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[发明专利]一种高性能大尺寸碳靶材的制备方法-CN202310118418.1在审
发明人：贾倩;何金江;张晓娜;李勇军;丁照崇;许兴;刘秀 -专利权人：有研亿金新材料有限公司;有研亿金新材料（山东）有限公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种高性能大尺寸碳靶材的制备方法，所述碳靶材以高纯甲烷气体为碳源气体，氮气和氢气为稀释气体和载气，采用化学气相沉积法进行制备；首先，使碳靶材在底部沿水平方向生长1‑5mm，然后，改变气体流型使碳靶材沿垂直方向生长5‑10mm，接着，再在顶部使碳靶材沿水平方向生长1‑5mm，获得两种生长方向的大尺寸碳靶坯，最后，使用机加工的方式将底部及顶部1‑5mm厚沿水平方向生长的碳去除，获得直径≥400mm，厚度5‑10mm，密度≥2.1g/cm3，纯度≥5N的高性能大尺寸碳靶材；该方法与现有技术相比，具有以下优点：(1)可获得大尺寸碳靶材；(2)工艺简单、提高生产效率：(3)靶材密度高
一种性能尺寸碳靶材制备方法

[发明专利]靶材中间料及其形成方法和实现该形成方法的装置-CN202010742327.1有效
发明人：韩刚;程兴德;韩启航 -专利权人：江苏集萃先进金属材料研究所有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种靶材中间料及其形成方法和实现该形成方法的装置，靶材中间料的形成方法包括：提供等离子体炬，所述等离子体炬内具有等离子体；向所述等离子体炬内通入含碳气体及靶材原料，所述含碳气体裂解形成碳颗粒，所述碳颗粒在所述靶材原料表面形成还原层，所述还原层及所述靶材原料形成靶材中间料。本发明实施例有助于在靶材原料形成还原层，而且还原层具有高化学活性，便于后续对所述靶材原料进行脱氧处理。
中间料及形成方法实现装置

[发明专利]一种碳化硅碳靶材组件焊接结合率的检测方法-CN202110919441.1在审
发明人：姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;杨慧珍 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： B23K31/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅碳靶材组件焊接结合率的检测方法，所述检测方法包括：将碳化硅碳靶材组件置于液槽中，之后采用超声探头向所述碳化硅碳靶材组件的背板表面发射超声波并接收回波的强度，将所得回波的强度图转化为黑白色度图，计算所述黑白色度图中对应低强度的颜色的面积占比，得到所述碳化硅碳靶材组件的焊接结合率；所述低强度为所述回波的波高TH≤60。通过将碳化硅碳靶材组件置于特定的环境下并结合特定的回波强度来检测靶材组件的结合率，能够为碳化硅碳靶材组件的生产提供科学管控的依据。
一种碳化硅碳靶材组件焊接结合检测方法

[发明专利]一种高织构热解碳薄膜的快速制备方法-CN201410800367.1有效
发明人：张福勤;夏莉红;郑吉祥;黎炳前 -专利权人：中南大学
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种高织构热解碳薄膜快速制备的方法，包括下述步骤：(1)将密度为1.85～1.90g/cm3的碳/碳复合材料靶材表面加工平整，清洗表面油渍备用；(2)将碳/碳复合材料靶材置平整的石墨板上，使激光束聚焦于碳/碳复合材料靶材表面，激光束与碳/碳复合材料靶材表面保持垂直；(3)采用大功率激光，快速加热、气化碳/碳复合材料靶材中的碳元素，形成气态碳原子，并在温度≥2000℃热壁上着床、生长,制备出高织构热解碳薄膜本发明通过采用大功率激光促进高织构热解碳薄膜的生长，使热解碳薄膜的生长速率达到25～30μm/s，比流态化床工艺的2×10-2μm/s提高3个数量级。
一种高织构热解碳薄膜快速制备方法

[发明专利]一种碳碳化硅靶材及其制备方法和用途-CN202110199569.5有效
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;杨慧珍 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C04B35/52 文献下载
摘要：本发明提供一种碳碳化硅靶材及其制备方法和用途，所述碳碳化硅靶材的制备方法通过将碳粉和碳化硅粉混合后经两次球磨，并在二次球磨之间进行干燥处理，后续再经装模、烧结和冷却，得到所述碳碳化硅靶材。所述制备方法的制备工艺简单，且二次球磨结合烧结工艺能够制得致密度≥99.0％的碳碳化硅靶材。所得碳碳化硅靶材的微观组织均匀致密且靶材溅射性能优良，应用在3D打印或热敏打印等领域可有效提高打印设备工作效率及使用寿命，应用前景广阔。
一种碳化硅及其制备方法用途

[发明专利]一种激光冲击强化改善碳氮共渗层性能的工艺-CN202011039941.8在审
发明人：任云鹏;万瀚宇;陆恒;辛志铎;李致宇 -专利权人：江苏大学
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C23C8/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光冲击强化改善碳氮共渗层性能的工艺，包括如下步骤：将退火态的靶材表面预处理；将表面处理后的靶材放入真空炉内进行碳氮共渗，将碳氮共渗后的靶材进行低温回火；在靶材表面上设置约束层，通过激光对靶材表面进行小能量高重频的激光冲击本发明可以用于细化表层晶粒，再次提高靶材的表面硬度，并在较大的深度上产生较大的残余压应力，有利于抑制表面疲劳裂纹的产生。
一种激光冲击强化改善碳氮共渗层性能工艺

[发明专利]一种碳铜复合靶材的制备方法-CN201610656529.8在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州思创源博电子科技有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳铜复合靶材的制备方法，得到碳‑铜复合靶材具有良好的耐弯折性能，其在重复弯折多次的情况下，不会出现断裂的问题，以较好的对靶材的部分表面进行喷砂处理，同时不影响到靶材的其他不需要喷砂的部分
一种复合制备方法

[发明专利]一种石墨烯靶材的制备及其在磁控溅射沉积低摩擦碳薄膜中的应用-CN202110844040.4有效
发明人：张斌;贾倩;张俊彦 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯靶材的制备方法，是将石墨烯和乙二醇搅拌混合均匀，干燥至手捏可以成型的至半干状态，然后置于铣好的铜制靶座模具中，加载压力100~110 MPa，保压1~1.5小时，然后在真空中环境中干燥，即得石墨烯靶材。本发明以石墨烯靶材作为溅射碳靶，采用中频磁控溅射技术在基底上溅射沉积碳薄膜，碳薄膜具有良好的结合力，且在较宽的载荷范围内都具有稳定的摩擦学性能：在3‑11N的范围内摩擦系数稳定在0.068~0.072范围，远低于传统磁控溅射沉积的纯碳薄膜。本发明将石墨烯靶材用于溅射沉积碳薄膜，可以直接将石墨烯复合到不含氢碳薄膜中，获得优异摩擦学性能的纯碳薄膜。
一种石墨烯靶材制备及其磁控溅射沉积摩擦薄膜中的应用

[发明专利]靶材坯料及其制作方法-CN202010742998.8有效
发明人：韩刚;程兴德;韩启航 -专利权人：江苏集萃先进金属材料研究所有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种靶材坯料及其制作方法，靶材坯料制作方法包括：提供靶材原料，所述靶材原料为颗粒状；在所述靶材原料表面形成还原层，所述还原层含碳；对所述靶材原料进行脱氧处理，以便通过所述还原层去除所述靶材原料中的氧；对经脱氧处理后的靶材原料进行烧结处理，形成靶材坯料。所述靶材坯料制作方法能够形成低氧含量的靶材坯料。
坯料及其制作方法

[发明专利]一种碳碳化硅方形靶材组件的热校正方法-CN202210928804.2在审
发明人：姚力军;潘杰;俞冬波;王学泽 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B21D3/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳碳化硅方形靶材组件的热校正方法，将温度为110‑130℃的碳碳化硅方形靶材组件放在校正平台上，使中心凸起部分向上，利用C型夹夹住所述中心凸起部分与所述校正平台，加压至凹陷1.3‑1.7mm本发明所述热校正方法针对碳碳化硅方形靶材组件的力学性能特点，依靠特定温度和凹陷程度之间的协同作用，并且区别于油压机等操作，利用C型夹进行加压，不仅可以避免碳碳化硅方形靶材组件的开裂问题，还可以达到整形目的，控制碳碳化硅方形靶材组件的平面度≤0.3mm。
一种碳化硅方形组件校正方法

[发明专利]靶材、靶材制作方法及显示面板-CN202210445426.2在审
发明人：宋智辉;王辉;廖辉华;姜庆;陈阳;杨文萍;李荣荣 -专利权人：长沙惠科光电有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供了一种靶材、靶材制作方法及显示面板。其中，靶材包括固溶体和强化相，所固溶体包括钼元素，钼元素的原子个数比大于或等于50％；所述强化相包括强化金属和碳元素，强化金属包括钛元素和锆元素，钛元素和碳元素形成钛碳强化相，锆元素和碳元素形成锆碳强化相
靶材制作方法显示面板

[发明专利]一种碳硅靶材及其制备方法与应用-CN202310184895.8在审
发明人：姚力军;潘杰;周友平;杨慧珍;廖培君 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C04B35/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳硅靶材及其制备方法与应用，上述制备方法通过湿法球磨和干法球磨得到粒度均匀的第二球磨料，再结合多段真空热压烧结，并控制真空热压烧结过程的压力，从而提高了碳硅靶材的均匀性和致密性；所得碳硅靶材的致密度
一种碳硅靶材及其制备方法应用

[发明专利]一种碳硅陶瓷靶材的制备方法-CN202010234099.7有效
发明人：白雪;刘宇阳;王星奇;杨磊;桂涛;王星明;储茂友;韩沧 -专利权人：有研资源环境技术研究院（北京）有限公司;有研科技集团有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C04B35/575 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳硅陶瓷靶材的制备方法。该制备方法包括以下步骤：(1)根据要制备的靶材的碳硅比，称量石墨粉体、单质硅粉体、SiC粉体，其中单质硅粉体占三者总量的5at％‑15at％；(2)将石墨粉体与单质硅粉体采用卧轴球磨法破碎和混合，得到碳硅预球磨粉体；(3)在碳硅预球磨粉体中添加已称量好的SiC粉体，并置于卧轴球磨罐内球磨混合2小时，得到复合原料粉体；(4)将复合原料粉体筛分后，装入石墨模具中，将模具放在热压炉中，抽真空＜500pa时充入氩气，采用前段快速升温、中段液相烧结和高温氩气保护烧结；(5)冷却得到碳硅陶瓷靶材坯料，经加工、清洗、烘干得到碳硅陶瓷靶材。本发明制备的碳硅陶瓷靶材的相对密度大于90％，硅掺杂含量误差+/‑1at％，电阻率低于0.05Ω·cm，适用于溅射制备DLC薄膜。
一种陶瓷制备方法

[实用新型]一种卷绕式真空镀膜机靶材靶芯的改进结构-CN201820347815.0有效
发明人：徐祖元 -专利权人：广东汉能薄膜太阳能有限公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种卷绕式真空镀膜机靶材靶芯的改进结构，所述靶芯包括靶头，所述靶头上依次套设有轴套、石墨碳环、弹簧和锁紧螺母，所述轴套与石墨碳环之间设有密封圈，所述锁紧螺母与弹簧之间设有垫环，所述靶头的外侧面上设有定位槽，所述定位槽位于垫环和石墨碳环的安装位上，并与靶头的轴线平行设置，所述垫环的内侧壁上设有与定位槽相适配的垫环定位销。本实用新型目的在于提供一种卷绕式真空镀膜机靶材靶芯的改进结构，这种改动结构简单，而且可以有效的防止靶材靶芯漏水现象的发生。
靶芯靶材垫环卷绕式真空镀膜机改进结构石墨碳环定位槽靶头本实用新型锁紧螺母弹簧轴套密封圈漏水现象轴线平行安装位定位销内侧壁适配

[发明专利]一种合金钢表面复合强化工艺-CN202011331807.5在审
发明人：任云鹏;万瀚宇;陆恒;辛志铎;李致宇 -专利权人：江苏大学
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： C23F17/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种合金钢表面复合强化工艺，包括如下步骤：将靶材表面预处理；将表面处理后的靶材敷设吸收层和约束层，通过激光对靶材表面进行高能量短脉冲的激光冲击；将激光冲击后的靶材进行除污处理，将处理后的靶材装入热处理炉内进行碳氮共渗和低温回火处理本发明是激光冲击与碳氮共渗复合处理的工艺，其中激光冲击可以产生高密度位错、晶粒细化、晶界增多等缺陷，可以提高碳、氮原子的渗入浓度与深度，降低热处理工艺的保温温度，进而改善因温度过高而造成的变形和氧化现象
一种合金钢表面复合强化工艺

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