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[发明专利]一种碳包银纳米线-CN202111459460.7有效
发明人：曾西平;叶晃青;李艳玲;林仪珊 -专利权人：深圳市华科创智技术有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B22F1/054 文献下载
摘要：本发明属于银纳米线制备技术领域，具体涉及一种碳包银纳米线。所述碳包银纳米线包括位于芯层的银纳米线和包覆在所述芯层表面的纳米碳层；所述银纳米线的直径为10‑2000nm，长度为1‑100μm；所述纳米碳层的厚度为1‑10nm。本发明的碳包银纳米线，通过在银纳米线表面包覆纳米碳层，能够很好地防止纳米银的氧化和银迁移效应的发生，提高了银纳米线的稳定性，保证了相关银纳米线器件的可靠性；并且，本发明的碳包银纳米线形状均匀，包覆稳定，
一种包银纳米

[发明专利]一种碳泡沫/碳纳米线/碳化硅纳米线树脂复合材料基板及其制备方法-CN201811357926.0在审
发明人：廖家豪;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：苏州宏久航空防热材料科技有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C08L61/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳泡沫/碳纳米线/碳化硅纳米线树脂复合材料基板及其制备方法；所述复合材料基板由碳泡沫、碳纳米线、碳化硅纳米线和石墨烯酚醛树脂复合而成。该复合材料基板制备方法包括：（1）三聚氰胺泡沫热解得到碳泡沫基板预制体；（2）采用化学气相渗透法在碳泡沫基板预制体中制备碳纳米线和碳化硅纳米线；（3）将制备好纳米线的基板预制体放入模具中浸渗石墨烯酚醛树脂本发明制备的碳泡沫/碳纳米线/碳化硅纳米线树脂复合材料基板介电常数高，介电损耗小，介电性能和机械性能优异。
碳泡沫碳化硅纳米线基板制备碳纳米线复合材料基板树脂复合材料预制体酚醛树脂石墨烯机械性能化学气相渗透法基板介电常数三聚氰胺泡沫制备碳纳米介电损耗介电性能纳米线放入浸渗热解脱模固化模具复合

[发明专利]一种氧化硅/碳复合纳米线负极材料、制备方法及锂离子电池-CN201610711038.9有效
发明人：庞春雷;石晓太;任建国;岳敏 -专利权人：深圳市贝特瑞新能源材料股份有限公司
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化硅/碳复合纳米线负极材料，包括：SiOx纳米线材料以及包覆在所述SiOx纳米线材料上的包覆剂碳。本发明还提供一种应用该氧化硅/碳复合纳米线负极材料的锂离子电池以及该氧化硅/碳复合纳米线负极材料的制备方法。本发明提供的氧化硅/碳复合纳米线负极材料有利于缓冲氧化硅/碳复合纳米线负极材料在充放电过程中的体积变化，有效延缓粉化，有助于电池中电解液的扩散及氧化硅/碳复合纳米线负极材料与活性材料的接触。
一种氧化复合纳米负极材料制备方法锂离子电池

[发明专利]一种空腔结构化硅-碳核壳纳米线阵列、制备方法及其用途-CN201410437764.7有效
发明人：李祥龙;王斌;智林杰 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种空腔结构化硅‑碳核壳纳米线阵列、制备方法及其用途。该硅‑碳核壳纳米线阵列包括自支撑结构和组成该结构的有序排列的硅‑碳核壳纳米线，其中，核壳纳米线的核壳之间具有内部空腔。该纳米线阵列的制备方法包括：对硅晶片进行化学刻蚀，在硅晶片表面上形成硅纳米线阵列；在空气中加热处理，使硅纳米线表面形成氧化硅层；通过化学气相沉积法在氧化硅包覆的硅纳米线上沉积碳包覆层，去除氧化硅层后制备核壳之间具有空腔的硅‑碳核壳纳米线阵列；利用碱性溶液将空腔结构化硅‑碳核壳纳米线阵列从硅晶片上剥离。本发明所得自支撑硅‑碳核壳纳米线阵列可直接用作活性负极，其具有容量大、循环稳定和循环寿命长的特点，有实际应用价值。
一种空腔结构碳核壳纳米阵列制备方法及其用途

[发明专利]一种掺银纳米线的纳米碳球电极材料的制备方法-CN202010654723.9在审
发明人：朱冬祥 -专利权人：浙江奚态生物科技有限公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：一种掺银纳米线的纳米碳球电极材料的制备方法，包括以下步骤：步骤一：制备得到纳米高分子球；步骤二：制备得到掺银纳米线的纳米高分子球；步骤三：将掺银纳米线的纳米高分子球置于管式炉中，在氮气氛围中按升温速率1℃/min升至300℃后按15℃/min升至600℃，并在600℃下保温2h，待冷却至室温后即得到掺银纳米线的纳米碳球电极材料。本发明公开的一种掺银纳米线的纳米碳球电极材料，克服传统电极材料电阻大的缺陷，将银纳米线包裹到纳米碳球中，使得银纳米线与负载到纳米碳球上的银离子互相作用，可以使得掺银纳米线的纳米碳球电极材料的电容增大。
一种纳米电极材料制备方法

[发明专利]一种硅纳米线/硅碳基体复合材料及其制备方法、应用-CN201710634111.1在审
发明人：朱丽丽;樊少娟 -专利权人：合肥国轩高科动力能源有限公司
申请日： 2017-07-29 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅纳米线/硅碳基体复合材料，包括硅碳基体，和沉积在硅碳基体表面的硅纳米线。本发明还公开了上述硅纳米线/硅碳基体复合材料的制备方法，包括如下步骤以沥青为前驱体对硅材料进行裂解碳包覆，再与碳材料进行复合得到硅碳基体；将硅纳米线沉积到硅碳基体表面得到硅纳米线/硅碳基体复合材料。本发明还公开了上述硅纳米线/硅碳基体复合材料在锂离子电池负极材料、燃料电池催化剂材料或超级电容器的电极材料的应用。本发明在保留硅纳米线较大比表面积和较大空隙率的优点同时，又充分发挥硅和碳的功能。
一种纳米基体复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种锂硫电池正极复合材料及其制备方法-CN201910627009.8有效
发明人：闫霄;贾宏鹏;李彦娟;刘立淮;王敏;张玉;顾鸿飞 -专利权人：江苏师范大学
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂硫电池正极复合材料，该正极复合材料包含单质硫和碳包覆氮化铌纳米线，其中碳包覆氮化铌纳米线为载体材料，单质硫含量为65％～75％。本发明还公开了该正极复合材料的制备方法，包括以下步骤：(1)利用铌粉制备铌酸钠纳米线；(2)将铌酸钠纳米线质子化，得到铌酸纳米线；(3)将铌酸纳米线和碳材料混合，制备碳包覆铌酸纳米线；(4)在氨气下将碳包覆铌酸纳米线进行热处理，得到碳包覆氮化铌纳米线；(5)利用高温固态熔融法制得以碳包覆氮化铌纳米线为载体材料的锂硫电池正极复合材料。
一种电池正极复合材料及其制备方法

[发明专利]硅纳米线器件的制作方法-CN201110328162.4有效
发明人：景旭斌;杨斌;郭明升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅纳米线器件的制作方法，包括以下步骤：在衬底上形成硅纳米线；依次沉积无定形碳层和绝缘抗反射涂层；干法刻蚀去除部分硅纳米线上方的绝缘抗反射涂层和无定形碳层暴露硅纳米线器件区；在上述结构表面沉积氧化膜；在硅纳米线器件区内形成连通至硅纳米线的金属焊垫；在上述结构表面沉积钝化层；采用光刻刻蚀工艺，在金属焊垫上形成接触孔，去除硅纳米线器件区外的硅纳米线上方的钝化层、氧化膜和绝缘抗反射涂层，停留在无定形碳层上；采用灰化工艺，去除硅纳米线器件区外的硅纳米线上方的无定形碳层，暴露出硅纳米线。本发明利用无定形碳层的各向同性刻蚀和各向异性刻蚀的特性，消除了硅纳米线器件中器件区以外的硅纳米线的侧墙。
纳米器件制作方法

[发明专利]一种导电纱线及其制备方法-CN201410053948.3无效
发明人：马延文;张自强;冯晓苗;周伟欣;陈剑宇;朱国银;濮丹凤;李雪;黄维 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2014-02-18 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： D02G3/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种在纱线上包裹金属纳米线和碳纳米材料的导电纱线及其制备方法，该方法是把纱线浸渍到金属纳米线溶液中，再通过蒸发干燥，并可重复这一操作，得到金属纳米线包裹的导电纱线。或把金属纳米线包裹的纱线浸渍到碳纳米材料溶液中，再通过蒸发干燥，并可重复多次，得到金属纳米线和碳纳米材料依次包裹的导电纱线。或把纱线浸渍到金属纳米线和碳纳米材料混合溶液中，再通过蒸发干燥，并可重复多次，得到碳纳米材料和金属纳米线复合包裹的导电纱线。
一种导电纱线及其制备方法

[发明专利]一种中空碳纳米线接枝聚苯胺的制备方法-CN202110608367.1有效
发明人：刘瑞来;林渊智;胡家朋;赵瑨云;张玉斌;林志毅;穆寄林;付兴平 -专利权人：晋江瑞碧科技有限公司;武夷学院
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：一种中空碳纳米线接枝聚苯胺的制备方法。本发明通过溶胶‑凝胶法和热致相分离法相结合制备SiO2纳米线。以SiO2纳米线为模板，糠醇为碳源，得到中空碳纳米线(HCNF)。以中空碳纳米线为骨架，采用乳液聚合方法得到中空碳纳米线接枝聚苯胺。
一种中空纳米接枝苯胺制备方法

[发明专利]一种纳米碳片‑硅纳米线复合结构场发射阴极的制备方法-CN201510152591.9有效
发明人：邓建华;程国安;汪凡洁 -专利权人：天津师范大学
申请日： 2015-04-02 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米碳片‑硅纳米线复合结构场发射阴极的制备方法，属于纳米材料的制备和应用领域。其主要包括以下制备工艺以用金属催化腐蚀法在洁净硅单晶片上制备的硅纳米线阵列为基底；在基底上利用微波等离子体增强化学气相沉积法生长纳米尺度的碳片；最后以所获得的纳米碳片‑硅纳米线复合结构为阴极组装场电子发射器本方法所制备的纳米碳片‑硅纳米线复合结构，碳片直径大多为60‑100纳米，边缘层数一般为2‑5层，在硅纳米线表面密集分布。纳米碳片‑硅纳米线复合结构作为场发射阴极材料时具有比单纯硅纳米线阵列更低的开启场和更大的场发射电流密度，有很高的应用价值。
一种纳米复合结构发射阴极制备方法

[发明专利]一种功能性碳纳米线超滤膜及其制备方法-CN202011458195.6有效
发明人：沈娟;赵宇辰;王薇 -专利权人：江苏泷膜环境科技有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： B01D61/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种功能性碳纳米线超滤膜的制备方法，本发明申请制备功能性碳纳米线，并将功能性碳纳米线作为添加剂加入到铸膜液中，通过非溶剂致相分离法（NIPS）制备超滤膜，目的是为了解决目前传统碳纳米材料亲水性差，但亲水改性后强度变差，且功能性基团较少的问题，碳纳米线作为一种在碳纳米管内层包裹线性碳链的新型一维杂化碳纳米材料，在功能化改性后，仍然能够保持高强度和高亲水性，功能性碳纳米线不但具备碳纳米管的各项性能，且自身在管内形成线型碳链和更多功能化学键。通过功能性碳纳米线制备的超滤膜具有良好的BSA截留率、通量和机械强度。
一种功能纳米超滤膜及其制备方法

[发明专利]一种制备高取向性石墨烯纳米结构的方法-CN201610198221.3有效
发明人：万能 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明公开了一种高取向性石墨烯纳米结构的制备方法，该方法包括以下步骤步骤10）在衬底表面制备非晶碳纳米线，所述的非晶碳纳米线为含碳的有机物材料制成；步骤20）对非晶碳纳米线施加拉伸应力，并且进行电子束辐照，辐照能量小于非晶碳纳米线材料的表面溅射能量阈值，且小于非晶碳纳米线材料的体刻蚀阈值，辐照时间为5‑200分钟，从而制得高取向性石墨烯纳米结构。该方法可以获得高取向性的石墨烯纳米结构。
一种制备向性石墨纳米结构方法

[发明专利]泡沫镍上生长碳包覆氧化钴纳米线阵列及其制备方法-CN201710250424.7在审
发明人：郑鹏;曹金花;郭守武;刘毅;张利锋;原晓艳;王晓飞;霍京浩 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：泡沫镍上生长碳包覆氧化钴纳米线阵列的制备方法，首先，将硝酸钴、氨水、尿素、水及泡沫镍在水热条件下混合反应，制备生长在泡沫镍上的氢氧化钴纳米线，其次，将泡沫镍上的氢氧化钴纳米线与葡萄糖混合进行水热反应，得到包覆碳层的纳米线，最后，将包覆碳层的纳米线在惰性气氛下煅烧，得到泡沫镍上生长的碳包覆氧化钴纳米线，所制备的一维碳包覆氧化钴纳米线具有良好的结构稳定性和循环稳定性，具有操作简单、成本低廉、环保无污染的特点。
泡沫生长碳包覆氧化钴纳米阵列及其制备方法

[发明专利]介孔碳纳米线及其制备和应用-CN201910703050.9有效
发明人：李琪;郭瑞婷;麦立强;刘熊;王选朋 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C01B32/15 文献下载
摘要：本发明涉及基于自刻蚀法合成介孔碳纳米线及其应用，所制备的介孔碳纳米线可以作为钾离子电池负极并应用于电化学能源转化,介孔碳纳米线，其直径为200‑300nm，其内部有分布均匀的介孔并互相连通，介孔孔径～8nm，介孔碳纳米线为无定形态并呈现硬碳的结构。本发明的有益效果是：本发明通过构筑介孔碳纳米线，有效改善了热解碳的微结构，提高了钾存储容量和库伦效率。将介孔纳米线作为钾离子电池负极时，测试结果表明，介孔碳纳米线在钾离子存储中表现出快速的电子传输和高能量存储，是一种潜在的高效钾离子电池负极材料。
介孔碳纳米及其制备应用

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