专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果6909474个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]在接触焊盘上形成RDL的方法和半导体器件-CN201110255476.6有效
  • 林耀剑;陈康;方建敏;冯霞 - 新科金朋有限公司
  • 2011-07-26 - 2012-02-08 - H01L21/60
  • 一种半导体器件包括具有有源表面的半导体管芯。第一导电形成在该有源表面上。第一绝缘形成在有源表面上。第二绝缘形成在该第一绝缘和第一导电上。在该第一导电上去除第二绝缘的一部分以使第二绝缘没有任何部分覆盖在该第一导电上。第二导电形成在该第一导电和第一和第二绝缘上。该第二导电在该第一导电上延伸上至该第一绝缘。备选地,该第二导电横跨该第一导电延伸上至该第一导电相对侧上的该第一绝缘。在该第二导电和第一和第二绝缘上形成第三绝缘
  • 接触焊盘上形成rdl方法半导体器件
  • [发明专利]半导体器件和制作方法-CN201811314954.4有效
  • 尚海平;曹治;王英辉;王玮冰 - 中国科学院微电子研究所
  • 2018-11-06 - 2023-07-18 - G01N27/414
  • 该半导体器件包括:衬底;第一绝缘,位于衬底的表面上;电极,位于第一绝缘的远离衬底的表面上;第二绝缘,位于电极的远离第一绝缘表面上,第二绝缘具有间隔设置的多个通孔,各通孔使得电极的部分表面裸露,第二绝缘的材料和/或第一绝缘的材料包括非晶碳化硅。该半导体器件中第一绝缘的材料和/或第二绝缘的材料为非晶碳化硅,该材料可以有效防止由于海水腐蚀造成的器件失效的问题,极大的提高了半导体器件的使用寿命。
  • 半导体器件制作方法
  • [实用新型]一种铝合金芯无金属套柔性矿物绝缘防火电缆-CN202121934979.1有效
  • 孙国刚;石彦良 - 辽宁佳义电缆有限公司
  • 2021-08-17 - 2022-03-15 - H01B7/04
  • 本实用新型公开了一种铝合金芯无金属套柔性矿物绝缘防火电缆,包括铝合金电线芯,所述铝合金电线芯的表面设置有阻燃,所述阻燃表面设置有绝缘,所述绝缘包括矿物绝缘,所述矿物绝缘表面设置有挤包的绝缘,所述阻燃包括无卤阻燃填充绳,所述无卤阻燃填充绳的表面设置有无卤阻燃包带。本实用新型通过设置绝缘对铝合金电线芯进行绝缘,通过设置阻燃对铝合金电线芯进行阻燃,通过设置铝合金电线芯起到传输电能的作用,同时解决了目前使用的矿物电缆不能克服矿物绝缘电缆生产长度有限的弊端、安装敷设中出现的中间接头的问题,且绝缘易受潮、安装敷设不方便的问题。
  • 一种铝合金金属柔性矿物绝缘防火电缆
  • [发明专利]平面化半导体基片的方法-CN98114960.X无效
  • 金昶圭;崔志铉;洪锡智 - 三星电子株式会社
  • 1998-05-17 - 2003-05-28 - H01L21/31
  • 一种平面化半导体基片的方法,利用半导体基片上绝缘体腐蚀选择性的差别。该方法包括的步骤是湿法腐蚀凸出区上部边缘的第二和第一绝缘直到第一绝缘的部分在上部边缘露出为止;在第一和第二绝缘上形成第三绝缘;湿法腐蚀第三和第二绝缘直到第一绝缘的上部表面露出为止。湿法腐蚀期间,第二绝缘的腐蚀要比第三绝缘快。借助这种方法,半导体基片具有平的表面
  • 平面化半导体方法
  • [发明专利]金属-绝缘体-金属电容及其形成方法-CN201511016872.8在审
  • 黄冲;李志国;董碧云 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2015-12-29 - 2016-04-20 - H01L23/64
  • 本发明提供了一种金属-绝缘体-金属(MIM)电容及其形成方法,所述形成方法包括:提供基底,所述基底上自上而下依次具有第一导电、第一绝缘和第二导电;刻蚀所述第一导电,形成第一电极,所述第一电极暴露出部分所述第一绝缘;形成覆盖所述第一电极顶表面和侧壁、以及部分所述第一绝缘表面的第二绝缘;刻蚀所述第二绝缘和所述第一绝缘,直至暴露出所述第二导电,剩余在所述第一电极侧壁表面的第二绝缘及其下方的第一绝缘构成侧墙结构,位于所述第一电极下方的第一绝缘构成电介质;刻蚀所述第二导电,形成第二电极。本发明的MIM电容的形成方法可以减少对电容中电介质的刻蚀损伤。
  • 金属绝缘体电容及其形成方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top