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[实用新型]一种用于浮球开关的电线线缆-CN201220013833.8有效
发明人：胡凯华 -专利权人：司捷易兰姆布斯控制科技（苏州）有限公司
申请日： 2012-01-13 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01B7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于浮球开关的电线线缆，包括绝缘层以及设置于绝缘层内的导体，其特征在于：所述绝缘层的表面至少有一段为凹凸不平的粗糙面。本实用新型的一种用于浮球开关的电线线缆，在线缆绝缘层的表面为凹凸不平的粗糙面，增加了绝缘层表面的粗糙度，增大了绝缘层的表面与密封液的接触面积，使得线缆的绝缘层与密封液充分融合在一起，相互渗透结合，结合更加紧密，因此本实用新型电线线缆表面粗糙，与密封液结合紧密。
一种用于开关电线线缆

[发明专利]形成半导体器件接触塞的方法-CN98102092.5有效
发明人：尹普彦;丁寅权;李元成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1998-06-11 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：形成半导体器件接触塞的方法，包括在绝缘层上形成导电层填充接触孔的步骤。该方法还包括：在形成接触塞之后，通过深腐蚀或CMP工艺腐蚀导电层，平面化-腐蚀绝缘层上表面和接触塞，直到暴露绝缘层的上表面。或者用CMP工艺同时平面化-腐蚀导电层和绝缘层，以形成接触塞并平面化绝缘层的上表面。
形成半导体器件接触方法

[实用新型]一种抗拉伸的同轴电缆结构-CN201920569017.7有效
发明人：汤立鹏;杨戬;庞尔升;陈贺 -专利权人：中电航宇（昆山）技术有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01B7/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗拉伸的同轴电缆结构，包括中心导体，所述中心导体的外表面套设有泡沫绝缘层，所述泡沫绝缘层的内部固定镶嵌有尼龙丝，所述泡沫绝缘层的外表面套设有聚乙烯绝缘层，所述聚乙烯绝缘层的外表面套设有铝箔屏蔽层，所述铝箔屏蔽层的内壁和聚乙烯绝缘层的外表面固定连接，所述铝箔屏蔽层的外表面套设有铜丝网导电层。本实用新型设计结构合理，它能够通过电缆保护层的外表面固定镶嵌的尼龙带，提高电缆保护层的抗拉伸强度，通过泡沫绝缘层内部固定镶嵌的尼龙丝，提高泡沫绝缘层的抗拉伸强度，进而提高本技术中的同轴电缆整体的坑拉伸强度
泡沫绝缘层外表面套抗拉伸尼龙丝聚乙烯绝缘层铝箔屏蔽层同轴电缆结构本实用新型电缆保护层镶嵌内部固定中心导体尼龙带设计结构同轴电缆导电层铜丝网拉伸两组内壁

[实用新型]一种新型阻水防潮电力电缆-CN202120380769.6有效
发明人：吴志权 -专利权人：河北荣盛线缆有限公司
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01B7/282 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型阻水防潮电力电缆，包括线芯，所述线芯表面包裹有第一绝缘层，所述第一绝缘层表面设有屏蔽层，所述屏蔽层表面设有第二绝缘层，所述第二绝缘层表面包裹有防护套，所述防护套表面包裹有防渗层，所述防渗层表面包裹有防水层。通过防水层、防渗层能够隔绝外部水汽对电缆的影响，避免出现水汽腐蚀防护套影响电缆使用寿命的情况；通过铁丝能够增加电缆整体的强度和抗拉伸性能；通过第一绝缘层和第二绝缘层实现双层绝缘效果，从而避免出现漏电的情况
一种新型防潮电力电缆

[发明专利]内埋元件的基板制造方法-CN200610057444.4有效
发明人：洪清富;林素玉;薛彬佑 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2006-03-15 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：该内埋元件的基板制造方法包括：提供一核心层，此核心层是由第一信号层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层以及第二信号层依序堆叠而成，其中第一绝缘层与第三绝缘层呈固化态，第二绝缘层呈半固化态；在核心层中形成埋孔，并将一至少具有一电极的内埋元件放入埋孔中；压合核心层，使第二绝缘层填入埋孔中，并且将内埋元件周围表面包覆住；在核心层的上表面以及下表面分别形成第一表面线路层以及第二表面线路层，并且使内埋元件与第一表面线路层电性连接
元件制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN201410575580.7在审
发明人：川崎敦子 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-10-24 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：根据实施方式的半导体装置的制造方法，形成第一导电层以及第一绝缘层从表面露出的第一布线层，形成第二导电层以及第二绝缘层从表面露出的第二布线层，通过使所述第一绝缘层的表面中的、包括所述第一导电层的周围的一部分区域比所述第一导电层的表面低来在所述第一绝缘层的表面形成第一非接合面，将所述第一导电层的表面与所述第二导电层的表面连接，并且，将除了所述第一非接合面的所述第一绝缘层的表面与所述第二绝缘层的表面接合。
半导体装置制造方法以及

[发明专利]多层配线板、使用多层配线板的半导体器件及其制造方法-CN200610132159.4有效
发明人：菊池克;山道新太郎;栗田洋一郎;副岛康志 -专利权人：日本电气株式会社;恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2006-10-12 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H05K1/16 文献下载
摘要：一种多层配线板，具有：设置在第一表面和第二表面上的电极、交替地被层压的绝缘层和配线层、以及设置在绝缘层中且与配线层电连接的通孔。将设置在第二表面的第二电极嵌入暴露在所述第二表面的绝缘层中，且有暴露在所述第二表面的绝缘层所覆盖的第二配线层并不具有用于改善与绝缘层的粘着性的层。
多层线板使用半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种耐高压电路板结构-CN201921062010.2有效
发明人：林益明 -专利权人：深圳市诚之益电路有限公司
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种耐高压电路板结构，包括铝基材层、所述铝基材层的上表面设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层的上表面设置有第二绝缘层，所述第一绝缘层和第二绝缘层的厚度为74μm‑76μm，所述第二绝缘层的上表面设置有线路层本实用新型构思新颖、设计合理，且便于使用，提供一种耐高压电路板结构，通过改变绝缘层的设置，使得能够承受高压电流的加载，保证在高压使用场景下，电板的安全。
一种高压电路板结构

[实用新型]一种耐酸型FIW完全绝缘线-CN202020685374.2有效
发明人：王金斗 -专利权人：安顺市乾辰谷材科技有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01B7/28 文献下载
摘要：本实用新型公开一种耐酸型FIW完全绝缘线，包括：导体，包覆于所述导体表面的基础绝缘层，包覆于所述基础绝缘层上的耐压绝缘层，包覆于所述耐压绝缘层上的屏蔽绝缘层，包覆于所述屏蔽绝缘层上的耐磨绝缘层。本实用新型通过在基础绝缘层、耐压绝缘层、屏蔽绝缘层、耐磨绝缘层中增加将可耐酸的苯甲酸钠材料层，从而提升耐酸型FIW完全绝缘线的耐酸性能。基础绝缘层、耐压绝缘层、屏蔽绝缘层、耐磨绝缘层使得耐酸型FIW完全绝缘线的耐压性能达到20KV以上，远高于普通三层绝缘线的6.0KV，从而满足5G产品应用耐压20KV以上的需求。
一种耐酸 fiw 完全绝缘线

[实用新型]一种耐低温的FIW完全绝缘线-CN202020693327.2有效
发明人：王金斗 -专利权人：安顺市乾辰谷材科技有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01B7/28 文献下载
摘要：本实用新型公开一种耐低温的FIW完全绝缘线，包括：导体，包覆于所述导体表面的基础绝缘层，包覆于所述基础绝缘层上的耐压绝缘层，包覆于所述耐压绝缘层上的屏蔽绝缘层，包覆于所述屏蔽绝缘层上的耐磨绝缘层。本实用新型通过在基础绝缘层、耐压绝缘层、屏蔽绝缘层、耐磨绝缘层中增加将可耐低温的聚丙烯材料层，从而提升耐低温的FIW完全绝缘线的耐低温性能。基础绝缘层、耐压绝缘层、屏蔽绝缘层、耐磨绝缘层使得耐低温的FIW完全绝缘线的耐压性能达到20KV以上，远高于普通三层绝缘线的6.0KV，从而满足5G产品应用耐压20KV以上的需求。
一种低温 fiw 完全绝缘线

[实用新型]滑车电缆-CN202121054873.2有效
发明人：吴健;张书军;张宝龙;李宏章;王怀安;窦丽梅;杨启曾;田志明;孙连发;吕泽中;张永恒;李君;田亚飞 -专利权人：河北华通线缆集团股份有限公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01B7/17 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种滑车电缆，包括成缆线芯，成缆线芯外侧设置防护层；绝缘线芯绞合在一起形成成缆线芯；绝缘线芯包括导体，导体外层绕包隔离层，隔离层外表面挤包绝缘层；所述电缆的两端设置有压接端子，端子外露出绝缘部分设置有热缩管，绝缘层外表面设置有凸起和凹槽；相邻导体绝缘层接触的表面凸起插入凹槽内；相邻导体绝缘层彼此相互啮合，绝缘线芯形成一个整体。本实用新型滑车电缆，绝缘层外表面设置有矩形凸起和矩形凹槽；相邻导体绝缘层接触的表面凸起插入凹槽内；相邻导体绝缘层彼此相互啮合，绝缘线芯形成一个整体，提高电缆的整体强度，延长电缆使用寿命。
滑车电缆

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201610141110.9有效
发明人：叶滋婧;王健鹏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括提供基底；在所述基底表面形成第一导电层；在所述第一导电层表面形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层表面形成锗硅层，所述锗硅层覆盖部分第一绝缘层；形成覆盖所述锗硅层和第一绝缘层的第二绝缘层；刻蚀所述第二绝缘层、第一绝缘层至第一导电层表面，形成通孔，所述通孔的一侧侧壁暴露出所述锗硅层；在所述通孔内形成第二导电层，所述第二导电层底部与第一导电层连接
半导体结构形成方法

[发明专利]一种半导体结构、半导体结构制备方法及半导体装置-CN202210925364.5在审
发明人：张钦福;程恩萍;冯立伟 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构、半导体结构制备方法及半导体装置，该结构包括设置有有源区和浅沟槽隔离区的基底，其中浅沟槽隔离区的上表面低于有源区的上表面；随形覆盖基底的堆叠结构；浅沟槽隔离区上还设置有覆盖堆叠结构的第一绝缘层、覆盖第一绝缘层的第二绝缘层和覆盖第二绝缘层的第三绝缘层；有缘区上设置有覆盖堆叠结构的第一绝缘层，该第一绝缘层上表面和第三绝缘层的上表面处于相同的平面。该结构可以提供具有平坦上表面的半导体结构，且避免了现有技术中通过研磨有源区上的第一绝缘层至与浅沟槽隔离区上的第一绝缘层水平来实现平坦化，提高了漏电的风险，降低了半导体器件工作的稳定性的问题。
一种半导体结构制备方法装置

[发明专利]一种半导体结构、半导体结构制备方法及半导体装置-CN202110691169.6有效
发明人：张钦福;程恩萍;冯立伟 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构、半导体结构制备方法及半导体装置，该结构包括设置有有源区和浅沟槽隔离区的基底，其中浅沟槽隔离区的上表面低于有源区的上表面；随形覆盖基底的堆叠结构；浅沟槽隔离区上还设置有覆盖堆叠结构的第一绝缘层、覆盖第一绝缘层的第二绝缘层和覆盖第二绝缘层的第三绝缘层；有缘区上设置有覆盖堆叠结构的第一绝缘层，该第一绝缘层上表面和第三绝缘层的上表面处于相同的平面。该结构可以提供具有平坦上表面的半导体结构，且避免了现有技术中通过研磨有源区上的第一绝缘层至与浅沟槽隔离区上的第一绝缘层水平来实现平坦化，提高了漏电的风险，降低了半导体器件工作的稳定性的问题。
一种半导体结构制备方法装置

[实用新型]一种半导体结构及半导体装置-CN202121394865.2有效
发明人：张钦福;程恩萍;冯立伟 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体结构及半导体装置，该结构包括设置有有源区和浅沟槽隔离区的基底，其中浅沟槽隔离区的上表面低于有源区的上表面；随形覆盖基底的堆叠结构；浅沟槽隔离区上还设置有覆盖堆叠结构的第一绝缘层、覆盖第一绝缘层的第二绝缘层和覆盖第二绝缘层的第三绝缘层；有缘区上设置有覆盖堆叠结构的第一绝缘层，该第一绝缘层上表面和第三绝缘层的上表面处于相同的平面。该结构可以提供具有平坦上表面的半导体结构，且避免了现有技术中通过研磨有源区上的第一绝缘层至与浅沟槽隔离区上的第一绝缘层水平来实现平坦化，提高了漏电的风险，降低了半导体器件工作的稳定性的问题。
一种半导体结构装置