专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]含量硬掩模材料-CN202080090639.7在审
  • 戚波;Z·沈;A·玛里克 - 应用材料公司
  • 2020-12-01 - 2022-08-02 - H01L21/033
  • 含硼材料可包括大于50%的。在一些实施例中,含硼材料可基本上全部由组成。在一些实施例中,方法可进一步包括:将含锗前驱物、含氧前驱物、含硅前驱物、含磷前驱物、含前驱物和/或含前驱物中的至少一者输送到半导体处理腔室的处理区域。含硼材料可进一步包括锗、氧、硅、磷、和/或中的至少一者。
  • 含量硬掩模材料
  • [发明专利]高纯度材料和被覆有陶瓷膜的高纯度材料-CN200910163506.3有效
  • 藤田一郎;野上晓 - 东洋炭素株式会社
  • 2004-10-09 - 2010-03-03 - C01B31/00
  • 本发明提供用于制造半导体等单晶的高纯度材料、用作陶瓷膜被覆用基底材料的高纯度材料和陶瓷膜覆盖的高纯度材料,该材料减少了容易与碳原子结合的氧气、氮气、氯气等气体和磷、硫、这样通过热容易与碳原子结合的元素本发明的高纯度材料通过SIMS分析法所测定的氧的含量为1×1018原子/cm3或以下。并且,优选通过SIMS分析法所测定的含量为5×1018原子/cm3或以下。优选磷、硫、的含量也在规定值以下。将这样的高纯度材料用陶瓷膜被覆。
  • 纯度材料被覆陶瓷膜
  • [发明专利]高纯度材料和被覆有陶瓷膜的高纯度材料-CN200410092101.2有效
  • 藤田一郎;野上晓 - 东洋炭素株式会社
  • 2004-10-09 - 2005-06-08 - C01B31/02
  • 本发明提供用于制造半导体等单晶的高纯度材料、用作陶瓷膜被覆用基底材料的高纯度材料和陶瓷膜覆盖的高纯度材料,该材料减少了容易与碳原子结合的氧气、氮气、氯气等气体和磷、硫、这样通过热容易与碳原子结合的元素本发明的高纯度材料通过SIMS分析法所测定的氧的含量为1×1018原子/cm3或以下。并且,优选通过SIMS分析法所测定的含量为5×1018原子/cm3或以下。优选磷、硫、的含量也在规定值以下。将这样的高纯度材料用陶瓷膜被覆。
  • 纯度材料被覆陶瓷膜

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