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[发明专利]一种新型无腔室的石墨烯高温压力传感器-CN201610557637.X有效
发明人：李孟委;吴承根 -专利权人：中北大学
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明涉及高温压力测试技术领域，具体涉及一种新型无腔室的石墨烯耐高温压力传感器，所述传感器采用无腔室基底结构用于减少噪声压力信号；并所述传感器利用氮化硼/石墨烯/氮化硼异质结作为敏感元件感受外部压力；所述氮化硼/石墨烯/氮化硼异质结外部无腔室结构，直接暴露于被测空间；所述氮化硼/石墨烯/氮化硼异质结为三层结构，从上到下依次包括顶层氮化硼、石墨烯层和底层氮化硼，所述氮化硼/石墨烯/氮化硼异质结采用石墨烯和氮化硼两种耐高温材料制备
一种新型无腔室石墨高温压力传感器

[发明专利]一种纳米-微米氮化硼/聚酰亚胺复合材料的制备方法-CN202111024606.5有效
发明人：周雨薇 -专利权人：大同共聚（西安）科技有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米‑微米氮化硼/聚酰亚胺复合材料的制备方法。该复合材料的制备方法为先将微米氮化硼通过水热反应制备成纳米氮化硼，然后先填充微米级氮化硼，在复合材料中形成大的导热网络，随后加入纳米级氮化硼，使其填充进微米级氮化硼的空隙，形成纳米‑微米氮化硼复合填料，再向体系中加入二元胺的四羧酸二酸酐单体，原位制备聚酰胺酸，最后将添加有纳米‑微米氮化硼的聚酰胺酸溶液烘干溶剂后高温脱水亚胺化得到纳米‑微米氮化硼/聚酰亚胺复合材料。通过同时调控微米氮化硼与纳米氮化硼的比例调控填料的微观结构，从而调控复合材料的导热性能，本发明所制备得到的复合材料热导率大于1W/mK，电阻率大于1×1012Ωm
一种纳米微米氮化聚酰亚胺复合材料制备方法

[发明专利]一种高导热六方氮化硼/立方氮化硼复合烧结体及其制备方法-CN202211047629.2有效
发明人：张相法;王永凯;位星;王大鹏;薛磊;刘红伟;贾帅中 -专利权人：郑州中南杰特超硬材料有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C04B35/583 文献下载
摘要：本发明属于氮化硼复合材料制备技术领域，具体涉及一种高导热六方氮化硼/立方氮化硼复合烧结体及其制备方法。本发明通过将特定配比的六方氮化硼粉体和立方氮化硼粉体混合，并对烧结工艺方法进行改进，从而解决现有技术中常见的复合绝缘材料导热性能和耐热性不高的问题。本发明的制备方法包括前驱体粉体的制备和高导热六方氮化硼/立方氮化硼复合烧结体的制备两个步骤。本发明的制备方法制备得到的高导热六方氮化硼/立方氮化硼复合烧结体结构致密且无需引入任何添加剂，且经烧结后的致密的六方氮化硼/立方氮化硼复合烧结体热导率高、成型性好、质量轻、耐高温、耐酸碱腐蚀，其品质满足高端工业材料的使用要求
一种导热氮化立方复合烧结及其制备方法

[发明专利]一种晶圆级、高质量的氮化硼/石墨烯异质结薄膜的制备方法-CN202011087287.8有效
发明人：胡平安;杨慧慧;谭必英;张士超;苏震;刘得昌;汪礼丽 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级、高质量的氮化硼/石墨烯异质结薄膜的制备方法；它的制备方法为：步骤一：通过表面催化生长方法，在金属表面制备出连续的六方氮化硼薄膜；步骤二：通过等离子体刻蚀技术，将金属箔片一侧表面处的六方氮化硼薄膜除去；步骤三：将该金属箔片折叠为袋状进行密封；步骤四：将该金属袋置于管式炉中，升高到一定温度并通入高浓度含碳气体，实现碳原子由外表面向内表面的扩散，并在降温过程中析出，在金属与六方氮化硼界面处生成石墨烯；步骤五：将该金属袋剪开并水平铺开，转移至目标衬底表面，即可得到六方氮化硼/石墨烯垂直异质结薄膜。本发明的制备工艺适用性高，工艺参数窗口较宽；相比传统通过外延或扩散方式来制备异质结的方法，本方法有效避免原子间的掺杂现象，同时可获得晶圆级，高质量的垂直氮化硼/石墨烯异质结薄膜。
一种晶圆级质量氮化石墨烯异质结薄膜制备方法

[发明专利]坩埚及其涂层方法-CN201310039054.4无效
发明人：王悦;刘华;王玉卓;庞海涛;任建华 -专利权人：天津英利新能源有限公司
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： B05D7/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种坩埚及其涂层方法，公开的涂层方法包括以下步骤：制作涂料，涂料中包括六方氮化硼和纯水；将涂料喷涂在坩埚的内壁；将坩埚风干。坩埚与六方氮化硼反应的可能性很小，硅料不易粘锅，发生泄露的可能性明显降低，硅料生产时的安全可靠性得到提高。同时，涂层与液硅的润湿性很差，在承载液态硅的情况下不易与硅料产生粘连；另外由于六方氮化硼本身具有良好的润滑性，这使得硅锭脱模良好；而且，使用本发明的涂层可以明显使硅锭生长中的热传导更加均匀，改善硅锭的内在品质因此，该涂层方法既可以减少坩埚与液态硅料的粘连和渗透，充当一个保护层的作用，而且可以起到润滑和脱模的作用，有利提高硅料的生产质量和生产效率。
坩埚及其涂层方法

[发明专利]一种超薄立方氮化硼薄膜的制备方法-CN201811539001.8在审
发明人：苗中正;田华雨 -专利权人：盐城师范学院
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C04B35/5831 文献下载
摘要：本发明提供一种立方氮化硼薄膜的制备方法。以氨基钠和氧化硼作为反应前驱体，放入高压釜中，加热进行反应得到三方氮化硼粉体，常温下球磨，得到二维氮化硼；将二维氮化硼粉末和触媒材料进行充分混合，压制成圆柱状，放入顶压机高温高压处理，采用酸碱提纯即可得到立方氮化硼薄膜材料本发明所公开的方法以ABC方式排列的二维三方氮化硼为原料制备立方氮化硼，可提升转化率、降低原料浪费，制备的超薄的立方氮化硼薄膜扩大了立方氮化硼的应用领域，具备制备简单、成本低、易于工业化批量生产的特点。
立方氮化硼薄膜制备二维氮化硼立方氮化硼放入工业化批量生产高温高压处理氮化硼粉体反应前驱体充分混合触媒材料原料制备氨基钠常温下氮化硼顶压机高压釜氧化硼圆柱状提纯二维球磨酸碱加热压制

[发明专利]一种高储能密度太阳能储能陶瓷材料-CN202011541336.0在审
发明人：蒋庆林 -专利权人：湖州浩通电子科技有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C04B35/596 文献下载
摘要：本发明公开了一种高储能密度太阳能储能陶瓷材料，由以下重量份的成分组成：氮化硅60‑80份、氮化硼30‑45份、碳化硼15‑25份、硅化钛5‑15份、氧化铝5‑12份、硅酸钠2‑7份、氧化镁3‑10份和氧化镧以上各成分均为平均粒径10‑50nm的粉末；其中本发明采用氮化硅、氮化硼和氮化硼为基材，具有抗压强度为好，抗热震能力强的优点，同时加入硅化钛、氧化铝、硅酸钠、氧化镁和氧化镧为添加剂，尤其是加入少量的氧化镧可以显著提升陶瓷材料的储能密度
一种高储能密度太阳能陶瓷材料

[发明专利]氮化物外延结构、外延生长方法及其应用-CN202310410667.8在审
发明人：徐建喜;徐俞;王钰宁;王建峰;徐科 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物外延结构、外延生长方法及其应用。所述氮化物外延结构包括依次层叠设置的六方氮化硼层、单层非晶氮化硼层以及氮化物半导体层；氮化物半导体层是由所述六方氮化硼层经过远程外延作用生长形成的。所述外延生长方法包括：在衬底上生长六方氮化硼层；生长单层非晶氮化硼层；生长氮化物半导体层。本发明所提供的一种基于原位生长单层非晶氮化硼/六方氮化硼复合插入层的氮化物半导体层的外延生长方法，以多层六方氮化硼为极性底层配合单层非晶氮化硼层，实现了在任意衬底上远程外延生长低晶界缺陷、低失配位错、低应力的高质量单晶氮化物薄膜；此外，外延层剥离后的六方氮化硼/外延衬底可以反复利用，能够降低材料成本。
氮化物外延结构生长方法及其应用

[发明专利]一种二维羟基化氮化硼的制备方法-CN201811538872.8在审
发明人：苗中正;田利;苗中明 -专利权人：盐城师范学院
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明提供一种二维羟基化氮化硼的制备方法。以氨基钠和氟硼酸铵作为反应前驱体，海绵状的镍做催化剂，加热反应得到三方氮化硼；将三方氮化硼粉末与碳酸氢铵混合后放入球磨罐中球磨，高温处理后得到二维氮化硼粉末，二维氮化硼粉末与氢氧化钠水溶液混合加入水热釜中，加热反应得到羟基化氮化硼。本发明所公开的方法剥离三方氮化硼得到的ABC方式排列的二维氮化硼纳米片，片层更容易剥离开，氮化硼表面修饰上羟基，可以极大改善氮化硼在溶液中的分散性能，具备制备简单、成本低、易于工业化批量生产的特点。
氮化硼二维氮化硼羟基化制备加热反应二维碳酸氢铵工业化批量生产氢氧化钠水溶液氮化硼粉末反应前驱体表面修饰分散性能氟硼酸铵高温处理氨基钠海绵状纳米片水热釜催化剂镍做片层球磨羟基剥离

[发明专利]一种二维超薄氮化硼纳米片的制备方法-CN201710222627.5有效
发明人：方晓亮;欧道辉;郑南峰 -专利权人：厦门大学
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： C01B21/06 文献下载
摘要：一种二维超薄氮化硼纳米片的制备方法，涉及二维氮化硼的制备方法。提供成本低廉、操作简单、产率高且易于大量生产，并能够有效保证二维超薄氮化硼纳米片的产率和质量的一种二维超薄氮化硼纳米片的制备方法。在空气中，将六方氮化硼与球磨介质混合物装入球磨罐，球磨后洗涤，过滤，干燥后得二维超薄氮化硼纳米粉末；将所得的二维超薄氮化硼纳米粉末分散在异丙醇中超声，离心后，取上清液，即得到氮化硼纳米片的分散液，经过真空抽滤后即得二维超薄氮化硼纳米片；或离心后干燥后，即得二维超薄氮化硼纳米片。
一种二维超薄氮化纳米制备方法

[发明专利]氮化硼球形粒粉体以及它们的使用方法-CN200710004476.2有效
发明人： V·K·普加里;W·T·科林斯;J·J·库茨克 -专利权人：圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
申请日： 2002-07-23 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： C04B35/5833 文献下载
摘要：本发明涉及制备六方晶氮化硼及其浆料的方法。该方法涉及约0.5～5重量％的表面活性剂与约30重量％的六方晶氮化硼粉体在有利于形成六方晶氮化硼浆料条件下于介质内混合。本发明还涉及制备球形粒氮化硼粉体的方法，以及采用六方晶氮化硼浆料制备六方晶氮化硼糊料的方法。本发明另一方面涉及六方晶氮化硼糊料，它包含约60～80重量％的固体六方晶氮化硼。本发明还有一方面涉及球形氮化硼粉体，包含聚合物与球形六方晶氮化硼粉体的聚合物混合物，以及包含该聚合物混合物的体系。
氮化球形粒粉体以及它们使用方法

[实用新型]一种切削用立方氮化硼刀具-CN201320305433.9有效
发明人：陈强;李富玲;王恒 -专利权人：郑州昊诚超硬工具有限公司
申请日： 2013-05-30 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： B23B27/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种切削用立方氮化硼刀具，它包括位于上、下端面的立方氮化硼聚晶层以及位于上、下端面立方氮化硼聚晶层之间的至少一层硬质合金基体，相邻的硬质合金基体之间用立方氮化硼聚晶层隔开。硬质合金基体与立方氮化硼聚晶层之间为平面连接。本实用新型由于采用了立方氮化硼聚晶与硬质合金相互夹层的结构设计实践中具有两大优势，第一可以减少原材料立方氮化硼微粉的用量，降低立方氮化硼刀具的生产成本；第二可以提高了立方氮化硼刀具的抗弯强度和抗冲击性能，进一步扩大了立方氮化硼刀具的使用范围。
一种切削立方氮化刀具

[发明专利]高固含量六方晶氮化硼浆料、糊料、球形粒粉体,以及它们的制备与使用方法-CN02815595.5有效
发明人： V·K·普加里;W·T·科林斯;J·J·库茨克 -专利权人：圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
申请日： 2002-07-23 - 公布日： 2004-10-20 - 主分类号： B32B5/16 文献下载
摘要：本发明涉及制备六方晶氮化硼及其浆料的方法。该方法涉及约0.5～5重量％的表面活性剂与约30重量％的六方晶氮化硼粉体在有利于形成六方晶氮化硼浆料条件下于介质内混合。本发明还涉及制备球形粒氮化硼粉体的方法，以及采用六方晶氮化硼浆料制备六方晶氮化硼糊料的方法。本发明另一方面涉及六方晶氮化硼糊料，它包含约60～80重量％的固体六方晶氮化硼。本发明还有一方面涉及球形氮化硼粉体，包含聚合物与球形六方晶氮化硼粉体的聚合物混合物，以及包含该聚合物混合物的体系。
含量六方晶氮化浆料糊料球形粒粉体以及它们制备使用方法

[发明专利]一种基于大片层本征六方氮化硼的高导热氮化硼纸及其制备方法-CN202210259953.4在审
发明人：刘磊;于树磊;白树林;王恩哥 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C08L29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于大片层本征六方氮化硼的氮化硼纸及其制备方法。氮化硼纸的制备方法包括如下步骤：按照质量比为0.2～0.4∶65～80∶100将大片层六方氮化硼、异丙醇和去离子水混合后得到初混液；将初混液通过水浴超声进行分散，随后在室温下静置取上清液；按照多胍类聚合物、水溶性聚合物以及氮化硼分散液的上清液中所含氮化硼之间的质量比为1∶1～4∶2～20制备混合溶液；将混合溶液通过真空抽滤的成型方式和冷静压的后处理方式诱导大片层的六方氮化硼有序组装，制备得到所述氮化硼纸这种氮化硼纸中，多胍类聚合物利用静电相互作用和氢键相互作用同片层六方氮化硼和较高分子量的水溶性聚合物紧密连接，充当片层六方氮化硼和较高分子量的水溶性聚合物之间的“桥梁”，使制备的氮化硼纸具备较佳的力学强度利用真空抽滤和冷静压双重诱导六方氮化硼的大片层形成层状高效导热通路，实现了片层六方氮化硼的有序组装，大幅度提高了氮化硼纸的平面内热导率。
一种基于大片征六方氮化导热及其制备方法

[其他]再烧结富硼多晶立方氮化硼及其制造方法-CN87100500无效
发明人：托马斯·雷蒙德·拉文斯;弗朗西斯·雷蒙德·科里根 -专利权人：通用电器公司
申请日： 1987-01-26 - 公布日： 1987-08-19 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：一种制造再烧结的多晶立方氮化硼压块的方法包括将烧结的富硼多晶立方氮化硼颗粒放在一高温/高压装置中，使所述的富硼立方氮化硼颗粒经受适合将所述颗粒进行再烧结的压力和温度的处理，以所采用的温度低于立方氮化硼的再转化温度，所用的时间足以能对其中的多晶立方氮化硼颗粒进行再烧结。在高压/高温装置中的富硼多晶立方氮化硼颗粒不含可干扰烧结过程的杂质(抑制立方氮化硼烧结的杂质)，也不含烧结助剂。
烧结多晶立方氮化及其制造方法