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- [发明专利]一种铜电解液净化方法-CN201911244841.6在审
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陈波;邓文涛;付伟岸;高文娟
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中国瑞林工程技术股份有限公司
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2019-12-06
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2020-03-31
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C25C7/06
- 本发明公开了一种铜电解液净化方法，应用于处理铜电解液，包括以下步骤：(1)将所述铜电解液分为第一组分和第二组分，对所述第一组分执行脱铜电积处理，获得脱铜后液和标准铜；(2)对所述第二组分进行真空蒸发浓缩，得浓缩后液，将所述浓缩后液经水冷结晶、分离，得粗硫酸铜和结晶母液；(3)将所述结晶母液与预存的脱铜脱杂终液混合，执行脱铜脱杂处理，得脱铜脱杂后液和黑铜粉，所述黑铜粉经过滤除去；(4)将所述脱铜脱杂后液冷冻结晶，得粗硫酸镍和净化终液。将铜电解液分为两份，并分别进行脱铜电积和脱铜脱杂，提高了铜电解液内铜、砷、锑、铋、镍的脱除率。
- 一种电解液净化方法
- [发明专利]多晶硅环的化学机械抛光方法-CN202210515485.2在审
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吴彦飞;李玲玲;张晓明;丁亚国;马全森;顾燕滨
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宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
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2022-05-11
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2022-09-02
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B24B37/10
- 本发明涉及一种多晶硅环的化学机械抛光方法，依次包括将硅环和无纺布抛光垫安装在抛光机上、粗抛、精抛步骤；粗抛中的粗抛液的成分为氧化铝（0.23‑0.26μm）10%‑40%，金刚石（0.32‑0.34μm）0.2%‑5%，水60%‑90%；精抛中的精抛液成分为胶体SiO2（90‑120nm）0.8%‑1%，SiO2（40‑45nm）0.3%‑0.5%，哌嗪0.08%‑0.12%，氢氧化四甲基铵0.01%‑0.05%,纯水＞98%；在粗抛过程中将含有纳米金刚石的抛抛液分散在无纺布抛光垫上，粗抛液中氧化铝微粉能够降低硅环表面粗糙度，减小亚表面损伤层深度，提高抛光效率，在精抛过程中，精抛液能够实现化学作用与机械作用的良好匹配，保证抛光硅晶片高去除速率的同时，避免抛光雾等缺陷的形成，提高抛光后表面质量，抛光方法后硅环平面度＜20μm，破损层DOD=0um，经检测抛光合格。
- 多晶化学机械抛光方法
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