专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]酸锶-酸镁陶瓷的制备方法-CN201010122374.2无效
  • 樊慧庆;柯善明 - 西北工业大学
  • 2010-03-11 - 2010-08-25 - C04B35/468
  • 本发明公开了一种酸锶-酸镁陶瓷的制备方法,用于解决现有技术制备方法制备的酸锶-酸镁陶瓷材料湿敏响应滞后、高湿环境中易潮解的技术问题,其技术方案是将碳酸,碳酸锶和二氧化粉体混合后,在丙酮中球磨,然后煅烧制备酸锶粉体;酸锶粉体与六水和氯化镁在玛瑙研钵中研磨混合制备酸锶-酸镁粉体;然后烧结得到酸锶-酸镁陶瓷。由于利用钙矿相的A位原子对湿度的敏感性,通过其他元素取代A位原子,提升了其对湿度的敏感性。
  • 钛酸锶钡钛酸镁陶瓷制备方法
  • [发明专利]一种低损耗的外延酸锶薄膜材料及其制备方法-CN202310690364.6在审
  • 蒋书文;叶东瑾;聂鹏昊;张万里 - 电子科技大学
  • 2023-06-12 - 2023-08-22 - H10N97/00
  • 本发明属于功能材料技术领域,提供一种低损耗的外延酸锶薄膜材料及其制备方法,用以作为介质薄膜变容器的介质层材料。本发明基于磁控溅射方法在低失配衬底上以较高的衬底温度、较低生长速率制备得到酸锶薄膜,实现薄膜与衬底之间的外延生长关系,得到外延酸锶薄膜材料;所述外延酸锶薄膜材料具有(001)外延结构,比多晶结构的酸锶薄膜具有更大的介电常数;并且,外延酸锶薄膜材料具有缺陷少、外延质量高的优点;同时,外延酸锶薄膜材料在高频下具有低损耗特性;另外,本发明中外延酸锶薄膜材料的外延制备工艺采用射频磁控溅射工艺,能够实现酸锶薄膜的大面积和大批量制备
  • 一种损耗外延钛酸锶钡薄膜材料及其制备方法

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