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- [发明专利]高耐火低热传导复合材料-CN202210194091.1在审
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王家义;刘岩
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江苏佳核新能源科技有限公司
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2022-03-01
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2022-05-17
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C04B28/20
- 本发明公开了高耐火低热传导复合材料，包括中空硅铝发泡耐火粒料、胶结料和硅纤维，中空硅铝发泡耐火粒料的绝对体积比为40～72％，胶结料的绝对体积比为25～40％，硅纤维的绝对体积比3～6％，中空硅铝发泡耐火粒料、胶结料和硅纤维利用湿式拌合或者干式挤压成型，中空硅铝发泡耐火粒料、胶结料硅纤维组成耐火构件。本发明通过由中空硅铝发泡耐火粒料、胶结料和硅纤维按绝对体积比所组成，利用湿式拌合或者干式挤压成型后，该胶结料将中空硅铝发泡粒料及硅纤维胶结住，会形成不连续多孔性质，阻绝热传导路径，因而具有耐高温及背温低的特性
- 耐火低热传导复合材料
- [发明专利]一种多晶硅薄膜表面处理方法-CN201910562548.8在审
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叶昱均
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陕西坤同半导体科技有限公司
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2019-06-26
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2020-12-29
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H01L21/02
- 一种多晶硅薄膜表面处理方法，其步骤包括有:提供基板，基板由下而上依序包括玻璃、氮化硅层、氧化硅层及非晶硅层，其中在非晶硅层上具有原生氧化层；对基板执行第一清洗步骤，以去除在基板的表面上的杂质；对已去除杂质的基板执行第一湿式蚀刻步骤，以移除在非晶硅层上的原生氧化层；对已移除在非晶硅层上的原生氧化层的基板执行第二清洗步骤，使得在非晶硅层上形成一层氧化层；对于具有氧化层的非晶硅层执行第二湿式蚀刻步骤，以移除在非晶硅层上的部份氧化层；对基板进行水洗及干燥；以及对非晶硅层执行激光照射步骤，使得非晶硅层形成具有粗糙度表面的多晶硅层。
- 一种多晶薄膜表面处理方法
- [发明专利]一种晶圆背面减薄方法-CN201310012316.8有效
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李平
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陆伟
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2013-01-14
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2013-05-01
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H01L21/306
- 本发明涉及一种晶圆背面减薄方法，特别涉及一种两步式湿蚀刻的晶圆背面减薄方法，具体包括步骤一：使用强酸对晶圆背面的硅衬底进行湿蚀刻，一旦外延层露出，则停止蚀刻，强酸采用氢氟酸、硝酸、磷酸和硫酸的混合物，其对硅衬底进行湿蚀刻的速率为8-12微米/分钟；步骤二：使用选择性酸对晶圆背面的硅衬底和露出的外延层继续湿蚀刻至外延层完全露出，选择性酸采用氢氟酸、硝酸和醋酸的混合物，其对硅衬底进行湿蚀刻的速率为8-12微米/分钟，而对露出的外延层湿蚀刻速率为本发明通过两步湿蚀刻方法完成厚度约为2um、且厚度差异小于0.1微米的超薄且均匀晶圆的制备，成本较低，有较好的经济效益和性能，且不需要氧化层，速度更快，微粒较少。
- 一种背面方法
- [发明专利]一种单晶硅生产废气处理系统-CN202310964186.1在审
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李锋;于萍萍;丁剑峰;冯成义
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深圳市睿维盛环保科技有限公司
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2023-08-01
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2023-10-13
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B01D50/60
- 本发明提供的一种单晶硅生产废气处理系统，属于废气处理技术领域，包括干式除尘器和湿式除尘器，干式除尘器开设有出气腔和进气腔，进气腔开设有多个与出气腔相连通的进气口，出气腔开设有出气口，干式除尘器还设有多个除尘机构，除尘机构上设有过滤袋，湿式除尘器设于干式除尘器一侧，湿式除尘器开设有上下依次设置的除尘腔和排水腔，除尘腔开设有第一排气口，湿式除尘器还包括进气管、多个除尘管、储水箱及多个搅拌组件。本发明提供的单晶硅生产废气处理系统，借助干式除尘器对废气进行一次除尘，之后利用湿式除尘器对废气进行二次除尘，并利用搅拌组件对被气泡包裹的废气进行搅拌，不断地打碎气泡，使废气中的灰尘溶于水中，提高除尘效果
- 一种单晶硅生产废气处理系统
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