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- [实用新型]半导体结构-CN202020607721.X有效
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程凯
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苏州晶湛半导体有限公司
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2020-04-21
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2020-12-18
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H01L29/778
- 本实用新型提供了一种半导体结构，半导体结构中，异质结上依次形成有P型离子掺杂层与绝缘层，P型离子掺杂层包括激活区与非激活区，激活区位于栅极区域，激活区中的P型掺杂离子被激活，非激活区位于非栅极区域；绝缘层具有暴露激活区的开口；激活区上，和/或异质结的源极区域上，和/或异质结的漏极区域上具有N型离子重掺杂层。利用绝缘层作为激活P型掺杂离子时的掩膜层，使得P型离子掺杂层中，被绝缘层的开口暴露的区域形成激活区，覆盖绝缘层的区域形成非激活区，避免P型离子掺杂层的刻蚀，从而避免刻蚀损失。N型离子重掺杂层使得源极、漏极、栅极可直接形成欧姆接触层，避免高温退火。
- 半导体结构
- [发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202080097541.4在审
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程凯;朱丹丹
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苏州晶湛半导体有限公司
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2020-06-03
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2023-01-13
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H01L29/778
- 本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：自下而上分布的衬底、异质结、P型离子掺杂层以及栅极绝缘层，其中，异质结包括源极区域、漏极区域以及栅极区域，栅极区域上的P型离子掺杂层包括激活区与非激活区，激活区中的P型掺杂离子被激活，非激活区中的P型掺杂离子被钝化，非激活区至少包括两个区域且在垂直于源极区域与漏极区域的连线方向上间隔分布；栅极绝缘层位于非激活区上，用于暴露激活区。利用栅极绝缘层作为激活P型掺杂离子时的掩膜层，避免对P型离子掺杂层进行刻蚀，从而避免刻蚀造成异质结的损失。此外，非激活区间隔分布可隔断激活区，增加耗尽区的宽度，能改变栅漏之间的电场分布，提高半导体结构的击穿电压。
- 半导体结构及其制作方法
- [实用新型]一种模拟凝血过程的教学模型-CN202020819290.3有效
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王志敏;盛常富;张燕辉;蒋芳丽;李芳
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曲靖医学高等专科学校
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2020-05-18
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2020-10-23
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G09B23/28
- 本实用新型公开了一种模拟凝血过程的教学模型，包括绝缘底板，绝缘底板上设置有电源，还设置有异物表面、Ⅻ因子、激活的Ⅻ因子、Ⅺ因子、激活的Ⅺ因子、Ⅸ因子、激活的Ⅸ因子一、Ⅶ因子、激活的Ⅶ因子一、Ⅷ因子、激活的Ⅷ因子、血小板膜磷脂一、激活的Ⅸ因子二、钙离子一、钙离子二、激活的Ⅶ因子二、Ⅲ因子、Ⅹ因子、激活的Ⅹ因子一、Ⅴ因子、激活的Ⅴ因子、激活的Ⅹ因子二、血小板膜磷脂二、钙离子三、Ⅱ因子、激活的Ⅱ因子一、ⅫI因子、钙离子四、激活的ⅫI因子、Ⅱ因子二、Ⅰ因子、纤维蛋白单体和多聚体共33盏灯。各灯通过开关和导线按要求与电源连接，教学时通过开关控制各灯的亮与灭来体现凝血因子的激活过程，加强学生理解和记忆。
- 一种模拟凝血过程教学模型
- [发明专利]间接上转换敏化方法-CN00105665.4无效
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陈晓波;李美仙;聂玉昕
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北京师范大学
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2000-04-14
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2004-01-21
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G01S3/16
- 一种间接上转换敏化的方法利用稀土离子材料作为共掺体系，如果激光波长与激活中心的某一强的吸收共振，则激活中心离子首先被激发至某一亚稳态|m＞能级，再通过激活中心离子的|m＞能级至敏化中心离子的某能级的能量传递使敏化中心离子的某能级上有一定布居，敏化中心Yb3+离子的某能级至激活中心离子的发光能级|L＞的能量发生传递，使亚稳态|m＞能级间接地激发到更高的发光能级|L＞，导致上转换发光。
- 间接转换方法
- [实用新型]负离子发射装置-CN201320747576.5有效
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王东
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王东
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2013-11-25
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2014-05-28
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H01T23/00
- 本实用新型公开了一种负离子发射装置，包括容器、负离子发射器、负离子激活器、高压绝缘导线以及负离子发射头，负离子发射器安装于容器内，负离子发射器的一端与电源线连接端相连，负离子发射器的另一端与负离子激活器连接，负离子激活器连接高压绝缘导线，高压绝缘导线与负离子发射头连接，所述负离子发射头为带有保护装置的负离子发射头。本实用新型不但负离子发射距离远，无臭氧，而且发射装置无静电。
- 负离子发射装置
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