“硅化反应”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3570641个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]形成具有完全硅化结构的半导体组件及晶体管的方法-CN200410048134.7有效
发明人：杨育佳;王志豪;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-06-16 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一具有多个硅化的多晶硅结构的半导体组件，其中是提供所述多晶硅结构一大致均匀的硅化反应。闲置多晶硅结构于硅化反应前形成于基底上，其可允许芯片表面得以平坦而不致产生一过度凹陷处，并导致参与硅化反应的金属量于不同多晶硅结构中大致均匀地分布。
形成具有完全结构半导体组件晶体管方法

[实用新型]半导体芯片和集成电路芯片-CN200420066850.3无效
发明人：杨育佳;王志豪;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-06-16 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一具有多个硅化的多晶硅结构的半导体组件，其中是提供所述多晶硅结构一大致均匀的硅化反应。闲置多晶硅结构于硅化反应前形成于基底上，其可允许芯片表面得以平坦而不致产生一过度凹陷处，并导致参与硅化反应的金属量于不同多晶硅结构中大致均匀地分布。
半导体芯片集成电路

[发明专利]一种无催化剂无溶剂条件下的醛硅腈化反应方法-CN201810456277.3在审
发明人：马猛涛;王未凡;肖钤;徐莉 -专利权人：南京林业大学
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种无催化剂无溶剂条件下的醛硅腈化反应方法，在手套箱中，在核磁管中依次加入醛与三甲基腈硅烷，然后移出手套箱反应，即可完成醛硅腈化反应。一种无催化剂，无溶剂参与的醛硅腈化反应。本发明的无催化剂无溶剂醛的硅腈化反应，能够有效的催化醛的硅腈化反应进行，为全新的方法，属于新的醛硅腈化反应。该方法，简单易操作，方法中所需物品毒性小，安全环保，产物得率高，且在室温下可以储存。本发明的醛与三甲基腈硅烷反应，操作简单，反应活性高，产率高，底物普适性宽。
腈化反应无催化剂无溶剂条件三甲基手套箱无溶剂安全环保反应活性硅烷反应催化醛核磁管普适性产率得率底物硅烷移出储存

[发明专利]制备高纯颗粒硅的方法-CN98117164.8无效
发明人：弗朗茨·施赖尔德尔;金希永 -专利权人：瓦克化学有限公司
申请日： 1998-08-12 - 公布日： 1999-05-12 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种在包含加热和反应区段的流化床反应器中,通过元素硅在细粒硅上沉积制备氯污染物量低于50ppm(重量)的颗粒硅的方法,在加热区段中的细粒硅用惰性、无硅载体气体使其流态化从而产生一流化床,并用微波能加热,在反应区段中,将其曝置于包含硅源气体和载体气体的反应气体中,其中,当在反应段中反应气体充注流态化细粒硅时,它的平均温度要低于900℃,当在反应段中流态化细粒硅被反应气体充注时,它的平均温度要高于900
制备高纯颗粒方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN03158707.0无效
发明人：早川幸夫 -专利权人：飞索有限责任公司
申请日： 2003-09-19 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：在门栅电极中，提供第一多晶硅薄膜，具有相关预定硅晶面取向和晶粒直径小于第一多晶硅薄膜的晶粒直径的第二多晶硅薄膜，使得即使当在第二多晶硅薄膜中形成硅化物层时局部存在硅化速度不同的部分，与第二多晶硅薄膜中未反应部分的硅化反应仍可以比与第一多晶硅薄膜的硅化反应更快
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种氟化二硅化钛的合成方法-CN201710048443.1有效
发明人：张春勇;郑纯智;程洁红;罗青薇;文颖频;秦恒飞;刘维桥;舒莉;周月;赵德建;张国华 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： C01B33/10 文献下载
摘要：本发明属于化学合成技术领域，具体涉及一种氟化二硅化钛的合成方法，所述方法包括以下步骤：(1)将单质钛、硅和氯化锌研磨，混合均匀后，在氩气气氛中反应，得到前驱硅化钛，然后进行步骤(2)或步骤(3)处理；(2)将前驱硅化钛与氟化物研磨混合，进行煅烧反应；(3)将前驱硅化钛与氟化物水溶液混合，进行水热反应；(4)将步骤(2)或步骤(3)反应完成的产物经水洗、干燥即得氟化二硅化钛。本发明的合成方法成功制备了高活性氟化二硅化钛，其光催化活性高。
一种氟化二硅化钛合成方法

[发明专利]一种羧基官能团化的聚硅氧烷及其制备方法-CN201610220303.3有效
发明人：李承辉;游效曾;赖建诚 -专利权人：南京大学
申请日： 2016-04-11 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： C08G77/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种羧基官能团化的聚硅氧烷及其制备方法。该方法包括以下步骤：1)将聚烷基氢化硅氧烷和烷基烯酸酯衍生物发生硅氢加成反应，得到羧酸酯官能团化的聚硅氧烷；2)将得到的羧酸酯官能团化的聚硅氧烷依次进行水解、酸化、萃取和真空干燥得到羧基官能团化的聚硅氧烷本发明方法硅氢加成反应加成完全，简化了合成工艺，提高了反应收率，减少了副反应的发生。
一种羧基官能团聚硅氧烷及其制备方法

[发明专利]一种制备介孔Y型分子筛的方法-CN201511020128.5有效
发明人：李文林;达志坚;罗一斌;郑金玉 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： C01B39/24 文献下载
摘要：一种制备介孔Y型分子筛的方法，其特征在于该方法包括：(1)将硅源、铝源和水混合，然后陈化得到晶化导向剂；(2)先混合晶化导向剂和硅源，然后加入铝源和水，制得反应性硅铝溶胶，将反应性硅铝溶胶晶化，得到晶化液I，所说的反应性硅铝溶胶中，晶化导向剂的添加量占反应性硅铝溶胶总质量的0.5～5％；(3)在晶化液I中加入聚丙烯酰胺，继续晶化、回收产物。
反应性硅铝溶胶晶化导向剂制备介孔晶化液硅源晶化铝源聚丙烯酰胺对数坐标回收产物孔径分布水混合添加量脱附峰陈化峰顶孔容

[发明专利]一种制备介孔Y型分子筛的方法-CN201511020128.5有效
发明人：李文林;达志坚;罗一斌;郑金玉 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： C01B39/24 文献下载
摘要：一种制备介孔Y型分子筛的方法，其特征在于该方法包括：(1)将硅源、铝源和水混合，然后陈化得到晶化导向剂；(2)先混合晶化导向剂和硅源，然后加入铝源和水，制得反应性硅铝溶胶，将反应性硅铝溶胶晶化，得到晶化液I，所说的反应性硅铝溶胶中，晶化导向剂的添加量占反应性硅铝溶胶总质量的0.5～5％；(3)在晶化液I中加入聚丙烯酰胺，继续晶化、回收产物。
反应性硅铝溶胶晶化导向剂制备介孔晶化液硅源晶化铝源聚丙烯酰胺对数坐标回收产物孔径分布水混合添加量脱附峰陈化峰顶孔容

[发明专利]包含烷氧基官能化硅氧烷反应性树脂的湿固化热熔有机硅粘合剂组合物-CN201480007173.4有效
发明人：艾德丽安·鲍曼;G·戈登;罗杰·罗曼;A·扎里斯菲;托马斯·贝克梅尔;J·唐戈 -专利权人：道康宁公司
申请日： 2014-02-10 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： C08G77/18 文献下载
摘要：本发明提供一种湿固化有机硅粘合剂组合物，其包含(A)反应性树脂、(B)反应性聚合物、(C)湿固化催化剂和(D)交联剂树脂。所述反应性树脂(A)包含含有R3SiO1/2单元和SiO4/2单元的烯基官能化硅氧烷树脂和具有至少一个硅键合的氢原子的烷氧基硅烷官能化有机硅氧烷化合物在氢化硅烷化催化剂存在下反应的反应产物。所述反应性聚合物(B)包含具有至少一个硅键合的氢原子的烷氧基硅烷官能化有机硅氧烷化合物和每个分子平均具有至少2个脂族不饱和有机基团的聚有机硅氧烷在氢化硅烷化催化剂存在下反应的反应产物。
包含烷氧基官能化硅氧烷反应树脂固化有机硅粘合剂组合

[发明专利]一种超支化有机-无机嵌段光学透明加成型有机硅材料的制备方法-CN201810480428.9有效
发明人：杨雄发;鲍好圆;来国桥;刘江玲;吴于飞;华西林;罗蒙贤;李泽;郝超伟 -专利权人：杭州师范大学
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： C08G77/445 文献下载
摘要：本发明涉及有机硅技术领域，为了解决有机硅高分子材料机械力学性能较差的问题，本发明提出了一种超支化有机‑无机嵌段光学透明加成型有机硅材料的制备方法，先将羟端基脂肪族超支化聚酯在氮气保护下与金属有机锂反应后，用正己烷清洗若干次，制备成超支化大分子引发剂；然后在促进剂存在下，将超支化大分子引发剂与环状有机硅单体开环聚合，并通过终止剂终止反应，得到超支化嵌段有机硅高分子，减压脱除溶剂、低分子和未参与聚合反应的单体；然后通过硅氢加成反应，得到超支化有机‑无机嵌段光学透明加成型有机硅材料。改善了有机硅高分子材料的机械力学性能和流动性能。
一种超支有机无机光学透明成型有机硅材料制备方法

[发明专利]减少自对准硅化镍尖峰缺陷和管道缺陷的方法-CN201410331759.8有效
发明人：张红伟;杨列勇;温振平 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种减少自对准硅化镍尖峰缺陷和管道缺陷的方法，包括依次执行下述步骤对暴露的硅表面进行预清洗，除去自然氧化物；在清洗后的硅表面上沉积镍或镍合金；进行低温快速热退火处理，使部分镍或镍合金与硅反应，形成高电阻硅镍化物；去除未反应的镍或镍合金；进行高温快速热退火处理，使所述高电阻硅镍化物转化为低电阻的硅镍化物‑‑硅化镍。
减少对准硅化镍尖峰缺陷管道方法

[发明专利]在半导体衬底上制造集成电路的方法-CN200610171748.3无效
发明人： T·赫克特;H·伯恩哈德特;C·卡普泰恩 -专利权人：奇梦达股份公司
申请日： 2006-12-29 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：集成电路器件包括导电层和多晶硅层，其中该集成电路器件进一步包括中间相反应力层。该中间相反应力层被布置于多晶硅层和导电层之间，并且能够实现该多晶硅层的应力降低的晶化。此外，该中间相反应力层在多晶硅晶化温度时以及在该多晶硅晶化温度以下是非晶的。
半导体衬底制造集成电路方法

[发明专利]一种制备硅化锆纳米材料的方法-CN202010404989.8在审
发明人：王良彪;周子明;陈哲;张迈;龚华旭;杨廷海;刘维桥 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备硅化锆纳米材料的方法，涉及纳米材料领域。该方法包括：(1)将二氧化锆、硅粉和金属还原剂加入反应器中，然后加热反应；(2)将反应产物洗涤、过滤、干燥得硅化锆纳米材料。本发明为一步化学反应制备硅化锆纳米材料的新方法，该方法反应条件温和、反应过程简单易控、产物收率高、副产物少；本发明的制备方法在制备过程中所需要的设备简单，所用的原料来源广泛而且价格便宜，便于实现工业化的生产
一种制备硅化锆纳米材料方法

[发明专利]等离子增强循环沉积氮化金属硅膜的方法-CN200810142802.0有效
发明人：金文径;金武性;杨相铉;雷新建 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2008-06-19 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及等离子增强循环沉积氮化金属硅膜的方法，具体涉及在等离子环境中按照循环膜沉积使用金属氨基化物、硅前体和氮源气体作为前体形成氮化金属硅膜的方法。在衬底上形成氮化金属硅膜的沉积方法包含以下步骤：脉冲加入金属氨基化物前体；吹扫出未反应的金属氨基化物；将氮源气体引入在等离子环境下的反应室；吹扫出未反应的氮源气体；脉冲加入硅前体；吹扫出未反应的硅前体；将氮源气体引入到在等离子环境下的反应室中；和吹扫出未反应的氮源气体。
等离子增强循环沉积氮化金属硅方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条