专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]图像形成装置-CN201610834004.9有效
  • 北村拓也 - 佳能株式会社
  • 2016-09-20 - 2020-05-12 - G03G15/02
  • 该图像形成装置包括:图像承载部件;被配置为使图像承载部件带电的带电部件;被配置为向带电部件施加电压电压施加设备;和控制单元,被配置为控制电压施加设备以在图像形成装置的非图像形成期间执行用于在移动图像承载部件的表面的同时通过电压施加设备向带电部件施加AC电压的清洁模式,其中,执行清洁模式的时间段包括施加第一AC电压的第一时间段和施加第二AC电压的第二时间段,并且第一AC电压的周期与第二AC电压的周期不同。
  • 图像形成装置
  • [发明专利]半导体存储装置-CN201710141118.X有效
  • 皆川絋惠;白川政信 - 铠侠股份有限公司
  • 2017-03-10 - 2022-03-04 - G11C16/10
  • 实施方式的半导体存储装置具备第1存储单元、第2存储单元、连接于第1存储单元的第1字线、及连接于第2存储单元的第2字线,且对第1字线施加第1编程电压,在施加第1编程电压之后,对第2字线施加小于第1编程电压的第2编程电压,在施加第2编程电压之后,对第1字线施加第1验证电压,在施加第1验证电压之后,对第2字线施加小于第1验证电压的第2验证电压
  • 半导体存储装置
  • [发明专利]半导体存储器件-CN201811348315.X有效
  • 元炯植;金弘中 - 爱思开海力士有限公司
  • 2018-11-13 - 2023-03-28 - G11C7/06
  • 一种半导体存储器件,包括:感测放大器控制电路,其被配置为响应于激活信号、预充电信号和写入脉冲来产生第一感测放大器驱动电压施加信号、第二感测放大器驱动电压施加信号和第三感测放大器驱动电压施加信号;以及感测放大器驱动电压提供电路,其被配置为在第一感测放大器驱动电压施加信号至第三感测放大器驱动电压施加信号的使能时段期间通过第一驱动电压施加线和第二驱动电压施加线将驱动电压提供给感测放大器。
  • 半导体存储器件
  • [发明专利]非易失性闪存存储器及其擦除方法-CN202210019508.0有效
  • 沈安星;张有志;陈泽勇 - 广州粤芯半导体技术有限公司
  • 2022-01-10 - 2022-03-29 - H01L27/11526
  • 本发明提供一种非易失性闪存存储器及其擦除方法,所述非易失性闪存存储器包括高压器件,所述高压器件包括形成于外围区的衬底中的第一掺杂区、被所述第一掺杂区包围的第一隔离结构、第二掺杂区和被所述第二掺杂区包围的第二隔离结构,所述第一掺杂区和所述第一隔离结构相结合,以及所述第二掺杂区与所述第二隔离结构相结合,均可起到阻挡电压的作用,由此可承受较高的电压,从而提高所述高压器件的击穿电压。由此在对非易失性闪存存储器进行擦除时,可提高施加在未被选择的扇区的字线结构上的电压,从而可降低施加在源线结构上的电压施加所述字线结构上的电压之间的压差,进而可避免未被选择的扇区出现被动擦除的问题。
  • 非易失性闪存存储器及其擦除方法
  • [发明专利]图像形成设备-CN200710169345.X有效
  • 高柳浩基 - 佳能株式会社
  • 2007-11-22 - 2008-06-11 - G03G15/16
  • 本发明涉及一种图像形成设备,其具有:中间转印部件,其被施加正极性的初次转印电压,并且调色剂图像被初次转印到其上,其中施加负极性的反向电压;初次转印装置,通过施加初次转印电压,初次转印调色剂图像;二次转印装置,通过施加二次转印电压来二次转印调色剂图像;以及电阻调节装置,以如下方式控制初次转印装置或二次转印装置中的至少之一:在中间转印部件旋转一次时,第一校正电压施加到已被施加了初次转印电压的区域,并且,高于第一校正电压的第二校正电压施加到已施加了反向电压的区域
  • 图像形成设备
  • [发明专利]气体判断装置、气体判断方法和气体判断系统-CN202080061185.0在审
  • M·穆鲁加纳坦;G·阿邦拉霍;水田博;下舞贤一;服部将志;恩田阳介 - 太阳诱电株式会社
  • 2020-08-31 - 2022-04-08 - G01N27/00
  • 本发明的气体判断方法使用具有场效应晶体管结构的传感器,该场效应晶体管结构包括:栅极电极;形成于栅极电极上的绝缘膜;形成于上述绝缘膜上的源极电极和漏极电极;以及形成于上述绝缘膜上且连接在上述源极电极与上述漏极电极之间的石墨烯层,该气体判断方法中,对石墨烯层供给气体,对栅极电极施加规定时间的第一电压,测量对栅极电极施加电压在第一电压与不同于第一电压的第二电压的范围内变化的扫描电压时,在源极电极与漏极电极之间流动的第一电流的变化,对栅极电极施加规定时间的第二电压,测量对栅极电极施加电压在第一电压与第二电压的范围内变化的扫描电压时,在源极电极与漏极电极之间流动的第二电流的变化,基于第一电流相对于扫描电压的变化的测量结果和第二电流相对于扫描电压的变化的测量结果
  • 气体判断装置方法系统
  • [发明专利]等离子体显示设备及其驱动方法-CN200510138066.8无效
  • 金泰城;郑宇埈;金镇成 - 三星SDI株式会社
  • 2005-10-25 - 2006-07-12 - G09G3/28
  • 在等离子体显示设备的驱动方法中,在复位周期期间施加逐步上升的斜坡电压之后,将下降斜坡电压的终止电压设为所有放电单元的放电点火电压。将施加到寻址电极和扫描电极的电压差设为大于在寻址周期中导通的放电单元中的最大放电点火电压。增加在表示低灰度级的子场的上升复位周期、寻址周期和维持周期中施加的偏压电压,并在维持周期中用正电压为寻址电极加偏压。使用这种结构,由于寻址不受壁电荷的影响,所以解决了由于壁电荷的损失而导致余量变坏的问题,并提高了表示低灰度级的性能。
  • 等离子体显示设备及其驱动方法

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