基于绝缘体应力硅基厚膜及其制备方法

[实用新型]一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜-CN202021442683.3有效
发明人：方青;胡鹤鸣;邵瑶;张馨丹;顾苗苗;陈华;陈晓峰 -专利权人：昆明理工大学;国网上海能源互联网研究院有限公司;哈尔滨众达电子有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜，属于半导体制备技术领域。本实用新型所述低应力硅基厚膜包括衬底硅层、硅氧化物层，包覆层和硅基厚膜层，衬底硅层上设有硅氧化物层，硅氧化物层上沉积有硅基厚膜层，硅基厚膜层上设有网格状沟槽，网格状沟槽将硅基薄膜分割成数个独立单元，网格状沟槽内填充有包覆层；本实用新型所述硅基厚膜可以改善厚膜内部所受应力不均匀的情况，减小厚膜应力，增大了所沉积的厚膜的最大厚度，能够实现器件的大规模生产。
一种基于绝缘体应力硅基厚膜

[发明专利]圆柱形叠式电极的制造方法-CN99103195.4无效
发明人：藤原秀二 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1999-03-25 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：一种制造圆柱形叠式电极的方法，在半导体基片上形成硅膜，在硅膜上面形成绝缘膜，刻蚀所述绝缘膜，开一达到硅膜下面的半导体基片的第一孔，以比第一孔宽的直径贯穿所述绝缘膜形成第二孔，以硅膜作为掩膜开一接触孔，填盖接触孔，形成形状如圆柱形叠式电极的非晶硅膜，在非晶硅膜上形成第二绝缘膜以填盖第二孔，刻蚀第二绝缘膜直至非晶硅表面，刻蚀非晶硅膜直至第一绝缘膜表面，清除所述绝缘膜和形成在半导体基片上的一部分硅膜。
圆柱形电极制造方法

[发明专利]异质结晶硅电池及其制备方法-CN202211298130.9在审
发明人：霍亭亭;张学玲;陈达明 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结晶硅电池及其制备方法，其中，异质结晶硅电池包括N型硅基体、N型硅材料层和P型硅材料层，N型硅基体的正面和背面均设有本征非晶硅层；N型硅材料层连接于正面的本征非晶硅层上，N型硅材料层上依次层叠有第一透明导电膜层、第二透明导电膜层和第三透明导电膜层，且第一透明导电膜层、第二透明导电膜层和第三透明导电膜层的掺杂浓度依次递增，第三透明导电膜层上设有多个间隔设置的镂空部，第三透明导电膜层上连接有正面电极；P型硅材料层连接于背面的本征非晶硅层上，P型硅材料层上层叠有背面透明导电膜层，背面透明导电膜层上连接有背面电极。
结晶电池及其制备方法

[发明专利]晶硅膜形成方法和晶硅膜形成装置-CN202211604228.2在审
发明人：梅泽好太;渡部佳优 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种晶硅膜形成方法和晶硅膜形成装置，能够形成粒径更大的晶硅膜。晶硅膜形成方法包括以下工序：在基板上形成第一非晶硅膜；对形成有第一非晶硅膜的基板实施第一退火来形成晶核形成膜，该晶核形成膜形成有硅的晶核；通过蚀刻气体来进行蚀刻；在进行蚀刻的工序之后所残留的晶核上形成第二非晶硅膜；以及对形成第二非晶硅膜之后的基板实施第二退火，来使晶核生长并形成晶硅膜。
晶硅膜形成方法装置

[发明专利]半导体装置-CN200410003520.4无效
发明人：山口泰男 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2004-01-29 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：最下层的门配线与被埋置在层间绝缘膜下的夹层形状的铜配线相连接。在铜配线的外侧，屏蔽环的铜配线被埋置在层间绝缘膜下。在铜配线和层间绝缘膜上形成硅氮化膜。在硅氮化膜上形成了硅氧化膜。在硅氧化膜上埋置了连接不同铜配线的熔丝配线。在熔丝配线和包括铝配线的上面，形成了硅氧化膜。在硅氧化膜上形成了硅氮化膜。位于铝配线上的硅氮化膜已被拆除，形成开口部，硅氮化膜和铝配线直接连接。
半导体装置

[发明专利]应用绿激光制备薄膜太阳能电池的方法-CN200910116082.5有效
发明人：陈良范;罗毅;李晨 -专利权人：普乐新能源（蚌埠）有限公司
申请日： 2009-01-14 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：应用绿激光制备薄膜太阳能电池的方法，它包括以下步骤：用绿激光在衬底玻璃上的透明导电膜上刻出若干等宽的凹槽；在透明导电膜上沉积出非晶硅膜或微晶硅膜；在非晶硅膜或微晶硅膜上位于透明导电膜上的每一条凹槽的同向旁侧处第二次用绿激光分别刻出一条凹槽；在非晶硅或微晶硅膜上沉积负电极膜；再使用绿激光对非晶硅膜或微晶硅膜和负电极膜进行第三次刻槽，第三次刻出的每条凹槽分别位于非晶硅膜或微晶硅膜上的凹槽的同向旁侧，三次刻槽在同一台激光刻膜机的平台上完成。
应用激光制备薄膜太阳能电池方法

[发明专利]动态随机存取存储器件中的场效应晶体管和存储单元的制造方法-CN01125249.9无效
发明人：成田薰 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1996-10-14 - 公布日： 2002-12-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在半导体衬底上配置绝缘膜,该绝缘膜有设置于半导体衬底的预定区域上的开口,在绝缘膜之上设置第一多晶硅膜。与第一多晶硅膜相接触地设置第二多晶硅膜。选择地设置栅绝缘膜,它在半导体衬底的预定区域上延伸,并在第二多晶硅膜和围绕第二多晶硅膜的那部分第一多晶硅膜上延伸。在栅绝缘膜上设置栅极,在栅绝缘膜下限定复合沟道区,使其延伸过栅绝缘膜下的第一和第二多晶硅膜以及栅绝缘膜下的半导体衬底。在第一多晶硅膜中选择地设置源区和漏区,使源区和漏区通过复合沟道区相连。
动态随机存取存储器中的场效应晶体管存储单元制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201610098764.8在审
发明人：满生彰 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：在半导体衬底上，经由绝缘膜形成用于非易失性存储器中的存储器单元的存储器栅电极的硅膜，以便覆盖存储器单元的控制栅电极。在从外围电路区去除硅膜和绝缘膜之后，用于MISFET的栅电极的硅膜形成在半导体衬底的存储器单元区上的硅膜上及其外围电路区上。在图案化硅膜以在外围电路区上形成栅电极之后，从存储器单元区去除绝缘膜。随后，在存储器单元区上的硅膜上，形成氧化物膜。随后，回蚀存储器单元区上的硅膜上的氧化物膜和硅膜以经由绝缘膜形成相邻于控制栅电极的存储器栅电极。
制造半导体器件方法

[发明专利]具有接触结构的半导体器件及其制造方法-CN94109012.4无效
发明人：神力博;山本浩;竹安伸行;小宫隆行;太田与洋 -专利权人：川崎制铁株式会社
申请日： 1994-06-27 - 公布日： 1995-10-11 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：带有接触结构的半导体器件包括一硅基片，一形成在硅基片表面上的扩散区，一淀积在扩散区上的高熔点金属硅化膜，一形成在硅基片上的绝缘膜，一形成在绝缘膜内的接触，该硅化膜暴露在触点孔洞的底部，一抗扩散膜形成在位于接触孔底部的硅化膜表面上，通过选择性AlCVD法，在接触孔内构成一栓塞，并且金属布线形成在绝缘膜上，因此通过该栓塞，抗扩散膜和硅化膜实现该金属布线与该扩散区的电气连接、该抗扩散膜是对该硅化膜表面进行渗氮处理而形成。
具有接触结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]硅氧化物膜的成膜方法-CN201210421314.X有效
发明人：村上博纪;池内俊之;佐藤润;两角友一朗;长谷部一秀 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-10-29 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及硅氧化物膜的成膜方法，其具备：在基底上形成晶种层的工序；在晶种层上形成硅膜的工序；以及将硅膜和晶种层氧化，在基底上形成硅氧化物膜的工序。
氧化物方法

[发明专利]二次电池及二次电池的电极的制造方法-CN201180016382.1有效
发明人：栗城和贵;森若圭惠 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-03-01 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：本发明提供一种二次电池，该二次电池包括包含硅或硅化合物的电极，该电极例如包括由金属形成的集电体和设置在该集电体上的用作活性物质的硅膜。该电极的硅膜中的氢浓度为1.0×1018cm-3以上且1.0×1021cm-3以下。这种硅膜例如优选利用等离子体CVD法等在集电体上形成硅膜，并使硅膜中尽量不包含氢。为了使硅膜中尽量不包含氢，可在高温度环境下在集电体上形成硅膜。
二次电池电极制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200410090539.7无效
发明人：辻内干夫;岩松俊明 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2004-11-05 - 公布日： 2005-05-11 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：由氧化硅衬底(1)和硅膜(2)形成SOI衬底。硅膜(2)的表面被氧化而形成硅氧化膜(3)。在该硅氧化膜(3)上依次形成多晶硅(4)和硅氮化膜(5)。然后，沟槽(7)形成于区域(R1)上。在沟槽(7)内埋入绝缘材料即硅氧化膜(13)。从而防止半导体器件的性能与可靠性因金属污染物质而降低的情形。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200410095406.9无效
发明人：大沼英人;坂仓真之;三谷康弘;松尾拓哉;北角英人 -专利权人：株式会社半导体能源研究所;夏普株式会社
申请日： 2004-12-24 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种具有抑制了空腔产生的结晶半导体膜的半导体器件及其制造方法。根据本发明的半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成非晶硅膜；将诸如Ni的用于促进该非晶硅膜结晶的金属元素添加到非晶硅膜上，进行热处理以使该非晶硅膜结晶，由此在该衬底上形成结晶硅膜；通过含有机溶剂和氟化物的溶液去除在该结晶硅膜的表面上由于热处理形成的氧化硅膜；以及将激光或强光照射到该结晶硅膜上。
半导体器件及其制造方法

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